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公开(公告)号：CN111155163A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN202010039006.5
申请日：2020-01-14
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: C25D17/20
Abstract: 本发明涉及电镀加工技术领域，具体涉及一种小型零部件的电镀装置及其电镀方法，本发明的电镀装置包括电镀槽和导电电极，所述电镀槽内设有滚筒，滚筒设有筒盖，筒盖与滚筒盖合连接，滚筒内装设有导电介质和若干个空心球，所述空心球采用密度小于所述导电介质的材料制成，若干个所述空心球可浮于滚筒内导电介质之上，形成悬浮密排层，本发明的电镀装置，通过在滚筒内增加空心球，在滚镀过程中空心球上浮于滚筒内导电介质之上，将上浮的小型零部件撞击反弹沉入导电介质中，从而提高小型零部件与导电介质的充分接触，有效改善其电镀的均匀性；本发明的电镀方法，操作简单，电镀成本低，电镀方便。
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公开(公告)号：CN110690106A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201911008284.8
申请日：2019-10-22
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L21/02 , H01L21/027
Abstract: 本发明涉及半导体材料技术领域，具体涉及一种单晶金刚石芯片的制备方法，本发明首先通过制备芯片沉积模板，并在芯片沉积模板制备设有开窗的掩膜，对芯片沉积模板进行隔离，然后放进CVD反应室，进行N型金刚石外延层生长，完成N型金刚石外延层生长后，接着进行P型外延层生长，然后在芯片沉积模板的背面和P型外延层的外侧进行欧姆接触电极的制备，接着去除掩膜，形成排列于芯片沉积模板的若干个单晶金刚石芯片，本发明的制备方法，解决了金刚石因为材料尺寸太小而不能产业化问题，可直接在隔离后的芯片沉积模板上外延生长成小尺寸的芯片，切割后即可直接封装进行使用。
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公开(公告)号：CN109738458A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201910162017.X
申请日：2019-03-05
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: G01N21/91
Abstract: 本发明涉及一种表面微裂纹检测方法，包括以下步骤：首先，对基材进行加工并去除基材表面的异物；然后，将加工后的基材放入含有环保型染料的溶液中进行染色；接着，将染色后基材表面的环保型染料溶液擦拭去除并干燥；最后，将表面处理干净的基材放置在强光下进行观察，本发明通过染料染色的方式预先在基材表面进行染色处理，使裂纹与基材之间有明显的颜色差异，再在强光下对基材表面进行观察检测，检测更加快捷、准确，彻底改变了现有的裂纹检测方法，并且通过采用环保型染料替代现有的渗透液和显示液，更加环保安全，染色过程中无有毒气体释放，同时，本发明的微裂纹检测方法操作简单、无需使用复杂的设备与仪器，有效降低了检测成本。
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公开(公告)号：CN105274496B
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201410270321.3
申请日：2014-06-17
Applicant: 北京大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/34 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种MOCVD中突变式冲击气流在线生长SiNx掩膜层的方法，其特征是，MOCVD反应腔中突变导致非稳定气流环境下在线生长SiNx掩膜层。在线的SiNx掩膜层是在MOCVD材料生长中一种重要功能层，能大幅提高晶体质量的同时还能实现良好的应力释放效果，尤其在GaN‑On‑Silicon外延中。本发明提供了突变式冲击气流在线生长SiNx掩膜层的方法，打破了MOCVD生长中气流稳定性的要求，利用突变式冲击气流，使得SiNx掩膜层更为零散随机，从而实现更好的位错阻隔功能层的效果，也能很好地释放异质生长中带来的应力。
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公开(公告)号：CN108511349A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810259217.2
申请日：2018-03-27
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L21/48 , H01L23/492 , C04B41/51
Abstract: 一种陶瓷基板的金属化方法，包括步骤：将清洗后的陶瓷基板进行微蚀处理形成微蚀层；将微蚀处理后的陶瓷基板贴上高温分解掩膜并进行贴膜图案化处理，在微蚀层上形成高温分解掩膜层，在该高温分解掩膜层上激光标刻线路，得到导电线路图案；对经过贴膜图案化处理的陶瓷基板喷涂金属粉末，形成导电金属层；将陶瓷基板放入烧结炉进行高温烧结，使金属粉末与陶瓷基板粘结稳固，同时，高温分解掩膜层被高温分解得到图案化的导电金属层；将图案化的导电金属层加厚，得到厚度为5-200μm的加厚导电金属层；最后再对陶瓷基板进行表面处理，得到平整的陶瓷基底导电线路板。本发明既可以减少金属的使用，也可以减少蚀刻带来的环境污染，降低了生产成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105113004A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201510550420.1
申请日：2015-09-01
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种三族氮化物晶体生长装置，包括反应釜，该反应釜内设有晶种模板，所述反应釜与滚动驱动装置连接，该滚动驱动装置带动反应釜转动，滚动驱动装置带动反应釜水平方向滚动，或者与水平方向成倾斜角度方向滚动。本发明有效克服了传统反应装置生长氮化物晶体过程中，N源不足的缺点，可有效避免氮化物晶体存在N空位、晶体质量差、生长速率低等问题。
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公开(公告)号：CN102828239A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210306671.1
申请日：2012-08-24
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种通过缺陷应力去除技术自分离氮化镓单晶材料制备自支撑衬底的方法，降低衬底内部缺陷及残余应力，提高衬底的断裂强度和表面特性。本发明利用缺陷应力去除技术对衬底的内部缺陷及残余应力进行去除，提高衬底的断裂强度和表面特性，在MOCVD中，生长GaN单晶薄膜，于HVPE中进行高质量的GaN单晶厚膜的快速生长，利用GaN和衬底之间的热膨胀系数差，从而获得自分离自支撑GaN衬底。本发明适合于产业化的大批量生产GaN单晶自支撑衬底，可以获得能够满足光电子和微电子器件要求的、高光学和电学性能的、可用于同质外延的GaN单晶自支撑衬底。
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公开(公告)号：CN118516738A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410702870.7
申请日：2024-05-31
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种Ga源自动化补充装置及控制方法，其中Ga源自动化补充装置中的第一导线的第一端与控制器电连接，第一导线的第二端始终浸没在高温熔体中；进液管的第一端与加液装置连通，进液管的第二端浸没在高温熔体内，并且，当高温熔体的液面下降时，进液管的第二端与高温熔体相分离；第二导线的第一端与进液管电连接或进入于进液管内与其内部的Ga液电连接，第二导线的第二端与控制器电连接；第一导线、第二导线、高温熔体、进液管或Ga液以及控制器构成闭合电路，控制器通过闭合电路的电流控制驱动件，驱动件与加液装置连接。上述设计中，利用闭合电路的原理解决GaN晶体生长过程中液相液面下降的问题，确保了GaN晶体质量稳定。
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公开(公告)号：CN118166428A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410288962.5
申请日：2024-03-14
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开一种用于大尺寸氮化镓单晶生长的坩埚装置，包括第一坩埚、及可拆卸式连接于所述第一坩埚内部的籽晶承载件，所述籽晶承载件上设置有衬底。所述籽晶承载件为可拆卸地设置于所述第一坩埚内的第二坩埚、及设置于所述第一坩埚内底部中心的凸台，所述衬底放置于所述凸台的上方；或所述籽晶承载件为设置于所述第一坩埚内底部中心的凹槽、及放置于所述凹槽的载盘，所述衬底放置于所述载盘上。本发明通过籽晶承载件的可拆卸结构设计和尺寸限定，可以实现整个GaN单晶生长过程衬底始终处于坩埚的中轴线上，在实现单晶均匀生长的同时确保单晶生长后容易取出，从而加速晶体材料的生长效率和获得质量较佳的晶体材料。
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公开(公告)号：CN117758367A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311793661.X
申请日：2023-12-22
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种GaN单晶生长装置及GaN单晶生长方法，包括反应釜和储槽；其中，储槽内盛装有熔体；反应釜内的顶部设置有用于将熔体雾化成微小液滴的雾化喷头和用于供氮气进入的进气口，雾化喷头通过第二管道与储槽连通，第二管道上设置有第二循环泵；反应釜内的底部设置有固定盘和第一管道，固定盘上放置有GaN籽晶，第一管道与储槽连通，第一管道上设置有第一循环泵。本发明通过将熔体雾化成微小液滴，使得雾化后的微小液滴可在反应釜的上部与通入的氮气充分的接触，快速实现氮离子的解离与混合，同时储槽的设计将升温过程中的熔体与GaN籽晶进行分离，防止升温不饱和状态熔体对GaN籽晶的腐蚀，影响后续成核，利于大范围推广应用。
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