公开(公告)号：CN115118238B

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202110309835.5

申请日：2021-03-23

Applicant: 北京大学

Inventor： 于晓梅 ,  刘意 ,  田源 ,  许佳 ,  缪佳豪

IPC: H03F3/45

Abstract: 本发明公开了一种基于SOI工艺的斩波仪表放大器电路,属于集成电路领域。本发明包括斩波调制开关和运算放大器，所述斩波调制开关由SOI NMOS器件和SOI PMOS器件组成，本发明采用部分耗尽SOI器件进行MOS器件的制备，容易调整MOS器件的阈值电压，工艺可操作性高，同时部分耗尽SOI器件在抑制短沟效应和抑制沟道泄漏电流方面有更卓越的表现，在实现多阈值电压和制作体接触方面也体现了充分的便利性。且SOI CMOS的工艺步骤相比体硅CMOS的工艺步骤简单，提高电路的稳定增益和精度。

公开(公告)号：CN118294047A

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202410433250.8

申请日：2024-04-11

Applicant: 北京大学

Inventor： 于晓梅 ,  林聪 ,  朱心成 ,  缪佳豪 ,  王学良

IPC: G01L1/22 ,  G01L5/161

Abstract: 本发明公开一种基于岛结构的MEMS多维力传感器，包括应变体、受力体、敏感元件以及支撑应变体的框架，在应变体上方设置凸起的多个岛结构，位于应变体中央和边缘位置，敏感元件设置在上述岛结构的上表面，受力体位于中央位置的岛结构上。当外界力矢量施加在MEMS多维力传感器的受力体上时，受力体传递外力到MEMS多维力传感器的应变体上，使得应变体发生形变，位于应变体上的敏感元件产生相应的输出信号，本发明采用岛结构可以减小由于力传递不对称而引入的应力不对称，从而减小多维力传感器的维间耦合。

公开(公告)号：CN115118238A

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202110309835.5

申请日：2021-03-23

Applicant: 北京大学

Inventor： 于晓梅 ,  刘意 ,  田源 ,  许佳 ,  缪佳豪

IPC: H03F3/45

Abstract: 本发明公开了一种基于SOI工艺的斩波仪表放大器电路,属于集成电路领域。本发明包括斩波调制开关和运算放大器，所述斩波调制开关由SOI NMOS器件和SOI PMOS器件组成，本发明采用部分耗尽SOI器件进行MOS器件的制备，容易调整MOS器件的阈值电压，工艺可操作性高，同时部分耗尽SOI器件在抑制短沟效应和抑制沟道泄漏电流方面有更卓越的表现，在实现多阈值电压和制作体接触方面也体现了充分的便利性。且SOI CMOS的工艺步骤相比体硅CMOS的工艺步骤简单，提高电路的稳定增益和精度。

公开(公告)号：CN114696110A

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202210328361.3

申请日：2022-03-31

Applicant: 北京大学

Inventor： 于晓梅 ,  缪佳豪

IPC: H01Q15/00 ,  H01Q15/23 ,  H01Q3/30

Abstract: 本发明提供了一种偏轴太赫兹超表面反射透镜，属于太赫兹技术领域。该偏轴太赫兹超表面反射透镜包括按一定规则排布的谐振单元阵列；调整谐振单元的结构和尺寸，使其反射相位在0～2π之间梯度改变；对偏轴太赫兹超表面反射透镜的相位进行多级离散化，得到离散后的相位值；利用不同相位的谐振单元和偏轴太赫兹超表面反射透镜的相位分布关系，根据偏轴太赫兹超表面反射透镜特性要求排布谐振单元阵列；当太赫兹波入射到谐振单元阵列反射后，在焦平面上即可形成偏轴聚焦光斑，从而减小反射太赫兹波聚焦时的球差和色差。本超表面反射透镜体积小、制备成本低，可为实现太赫兹系统的小型化应用提供有效手段。