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公开(公告)号：CN102403044B
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201010275600.0
申请日：2010-09-08
Applicant: 北京大学
IPC: G11C29/56
CPC classification number: G11C29/00 , G11C7/04 , G11C13/00 , G11C13/0007 , G11C13/0035 , G11C13/0069 , G11C29/06 , G11C29/50016 , G11C2013/0073
Abstract: 本申请公开了一种测试RRAM器件的数据保持特性的方法，包括以下步骤：a)控制样品台的温度，将RRAM器件保持为预定的温度；b)将RRAM器件设置为高阻态或低阻态；c)向RRAM器件施加预定的测试电压，使其发生电阻态失效，以测量数据保持时间；d)重复步骤a)-c)，进行多次测量；e)利用多次测量的数据保持时间，计算出RRAM器件的电阻态失效概率F(t)；以及f)对电阻态失效概率F(t)进行拟合，并利用拟合得到的参数进一步计算出预期数据保持时间tE。优选地，利用电压加速和温度加速相结合预测RRAM器件的数据保持时间。该测试方法可以准确且快速地评估RRAM器件的数据保持特性。
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公开(公告)号：CN103794618A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201210434899.9
申请日：2012-11-02
Applicant: 北京大学
Abstract: 本申请公开了一种双极阻变存储器件，包括阻变元件，包括阻变材料层和与阻变材料层接触的至少一个电极，以及反向二极管，包括相反导电类型的两个掺杂区，在两个掺杂区之间的界面上形成pn结，其中，反向二极管与阻变元件串联连接。该双极阻变存储器件利用反向二极管作为访问存储器件的双向开关，并且可以抑制串扰。
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公开(公告)号：CN103778468A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201410021568.1
申请日：2014-01-16
Applicant: 北京大学
IPC: G06N3/063
Abstract: 本发明提供一种神经网络电路，其特征在于，包括：若干个传感器、若干个第一层神经元支路以及第二层神经元支路。每个第一层神经元支路包括：若干个RRAM器件以及第一层神经元。所述传感器用于将图片的颜色转换为电压信号，并将此电压信号传输给所述RRAM器件；所述RRAM器件根据接收到的电压信号产生电流信号，并传输至所述第一层神经元；所述第一层神经元用于对接收到的电流信号进行求和，若神经元被激活，则向后级发射电压脉冲。第二层神经元支路包括权重RRAM器件以及第二层神经元，所述权重RRAM器件将所述第一层神经元与所述第二层神经元连接起来；所述第二层神经元用于汇总若干个所述第一层神经元的电流信号，然后通过运算产生最后的判断结果。
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公开(公告)号：CN103762973A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201310741039.4
申请日：2013-12-27
Applicant: 北京大学
IPC: H03K19/0944
Abstract: 本发明提供一种基于RRAM的可调幅脉冲产生电路及调节其脉冲幅度的方法，包括顺序连接的一个积分器和一个微分器，其特征在于，所述积分器中的输入电阻为一个带有阻值调节电路的第一RRAM，所述微分器中的反馈电阻为一个带有阻值调节电路的第二RRAM。本发明通过利用RRAM多阻态的特点实现了一种可调幅脉冲产生电路，并且可以在任意时刻对产生脉冲的幅度进行修改，通过利用RRAM作为逻辑器件，进一步拓宽了RRAM的应用领域。
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公开(公告)号：CN102683583B
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201110062624.2
申请日：2011-03-15
Applicant: 北京大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种单极阻变存储器及其制造方法。所述单极阻变存储器包括衬底；位于所述衬底上并由导电材料形成的底电极；由储氧能力弱的导电材料形成的顶电极；位于所述底电极和所述顶电极之间的阻变层，其由绝缘性能好且易于形成导电通道的氧化物形成；在所述阻变层与所述顶电极之间还具有储氧层，其由具有导电性且易于热分解释放出氧离子的氧化物形成。本发明的单极阻变存储器提高了器件性能的一致性和耐久性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103501181A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201310460273.X
申请日：2013-09-30
Applicant: 北京大学
IPC: H03M1/12
Abstract: 本发明涉及半导体集成电路及其制造技术领域，公开了一种模数转换装置及模数转换方法。该模数转换装置包括：数据采样保持单元，用于进行数据采样，得到模拟电流信号，并对模拟电流信号进行存储；量化单元，用于数据采样保持单元输出的模拟电流信号进行量化；编码单元，用于对量化单元输出的数据进行编码，得到数字信号；所述数据采样保持单元包括阻变存储器。本发明利用阻变存储器实现模数转换过程中的数据存储(或称为保持)，实验表明，数据保持时间可以长达10年，因此能够保证数据的可靠性，从而也保证了模数转换装置的工作可靠性。另外，本发明的装置结构简单、成本低。
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公开(公告)号：CN103490769A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310479380.7
申请日：2013-10-14
Applicant: 北京大学
IPC: H03K19/177 , H01L21/8247
Abstract: 本发明提供信息存储技术领域中的一种基于RRAM在FPGA中应用的1T1R阵列及其制作方法。本发明包括逻辑电路，用于实现设定的逻辑功能；信号输入电路，和所述逻辑电路连接，为所述逻辑电路提供信号；信号输出电路，用于输出所述逻辑电路的信号；所述逻辑电路之间并联。本发明能够根据需要对逻辑电路进行设定，并通过逻辑电路和信号输出电路的连接关系实现复杂的逻辑功能。
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公开(公告)号：CN102324328B
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201110195043.6
申请日：2011-07-12
Applicant: 北京大学
CPC classification number: Y02E10/542 , Y02E10/549
Abstract: 本发明提供一种大面积制备的染料敏化太阳能电池中复合金属网格与背电极的隔离方法。其包括以下步骤：1)在透明导电玻璃上溅射Ti和Al的复合金属网格；2)利用TiO2浆料采用丝网印刷的方法在透明导电基底上制备TiO2纳米颗粒薄膜；3)将印刷了TiO2浆料的基底加热，使得TiO2浆料中的有机物充分挥发或氧化，利用复合金属网格上层Ti金属的氧化物作为隔离层。本发明提供的方法有效地解决了染料敏华太阳能电池封装中Al金属网格与电解液的隔离，避免了DSSC内部短路的问题；并且采用了价格低廉的Al、Ti金属替代了现有工艺中的Pt、Au等贵重金属，为DSSC进行工业化大生产奠定了坚实的基础。
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公开(公告)号：CN102156625B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201110079815.X
申请日：2011-03-31
Applicant: 北京大学
IPC: G06F7/535
Abstract: 本发明涉及微电子技术领域，公开一种利用阻变器件进行除法计算的方法，包括步骤：设定进位标准为除数a，待施加在余数阻变器件上的脉冲个数为被除数b；将商阻变器件转变为高阻态；将余数阻变器件转变为高阻态；在余数阻变器件上施加a个正脉冲电压，使余数阻变器件转变为相应的低阻态；在商阻变器件上施加一个正脉冲电压，使商阻变器件转变为相应的低阻态，并将余数阻变器件转变为高阻态；当施加完b个脉冲后，商阻变器件的当前阻态相应的已施加的正脉冲电压个数为b/a的商，当前余数阻变器件的阻态相应的已施加的正脉冲电压个数为b/a的余数。本发明的方法是仅通过两个器件就可以实现除法功能，该器件结构简单，便于集成，非常适合大规模生产。
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