公开(公告)号：CN112201567B

公开(公告)日：2022-10-04

申请号：CN202011023502.8

申请日：2020-09-25

Applicant: 北京大学东莞光电研究院

Inventor： 王琦 ,  梁智文 ,  王忠强 ,  刘南柳 ,  汪青 ,  张国义

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/04 ,  H01L23/373

Abstract: 本发明涉及第三代半导体材料制备技术领域，尤指一种用于氮化物材料外延的高导热衬底的制备方法，包括选用基础衬底的材料，并对基础衬底进行预处理；在基础衬底上沉积一层金刚石导热层；对基础衬底背向金刚石导热层的一面进行抛光减薄，最终获得复合层衬底。本发明主要是利用高导热比的金刚石材料与传统氮化物外延衬底结合实现高导热衬底，其中基础衬底起到氮化物成核功能层的作用，金刚石导热层起到导热的作用，能解决第三代氮化物材料及器件散热差的问题，使氮化物材料及器件在工作过程中始终处于较低的结温状态，提高其可靠性及性能。

公开(公告)号：CN114292087A

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN202111633016.2

申请日：2021-12-28

Applicant: 北京大学东莞光电研究院

Inventor： 王新强 ,  王琦 ,  梁智文

IPC: C04B35/01 ,  C04B35/50 ,  C04B35/622 ,  H01L33/50

Abstract: 本发明公开了一种无需封装的白光LED外延材料制备方法，所述制备方法包括如下步骤：原料选择；压片处理；二维材料结构制备和工艺处理。该种制备方法把荧光粉和陶瓷混合高温烧结成外延LED材料所需要的外延基板，在其上面制备氮化镓蓝光等发光外延材料，氮化镓蓝光对陶瓷基板上荧光进行激发，根据荧光粉的种类，基板发出相当波长的光，根据调色源原理实现白光LED外延材料，解决传统白光LED需要荧光粉封装技术导致可靠性问题，可以实现无荧光粉封装技术的白光LED芯片。

公开(公告)号：CN112422186B

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202011250442.3

申请日：2020-11-10

Applicant: 北京大学东莞光电研究院

Inventor： 王琦 ,  郑小平 ,  李顺峰 ,  王永志

IPC: H04B10/116 ,  H04L27/26 ,  H04L25/06

Abstract: 本申请提供基于可见光通信系统的数据传输方法，应用于通信领域，解决LED非线性失真的问题，该方法包括：将原始数据信号串/并转换得到并行信号数据，将并行信号数据调制处理成具有厄密特共轭Hermitian对称形式的信号，该信号经过IFFT变换后加CP循环前缀形成M个第二信号子块，对第二信号子块进行并/串转换后得到M个串行信号数据，对M个串行信号数据进行部分线性压扩变换，得到M个压缩信号，将M个压缩信号进行D/A数模转换，得到M个模拟信号，在M个模拟信号上叠加最优直流偏置信号，得M个单极性信号，将M个单极性信号转换成DCO‑OFDM光信号，通过可见光信道发送给数据接收端，降低可见光通信系统中LED非线性失真的影响，提高系统通信性能。

公开(公告)号：CN112968005A

公开(公告)日：2021-06-15

申请号：CN202110142309.4

申请日：2021-02-02

Applicant: 北京大学东莞光电研究院

Inventor： 王琦 ,  王忠强 ,  郑小平 ,  梁智文 ,  刘南柳 ,  陶仁春 ,  张国义

IPC: H01L23/13 ,  H01L23/14 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L21/48 ,  C23C16/02 ,  C23C16/27 ,  C23C16/511

Abstract: 本发明涉及复合材料技术领域，尤指一种带连通孔的金刚石复合片及其制造方法，首先通过在基片上制作贯穿其上表面及下表面的通孔，以形成带孔基片；在带孔基片的上表面、下表面及其通孔内分别沉积生长金刚石膜，最后获得金刚石复合片。本发明提供一种高硬度、高导热率、高绝缘电阻、低介电常数、高化学稳定性的复合片，在很多场合可以作为多晶金刚石自支持片的替代材料。

公开(公告)号：CN112531016A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN202011390787.9

申请日：2020-12-02

Applicant: 北京大学东莞光电研究院

Inventor： 王琦 ,  梁智文 ,  张国义

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，尤指一种无界面漏电抑制频射损耗衬底、器件及制备方法，该衬底包括硅衬底、掩膜介质层和氮化铝层，在硅衬底上生长出掩膜介质层；并对掩膜介质层进行图形化处理；在图形化处理后的掩膜介质层上生长出氮化铝层；而器件包括上述衬底，通过在无界面漏电抑制频射损耗衬底上依次生长出AlxGa1‑xN层、氮化镓沟道层、InxAl1‑xN势垒层，来得到该器件。本发明通过图形化的掩膜介质层使得氮化铝层在硅衬底里面实现了不连续扩散，保持原高阻硅的高硅特性，解决硅上氮化镓高频器的界面的漏电通道；接着根据应力情况进行外延结构的生长，从而实现硅上氮化射频材料制备。

公开(公告)号：CN112531015A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN202011387036.1

申请日：2020-12-02

Applicant: 北京大学东莞光电研究院

Inventor： 王琦 ,  梁智文 ,  王新强 ,  张国义

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，尤指一种低损耗氮化镓射频材料外延结构及制备方法，在硅衬底依次外延生长有缓冲层、氮化镓沟道层、N型低掺杂氮化镓层、势垒层及氨化物帽层即得到低损耗氮化镓射频材料外延结构。本发明在势垒层下面增加的N型低掺杂氮化镓层，由于N型低掺杂氮化镓层的方阻比二维电子气的方阻低，在正常开态情况下，参与导通的功能很弱，但从关态到开态的过程，此层的电子可以补充二维电子气浓度的降低；其次从缓冲层的回迁到异质界面的电子能快速通过此层，达到快速补充异质结界面二维电子气的作用；故通过增加N型低掺杂氮化镓层可以最大限度降低动态过程中二维电子气浓度，从而达到了降低射频损耗。

公开(公告)号：CN111863960A

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN202010724259.6

申请日：2020-07-24

Applicant: 北京大学东莞光电研究院

Inventor： 梁智文 ,  杨倩倩 ,  张法碧 ,  王琦 ,  汪青 ,  张国义

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种基于高K材料的品型栅AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及制备方法，该高电子迁移率晶体管包括衬底、AlN成核层、GaN缓冲层、AlN插入、AlGaN势垒层、源极、漏极和栅介质层，该栅介质层包括介电常数不同的第一介质材料层与第二介质材料层横向连接组成的界面过渡层和介电常数大于Al2O3的高K介质层。本发明采用了品型栅介质层结构，提高了栅介质层的介电常数，增强栅电容对沟道电子的控制力，有效减小了栅极泄漏电流；界面过渡层增加了栅介质与AlGaN势垒层的导带偏移量，改善了栅介质层与势垒层的界面质量，并且减小了采用高K材料作栅介质层带来的大的栅电容，使器件的频率特性提升，提高了器件的可靠性。

公开(公告)号：CN111584702A

公开(公告)日：2020-08-25

申请号：CN202010391917.4

申请日：2020-05-11

Applicant: 北京大学东莞光电研究院

Inventor： 郑小平 ,  欧志鹏 ,  梁智文 ,  童玉珍 ,  王琦

IPC: H01L33/62

Abstract: 本发明涉及LED封装技术领域，具体涉及LED光源的封装结构及封装方法，LED光源的封装结构包括基板、附着于基板一侧的基板金锡合金层、安装于基板上的LED芯片、连接基板的透明碗杯及附着于透明碗杯的碗杯金锡合金层，碗杯金锡合金层位于透明碗杯靠近基板金锡合金层的一侧，透明碗杯的中部开设有内腔，内腔具有腔口，内腔开口朝向基板，透明碗杯罩设于LED芯片的外周，且LED芯片位于内腔内，透明碗杯通过基板金锡合金层与碗杯金锡合金层的共晶焊接连接基板。无需有机胶进行化学键合粘接工艺，实现了无机气密封装焊接，提高了LED光源的可靠性，延长了起见的使用寿命。

公开(公告)号：CN111430218A

公开(公告)日：2020-07-17

申请号：CN201910019649.0

申请日：2019-01-09

Applicant: 北京大学东莞光电研究院

Inventor： 刘南柳 ,  王琦 ,  姜永京 ,  徐忱文 ,  张国义

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/683 ,  C30B25/18 ,  C30B29/40

Abstract: 本发明涉及一种自分离制备GaN单晶衬底的方法，其在GaN复合衬底的异质衬底上制造穿孔，将带有穿孔的GaN复合衬底浸没在金属镓与金属助溶剂的混合溶液中、并采用液相外延工艺生长得到GaN厚膜材料，生长过程中，金属助溶剂通过异质衬底的穿孔与GaN外延层界面层接触，一方面通过所述穿孔孔洞腐蚀与异质衬底相连的GaN外延层界面层，促使生长形成的GaN厚膜材料与异质衬底缓慢自分离，得到高质量和大尺寸的GaN单晶衬底，另一方面，金属助溶剂与氮形成中间体，该中间体为金属镓提供氮元素而促使GaN单晶生长，应用于钠流法技术制备时，改善钠流法制备技术中氮的溶解度低及不均匀的问题，提高GaN单晶的晶体质量与生长速率。

公开(公告)号：CN111394792A

公开(公告)日：2020-07-10

申请号：CN202010053354.8

申请日：2020-01-17

Applicant: 北京大学东莞光电研究院

Inventor： 丁雄傑 ,  王忠强 ,  王琦 ,  张国义

IPC: C30B28/14 ,  C30B29/04 ,  C30B29/64 ,  C23C16/27 ,  C23C16/458 ,  C23C16/511

Abstract: 本发明涉及晶体合成技术领域，具体涉及一种生长金刚石多晶膜用样品托及金刚石多晶膜生长方法，本发明的样品托顶部开设有用于放置衬底的容置槽，样品托底部设有由若干个同心圆环间隔分布形成的花纹，若干个同心圆环包括有实心圆环带和空心圆环带，本发明的样品托采用非对称式底部花纹，利用非均匀的底部散热来补偿由于等离子体球倾斜或偏移所导致的金刚石生长衬底的受热不均匀，可实现大面积金刚石多晶膜的高质量均匀生长；本发明的生长方法，采用上述结构的样品托进行生长，工艺简单，容易生长，可实现大面积金刚石多晶膜的高质量均匀生长。