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公开(公告)号：CN1536336A
公开(公告)日：2004-10-13
申请号：CN03109492.9
申请日：2003-04-10
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种微悬臂梁传感器及其制作方法，它包括一芯片，其特征在于：所述芯片上设置有至少一组传感单元，所述传感单元由组成惠斯通电桥的四个完全相同的力敏电阻和两个悬臂梁组成，其中两个所述电阻位于所述芯片的衬底上，另外两个电阻分别位于所述两悬臂梁上，其中一个所述悬臂梁作为测量悬臂梁，另一个所述悬臂梁作为参考悬臂梁，所述测量悬臂梁表面设置有敏感层。本发明可以通过正面腐蚀技术和硅～玻璃键合技术将悬臂梁设计、制备在液体可流动的微槽中，以直接用于液态生物分子的检测。本发明无论是应用在气体传感器上，还是生物传感器上，都将在减小器件尺寸、提高器件灵敏度以及实现传感器的多功能性上发挥重要作用。本发明在环境监测，临床的诊断和治疗、新药开发、食品安全、工业加工控制、军事等领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN115118238B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202110309835.5
申请日：2021-03-23
Applicant: 北京大学
IPC: H03F3/45
Abstract: 本发明公开了一种基于SOI工艺的斩波仪表放大器电路,属于集成电路领域。本发明包括斩波调制开关和运算放大器，所述斩波调制开关由SOI NMOS器件和SOI PMOS器件组成，本发明采用部分耗尽SOI器件进行MOS器件的制备，容易调整MOS器件的阈值电压，工艺可操作性高，同时部分耗尽SOI器件在抑制短沟效应和抑制沟道泄漏电流方面有更卓越的表现，在实现多阈值电压和制作体接触方面也体现了充分的便利性。且SOI CMOS的工艺步骤相比体硅CMOS的工艺步骤简单，提高电路的稳定增益和精度。
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公开(公告)号：CN117516786A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311423046.X
申请日：2023-10-30
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及微机电系统和集成电路技术领域，特别是关于一种单芯片集成式三轴力传感器及其制备方法。集成式三轴力传感器由三轴力传感器和电路系统组成，三轴力传感器由应变体、位于应变体中央的受力体、支撑应变体和受力体的框架、以及嵌入于应变体中的力敏电阻组成，能同时检测法向力与剪切力；电路系统实现三轴力传感器信号的高信噪比检测。所述集成式三轴力传感器使用SOI CMOS或者体硅CMOS工艺，以及post‑MEMS工艺把三轴力传感器和电路系统制备在一个芯片上，可显著提高三轴力传感器的信噪比，实现三轴力高分辨率、高线性度、低耦合、低温漂传感检测，还可以减小三轴力传感器的体积、重量和成本。
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公开(公告)号：CN105891609B
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201410816760.X
申请日：2014-12-25
Applicant: 北京大学
IPC: G01R29/08
Abstract: 本发明提出了一种热机械式电磁辐射探测器，该电磁辐射探测器由超材料吸波体、支腿和衬底组成，采用表面牺牲层工艺制备在透明衬底上，形成支腿支撑超材料吸波体的悬空可动结构。在进行探测成像时，入射到超材料吸波体上的电磁波能量被转化为热能，支腿在温度变化后发生弯曲；另有一束可见光穿过透明衬底入射到超材料吸波体的反射镜面上，用于读出超材料吸波体的偏转角度变化和分布，实现对电磁波的探测成像。本发明提供的电磁辐射探测器具有灵敏度和分辨率高，可靠性和均匀性好，以及低成本和制备工艺简单等突出优点，可以作为探测器单个独立工作，也可以排布成阵列作为成像器件工作，可根据被探测电磁波的波长和实际应用要求进行灵活设计。
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公开(公告)号：CN101995295B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200910090545.5
申请日：2009-08-19
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开一种非制冷红外焦平面阵列及其制备方法与应用。该红外焦平面阵列，由微悬臂梁像元阵列、支撑所述微悬臂梁像元阵列的衬底和位于所述衬底上的电路组成；其中，所述微悬臂梁像元阵列由红外吸收面、悬臂梁支腿、MOSFET器件、输出引线和支撑锚点组成。本发明提供的红外焦平面阵列没有任何的特殊工艺，具有易于与IC实现单片集成的优点，适于工业大批量制备，易得到不同精度需求的产品。并为高分辨率提供了极大的提升空间，极大的简化了电路规模和设计成本，为大规模产业化提供了可行的设计方案。
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公开(公告)号：CN102157371B
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201110070920.7
申请日：2011-03-23
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/306
Abstract: 本发明公开了一种制作单晶硅纳米结构的方法，首先根据单晶硅纳米结构的图形在硅衬底上光刻，定义微米级线宽的掩膜图形；然后通过离子注入在掩膜图形外形成重掺杂区域；接着高温退火使注入的离子扩散进入掩膜图形下面的硅材料中，形成中度掺杂区域，将掩膜图形下低掺杂浓度区域的线宽减小至纳米量级；最后用HNA溶液选择性腐蚀掉中度掺杂区域内的硅，得到低掺杂浓度的单晶硅纳米结构。本发明的方法不仅具备MEMS工艺与IC工艺兼容性好、操作方便、成本低廉、便于大规模生产等优点，而且相对于利用侧墙和光刻胶灰化技术的纳米结构制作方法，拥有更好的线宽可控性。
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公开(公告)号：CN101767766A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN201010103876.0
申请日：2010-01-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种微纳机电器件中纳米间隙的制作方法。该方法首先在硅基材上形成一半硬掩膜图形，然后淀积纳米厚度的多晶硅，在第一半硬掩膜侧面形成多晶硅侧壁，再在多晶硅侧壁的另一侧形成第二半硬掩膜，最后利用各向异性刻蚀对硅和硬掩膜的高刻蚀选择比刻蚀硅，刻蚀沿着夹在第一和第二半硬掩膜间的多晶硅侧壁进行，直至刻蚀硅基材至所需深度，形成纳米间隙。本发明提出的纳米间隙制作工艺简单、可靠，可应用于多种微纳机电器件的制备，例如纳隙电容式谐振器的制备。
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公开(公告)号：CN101211861A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200610170724.6
申请日：2006-12-26
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种基于SOI技术的集成微传感器的制备方法，属于微机电系统和集成电路技术领域。该方法基于Post－CMOS或Intermediate－CMOS工艺，利用SOI CMOS工艺和SOI微机械加工技术，在SOI硅片上实现微传感器阵列与信号调理等电路的单片集成。本发明工艺简单、加工成本低、体积小、可靠性高，该集成传感器在医学、环境、食品、军事等领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN101150300A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200710121861.5
申请日：2007-09-17
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种制备平面电容谐振器的方法，包括如下步骤：1)在硅片上LPCVD一层氮化硅层，第一次光刻并RIE刻蚀氮化硅层；2)第二次光刻，并以该光刻胶作为掩膜，在感应耦合等离子体系统中各向异性干法刻蚀硅，形成深槽；3)对刻蚀后的硅片氧化，然后湿法腐蚀掉氧化层，以平坦化刻蚀后的硅结构侧壁；4)LPCVD并刻蚀SiO2，在深槽侧壁形成自对准氧化层；5)LPCVD多晶硅，光刻并刻蚀多晶硅，形成多晶硅传感电极和驱动电极；6)先各向异性再各向同性ICP刻蚀硅，悬空谐振体结构；7)HF腐蚀SiO2直到谐振体释放，得到所述平面电容谐振器。
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