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公开(公告)号：CN101150300A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200710121861.5
申请日：2007-09-17
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种制备平面电容谐振器的方法，包括如下步骤：1)在硅片上LPCVD一层氮化硅层，第一次光刻并RIE刻蚀氮化硅层；2)第二次光刻，并以该光刻胶作为掩膜，在感应耦合等离子体系统中各向异性干法刻蚀硅，形成深槽；3)对刻蚀后的硅片氧化，然后湿法腐蚀掉氧化层，以平坦化刻蚀后的硅结构侧壁；4)LPCVD并刻蚀SiO2，在深槽侧壁形成自对准氧化层；5)LPCVD多晶硅，光刻并刻蚀多晶硅，形成多晶硅传感电极和驱动电极；6)先各向异性再各向同性ICP刻蚀硅，悬空谐振体结构；7)HF腐蚀SiO2直到谐振体释放，得到所述平面电容谐振器。
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公开(公告)号：CN101150300B
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN200710121861.5
申请日：2007-09-17
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种制备平面电容谐振器的方法，包括如下步骤：1)在硅片上LPCVD一层氮化硅层，第一次光刻并RIE刻蚀氮化硅层；2)第二次光刻，并以该光刻胶作为掩膜，在感应耦合等离子体系统中各向异性干法刻蚀硅，形成深槽；3)对刻蚀后的硅片氧化，然后湿法腐蚀掉氧化层，以平坦化刻蚀后的硅结构侧壁；4)LPCVD并刻蚀SiO2，在深槽侧壁形成自对准氧化层；5)LPCVD多晶硅，光刻并刻蚀多晶硅，形成多晶硅传感电极和驱动电极；6)先各向异性再各向同性ICP刻蚀硅，悬空谐振体结构；7)HF腐蚀SiO2直到谐振体释放，得到所述平面电容谐振器。
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公开(公告)号：CN100588119C
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200710121563.6
申请日：2007-09-10
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种平面电容谐振器及其制备方法。本发明所提供的平面电容谐振器，包括谐振体、传感电极、驱动电极以及支撑它们的衬底，谐振体是悬空的结构，通过锚点固支在衬底上；传感电极和驱动电极均由极板和焊盘组成，传感电极和驱动电极的极板分别设置在谐振体的两侧，与谐振体之间保持有一定的间隙，两两之间的间隙作为中间介质形成电容结构；传感电极和驱动电极的焊盘固定在绝缘介质层上，焊盘上均设置有金属电极；绝缘介质层固定在衬底上。本发明平面电容谐振器的电容极板间隙在亚100nm，具有极高的动态特性，其谐振频率可超过百MHz，而Q因子可达到105。
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公开(公告)号：CN101127514A
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：CN200710121563.6
申请日：2007-09-10
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种平面电容谐振器及其制备方法。本发明所提供的平面电容谐振器，包括谐振体、传感电极、驱动电极以及支撑它们的衬底，谐振体是悬空的结构，通过锚点固支在衬底上；传感电极和驱动电极均由极板和焊盘组成，传感电极和驱动电极的极板分别设置在谐振体的两侧，与谐振体之间保持有一定的间隙，两两之间的间隙作为中间介质形成电容结构；传感电极和驱动电极的焊盘固定在绝缘介质层上，焊盘上均设置有金属电极；绝缘介质层固定在衬底上。本发明平面电容谐振器的电容极板间隙在亚100nm，具有极高的动态特性，其谐振频率可超过百MHz，而Q因子可达到105。
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