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公开(公告)号：CN114827381A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210754766.3
申请日：2022-06-30
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明涉及基于条件标准化流模型的强鲁棒性图像隐写方法，包括步骤：S1.构建流模型单元：对输入的宿主图像和隐藏图像进行分布变换，转化为高频冗余信息和容器图像；S2.构造分布映射模块：建模高频冗余信息在容器图像条件依赖下的分布，将其映射到标准正态分布以隐式保存有价值的隐藏信息；S3.构造失真模拟单元：在模型训练过程中仿真各类失真干扰的影响；S4.构造图像增强模块：对受干扰的容器图像进行初步增强去噪处理；以及S5.构造条件调制模块：以干扰强度和类型为条件，调制流模型单元的网络参数。本发明方法解决当前图像隐写术在鲁棒性和还原质量、隐写容量上的缺陷和不足，解决之前基于学习的隐写术在受到失真干扰时性能大幅下降的问题。
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公开(公告)号：CN113992920A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111239880.4
申请日：2021-10-25
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 一种基于深度展开网络的视频压缩感知重建方法，包括如下步骤：S1.构造训练数据集：训练数据集由多个数据对构成，每个数据对由多帧压缩而成的观测帧和相应的未经压缩的多帧构成；S2.构造深度展开网络：将优化压缩感知的半二次分裂算法展开为深度展开网络，并加入稠密特征融合技术；S3.训练深度展开网络：基于训练数据集，给定损失函数，使用反向传播和梯度下降算法不断优化深度展开网络中的参数，直至损失函数稳定；以及S4.应用训练好的深度展开网络进行视频压缩感知重建过程：输入为压缩而成的观测帧和采样矩阵，输出为重建的视频多帧。该方法具有良好的可解释性，而且在保证较快重建速度的前提下能达到很高的重建精度。
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公开(公告)号：CN113901922A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202111180384.6
申请日：2021-10-11
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 一种基于隐式表征解耦网络的遮挡行人重识别方法，包括：进行行人图片输入、遮挡样本增强，以及行人图片的预处理；行人特征提取和解耦：用卷积神经网络提取行人图像的紧凑全局特征，并使用Transformer在语义偏好对象查询的引导下，对输入的行人特征解耦，得到行人ID相关特征和ID无关特征；对比特征学习：对行人ID相关的特征与ID无关特征进行相反的判别性约束，将遮挡物及背景噪声从行人特征中分离出来，抑制遮挡对行人匹配的干扰；行人图像检索，使用行人ID相关特征计算查询图像和图像库中图像之间的相似度矩阵并排序，输出排序结果。本发明方法可以自动解耦出行人语义特征同时消除遮挡噪声干扰，在遮挡场景下实现鲁棒的行人特征提取和匹配。
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公开(公告)号：CN109790040B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201780050869.9
申请日：2017-07-14
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 层级结构多级孔沸石及其制备方法；层级结构多级孔沸石的制备方法，包括在湿化学水热合成沸石反应合成液中加入小分子材料，与各原材料一起反应，生成小分子‑沸石复合材料，然后洗涤固体产物，得到层级结构多级孔沸石；小分子材料是分子量低于或等于900道尔顿的有机化合物，小分子材料尺寸小于2nm。采用小分子材料为软模板，能形成孔大小和结构可控的层级结构的多级孔沸石，所制备的多级孔沸石能够实现蛋白质等大分子物质的吸附、有机物转化、生物催化、大尺度离子交换等功能，拓展了沸石应用领域和范围。制备方法简单、易操作、成本低，为大规模生产层级结构的多级孔沸石奠定了基础。
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公开(公告)号：CN113129178A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110515779.0
申请日：2021-05-12
IPC: G06Q50/18 , G06F16/215 , G06N3/00 , G06N3/04 , G06N3/08
Abstract: 本申请涉及一种知识产权服务价值在线评估方法及装置，知识产权服务价值在线评估方法包括获取历史数据；根据历史数据构建知识产权服务价值评估模型；接收测试数据；将测试数据输入所述知识产权服务价值评估模型输出评估结果。本申请可以实现对知识产权的服务价值进行在线评估，促进知识产权交易进行。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109473346B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201811485333.2
申请日：2018-12-06
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/265
Abstract: 本发明涉及一种向砷化镓材料引入杂质并将杂质激活的方法，属于半导体技术领域。该方法首先将砷化镓材料抛光并清洗，得到砷化镓样品；然后在电容耦合等离子体真空发生腔室底部样品台上放置连接射频电源的极板，在极板上放置纯砷化镓片；将杂质源和砷化镓样品放置在纯砷化镓片上，砷化镓样品被杂质源包围，砷化镓样品抛光面朝上；进行电容耦合等离子体处理；最后进行退火处理。本发明在室温下利用CCP向砷化镓材料中引入杂质，杂质种类包括金属和非金属，利用极板上的偏压，使得He+离子破坏了局部砷化镓晶格的周期性。与没有自偏压的等离子体掺杂中的完整砷化镓晶格相比，本发明的方法在较低退火温度和较短退火时间下较易使杂质激活。
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公开(公告)号：CN110627727B
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201810651018.6
申请日：2018-06-22
Applicant: 北京大学
IPC: C07D233/64
Abstract: 本发明涉及一种绿脓杆菌代谢物及其衍生物，其结构通式如I所示。本发明提供的绿脓杆菌代谢物及其衍生物具有特定的立体构型，是一种新型的由革兰氏阴性菌绿脓杆菌分泌的金属载体，能够在金属缺失的环境下帮助绿脓杆菌获取金属离子。基于绿脓杆菌代谢物及其衍生物能够帮助绿脓杆菌获取金属离子的特性，绿脓杆菌代谢物及其衍生物与已知抗生素相连可以产生一种新的高铁霉素类抗生素。本发明还涉及一种绿脓杆菌代谢物及其衍生物的合成方法，该方法提供了具有特定立体构型的绿脓杆菌代谢物及其衍生物的全合成路线，这种模块化的合成路线可应用于类似结构化合物及相关衍生物的化学合成，为新型抗生素类药物开辟了广阔发展空间。
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公开(公告)号：CN110416372B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201910608697.3
申请日：2019-07-08
Applicant: 北京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种面向micro‑LED应用的无损微纳结构的制备方法。本发明通过电子束光刻实现微米或纳米级图形的转移和制备，灵活性强，适用于多种微、纳米器件结构的制备；规避了等离子体刻蚀损伤的引入对材料辐射复合效率的降低作用，有利于进一步提高于光电器件的性能；晶格选择性热化学刻相比传统的半导体刻蚀工艺，获得的位点可控的微米或纳米结构侧壁具有高度陡直性和光滑性，不受刻蚀工艺限制，能够获得不同极性面的位点可控的纳米结构；利用热化学刻蚀工艺制备micro‑LED，无刻蚀损伤引入，改善器件性能，同时兼有现有工艺，能够实现批量生产。
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公开(公告)号：CN109473347A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811485406.8
申请日：2018-12-06
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/265
Abstract: 本发明涉及一种向硅中引入杂质并将杂质激活的方法，属于半导体掺杂技术领域。该方法首先将硅样品抛光并清洗；然后在电容耦合等离子体真空发生腔室底部放置连接射频电源的极板，在极板上放置大硅片；将杂质源和硅样品置于大硅片上，杂质源放置在硅样品周围；进行电容耦合等离子体处理；最后将硅样品进行快速热退火处理，得到掺杂硅样品。本发明的方法能够有效地将杂质激活，等离子体的自偏压能够使氦离子与样品表层晶格发生碰撞，从而局部地破坏硅晶格周期性，而正是由于这一改变，硅样品在快速退火处理中，间隙位的杂质原子在周期性已经被部分破坏的硅中较容易地进入代位位置，从而被有效激活，使空穴浓度上升。
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公开(公告)号：CN109473346A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811485333.2
申请日：2018-12-06
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/265
Abstract: 本发明涉及一种向砷化镓材料引入杂质并将杂质激活的方法，属于半导体技术领域。该方法首先将砷化镓材料抛光并清洗，得到砷化镓样品；然后在电容耦合等离子体真空发生腔室底部样品台上放置连接射频电源的极板，在极板上放置纯砷化镓片；将杂质源和砷化镓样品放置在纯砷化镓片上，砷化镓样品被杂质源包围，砷化镓样品抛光面朝上；进行电容耦合等离子体处理；最后进行退火处理。本发明在室温下利用CCP向砷化镓材料中引入杂质，杂质种类包括金属和非金属，利用极板上的偏压，使得He+离子破坏了局部砷化镓晶格的周期性。与没有自偏压的等离子体掺杂中的完整砷化镓晶格相比，本发明的方法在较低退火温度和较短退火时间下较易使杂质激活。
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