公开(公告)号：CN111863960A

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN202010724259.6

申请日：2020-07-24

Applicant: 北京大学东莞光电研究院

Inventor： 梁智文 ,  杨倩倩 ,  张法碧 ,  王琦 ,  汪青 ,  张国义

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种基于高K材料的品型栅AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及制备方法，该高电子迁移率晶体管包括衬底、AlN成核层、GaN缓冲层、AlN插入、AlGaN势垒层、源极、漏极和栅介质层，该栅介质层包括介电常数不同的第一介质材料层与第二介质材料层横向连接组成的界面过渡层和介电常数大于Al2O3的高K介质层。本发明采用了品型栅介质层结构，提高了栅介质层的介电常数，增强栅电容对沟道电子的控制力，有效减小了栅极泄漏电流；界面过渡层增加了栅介质与AlGaN势垒层的导带偏移量，改善了栅介质层与势垒层的界面质量，并且减小了采用高K材料作栅介质层带来的大的栅电容，使器件的频率特性提升，提高了器件的可靠性。