公开(公告)号：CN1959916A

公开(公告)日：2007-05-09

申请号：CN200510117228.X

申请日：2005-11-01

Applicant: 北京有色金属研究总院

Inventor： 尉秀英 ,  秦光荣 ,  张艳 ,  熊玉华 ,  杜军 ,  毛昌辉 ,  王磊 ,  汪渊

IPC: H01J29/94 ,  B01J20/02

Abstract: 一种制备钛基多孔非蒸散型吸气材料的工艺方法，该制备工艺包括：(1)材料包括第一种元素为金属吸气元素Ti和第二种元素Mo；(2)将两种金属粉末按吸气材料的成分要求进行配料；(3)将配好的粉末混合物在惰性气体Ar气保护下，在球磨罐上进行机械混料，时间不少于20小时；(4)将混好的粉末在1500～3000kg/cm2的压力下压制成型，然后在700～1000℃温度下烧结5～30分钟。本发明的吸气剂有较高的孔隙度和较大的比表面积，具有良好的吸气性能，同时结合了较高的机械强度。

公开(公告)号：CN109920711A

公开(公告)日：2019-06-21

申请号：CN201711336254.0

申请日：2017-12-13

Applicant: 北京有色金属研究总院

Inventor： 熊玉华 ,  徐晓强 ,  杨志民 ,  崔建东 ,  赵彦弘

IPC: H01J9/00 ,  H01J9/12

Abstract: 本发明公开了一种碱金属释放剂所用释放器的制备方法，包括以下步骤：(1)清洗和烘干镍铬合金管，镍铬合金管的外径为4.0-7.0mm，璧厚为0.05-0.10mm；(2)采用混粉装置将高纯碱金属盐和还原剂粉末混合均匀，并将混合后的粉末灌入镍铬合金管；(3)将装粉后的镍铬合金管冷拉拔，拉拔至外径为1.0-1.5mm、璧厚0.03-0.06mm，所需道次为8-40；(4)在惰性气体保护下激光打孔；(5)释放剂主体部分切割；(6)主体部分两端连接端电极；(7)将制备好的释放器真空封装。采用本发明的制备方法可提高碱金属释放剂所用释放器的生产效率，且显著提高释放剂的释放器的性能一致性和稳定性。进而保证了释放剂薄膜在光电阴极表面的厚度一致性，保证了光电阴极性能的一致性和稳定性。

公开(公告)号：CN103855229B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201210520713.1

申请日：2012-12-06

Applicant: 北京有色金属研究总院

Inventor： 魏峰 ,  曾亭 ,  杜军 ,  熊玉华

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/072 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了属于光电器件技术领域的一种增强光电效应的石墨烯基半导体光电器件及其制备方法。本发明的石墨烯光电器件，包括背电极、半导体衬底、石墨烯、顶电极以及位于所述石墨烯和顶电极之间的阻挡功能层材料，阻挡功能层材料由一层金属氧化物薄膜。本发明采用某些金属氧化物薄膜作为阻挡功能层，利用氧化物薄膜材料的高透光度和阻挡空穴传输电子的功能，获得了具有提高光电效应的石墨烯基半导体异质结器件。本发明的光电器件具有制备方法简单、光电转换效率明显提高并且与新型的石墨烯材料相兼容等优点。

公开(公告)号：CN105762179A

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201410782187.5

申请日：2014-12-16

Applicant: 北京有色金属研究总院

Inventor： 陈小强 ,  杜军 ,  熊玉华 ,  魏峰

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了一种铪基高k栅介质堆栈结构及其MOSFET器件。该铪基高k栅介质堆栈结构包括在硅衬底上表面依次设置的界面过渡层、铪基高k栅介质层和栅电极，以及在硅衬底下表面设置的背电极，其中铪基高k栅介质层是通过过渡金属氧化物掺杂氧化铪形成的叠层结构。本发明采用半导体工业标准工艺，通过过渡金属氧化物(M-O：TiO2、ZrO2)对氧化铪进行掺杂，得到介电常数高于氧化铪的栅介质薄膜，在同等栅极氧化物厚度下实现更低的EOT，制备综合性能更优的铪基栅介质堆栈结构以及其MOSFET器件。

公开(公告)号：CN102403342A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN201010285394.1

申请日：2010-09-16

Applicant: 北京有色金属研究总院

Inventor： 屠海令 ,  杜军 ,  熊玉华

IPC: H01L29/51 ,  H01L21/283 ,  H01L21/66

Abstract: 一种铪基氧化物高k栅介质层及其能带调控方法，该栅介质层包含HfO2和Gd2O3，原子比Gd/(Gd+Hf)为0～30％，且≠0。其能带调控方法为：将清洗干净的石英片衬底和单晶Si片衬底分别放入射频磁控共溅镀膜系统，在氩气和氧气的混合气氛下向衬底上共溅射Gd2O3和HfO2，HfO2的溅射功率为50～120W，Gd2O3的溅射功率为0～90W，且该溅射功率≠0，溅射气压为0.5～3Pa，在石英片上的溅射时间为1～1.5h，栅介质层厚度为100～140nm；在Si片上的溅射时间为3～20分钟；栅介质层厚度为3～25nm。Gd2O3对HfO2具有能带调控作用，有利于降低铪基氧化物栅介质层的漏电流。

公开(公告)号：CN101070145B

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN200710100348.8

申请日：2007-06-08

Applicant: 北京有色金属研究总院

Inventor： 熊玉华 ,  尉秀英 ,  秦光荣 ,  苑鹏 ,  毛昌辉 ,  杜军

IPC: C01B23/00 ,  B01D53/18

Abstract: 本发明公开了属于气体净化领域的一种吸气剂型的氩气净化器，此净化器包括两个装吸气剂的圆筒形金属壳、金属壳体内装吸气材料颗粒、每个吸气剂圆形腔体顶端与预抽真空的空间相连处装两个金属过滤网，防止在振动冲击条件下净化材料颗粒物的脱落并过滤氩气中的微小颗粒物。有通气和出气的管道、净化器与气瓶和真空机组相连的阀门。本发明采用两级净化方式净化惰性气体氩气，其净化效果好，使氩气中的活性杂质气体从几个~十几个ppm减少到ppb量级。该净化器使用Zr-V-Fe合金颗粒和改性5A分子筛混合作为净化材料，采用400～500℃保温40分钟的工艺对净化材料颗粒进行激活处理。在室温工作，减少能耗；不需要水冷，使用方便安全。

公开(公告)号：CN100544950C

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：CN200410090635.1

申请日：2004-11-10

Applicant: 北京有色金属研究总院

Inventor： 王磊 ,  尉秀英 ,  熊玉华 ,  秦光荣 ,  苑鹏

IPC: B32B18/00 ,  B32B7/04

Abstract: 一种多层膜结构的薄膜气体吸收元件及其制造方法和使用方法。该气体吸收元件，是在陶瓷支撑体上沉积一层气体吸收层，在气体吸收层上覆盖一层催化层，陶瓷支撑体内部含有加热层，气体吸收层的组成包括有Ti、Zr、V、La、Y、Ce、Nd、Nb、Hf和Fe中的至少两种材料，催化层为催化金属的合金薄膜，其含有Pd，和Ag、Ni、Cr、Cu和Al中的至少一种，以及La、Y、Ce和Nb中的一种稀土元素或它们的混合物，其中，La、Y可以是单质或是其氧化物。陶瓷支撑体为烧结后陶瓷多孔支撑体，其比表面积大于1m2/g。催化层的上面设有多孔气体透过网，在该吸收元件的外周设有封装外壳。采用烧结方法制备陶瓷多孔支撑体；采用共蒸发方法沉积形成气体吸收层薄膜；采用共溅射沉积法使气体吸收层薄膜上覆盖催化层合金薄膜。该气体吸收元件能够在低温激活，是性能稳定的微型吸气剂元件。

公开(公告)号：CN101325139A

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：CN200810116163.0

申请日：2008-07-04

Applicant: 北京有色金属研究总院

Inventor： 尉秀英 ,  秦光荣 ,  李腾飞 ,  张艳 ,  杜军 ,  毛昌辉 ,  苑鹏 ,  熊玉华

IPC: H01J9/39 ,  H01J9/00 ,  H01J7/18

Abstract: 本发明提供了一种根部带防掉粉装置的吸气元件的制备方法，属于真空吸气元件制备领域。首先将带双孔的陶瓷片洗净烘干；分别制备粘结剂、钛膏、吸气剂膏。取涂有三氧化二铝绝缘层的螺旋丝作为加热丝。用钛膏将陶瓷片单面均匀涂敷并通过两个小孔固定螺旋加热丝，真空烧结制成加热体。将吸气剂涂敷在带有陶瓷片的加热体上制成吸气元件坯件，将此坯件进行真空烧结，降温出炉制得引出端根部带防掉粉装置的吸气元件。本发明解决了陶瓷片与吸气剂的牢固结合技术，从而有效的用陶瓷片取代三氧化二铝的绝缘层，彻底解决了在振动条件下三氧化二铝的涂层脱落问题，使吸气元件整体强度增强，满足了特殊电真空器件对吸气元件强度性能的苛刻要求。

公开(公告)号：CN101290851A

公开(公告)日：2008-10-22

申请号：CN200810114966.2

申请日：2008-06-13

Applicant: 北京有色金属研究总院

Inventor： 张艳 ,  尉秀英 ,  秦光荣 ,  李腾飞 ,  赵振梅 ,  杜军 ,  毛昌辉 ,  苑鹏 ,  熊玉华

IPC: H01J7/18 ,  H01J9/39 ,  B22F3/00

Abstract: 本发明提供了一种用粉末注射成型制备电真空吸气元件的方法，属于电真空吸气元件制造技术领域。制备工艺为：以Ti粉和Mo粉为原料在混料机上混合，将混合均匀的原料粉末与粘结剂按体积比混合并在混炼机上混炼，冷却后破碎成注射喂料，再进行注射成型，对注射成型的坯件采用二步脱脂工艺处理，先对注射成型坯件进行溶剂脱脂，再进行真空热脱脂，最终对脱脂后的坯件进行真空烧结，制备成真空吸气元件。本发明的优点在于：可以制备出形状复杂、尺寸精度高的吸气元件以满足各类电真空器件不同形状的空间对吸气元件复杂形状及尺寸精度的要求。产品孔径、孔隙度控制均匀，吸气元件的孔隙度可达到50％以上。

公开(公告)号：CN1797806A

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：CN200410102757.8

申请日：2004-12-28

Applicant: 北京有色金属研究总院

Inventor： 王磊 ,  熊玉华 ,  杜军 ,  毛昌辉 ,  尉秀英 ,  杨志民 ,  秦光荣 ,  苑鹏

IPC: H01L49/00 ,  G01N27/12

Abstract: 本发明涉及一种对氢气敏感的半导体传感器敏感元件及其制作方法，属半导体传感器气敏元件制造工艺技术领域。该制作方法的特征在于：采用射频溅射工艺在Si(100)片上制备n－SnO2－x薄膜层，再在二氧化锡层上制备Pd－Ni层，形成Pd－Ni/SnO2复合膜的气敏元件。本发明制备的Pd－Ni/SnO2复合膜气敏元件，可在常温环境下，大大提高对氢气的选择性和灵敏性。本发明可以提供一种制造工艺简便，价格低廉的半导体气敏元件的制作方法。