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公开(公告)号：CN115437893A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202210853718.X
申请日：2022-07-11
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开一种基于聚类分析的集成电路单粒子效应软错误仿真方法，步骤包括：应用VPI获取目标集成电路内部结构与资源信息；对获取的集成电路内部单元信息按功能相关性进行聚类，得到一定数量的簇；对每簇内单元进行以20％‑40％比例进行随机抽样，并生成故障节点列表；构建用于故障注入的集成电路单粒子效应软错误数字信号等效模型，以簇为单位对抽样单元进行故障注入，并监测故障注入是否引发芯片软错误；统计抽样单元的软错误概率；将抽样单元故障注入评估得到的软错误概率作为簇软错误概率。基于簇软错误概率实现对芯片整体软错误概率的评估与敏感区域定位。本发明实现了故障注入样本的优化，提升了仿真效率，可用于集成电路单粒子效应敏感性分析。
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公开(公告)号：CN115114885B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211036609.5
申请日：2022-08-29
Applicant: 苏州珂晶达电子有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G06F30/398 , G06F30/394 , G06F30/392
Abstract: 本申请涉及集成电路版图技术领域，具体而言，涉及一种自顶向下的版图层次结构处理方法、装置及存储介质，一定程度上可以解决集成电路版图的处理过程计算量大的问题。本申请实施例通过从初始集成电路版图中获得各初始单元的包围盒；可基于各包围盒的面积，实现从初始单元中筛选出目标单元实现；进一步从目标单元的各第一实例中筛选出有效实例，并满足有效实例位于目标单元的上层单元中，可基于有效实例的可复用区域，其中，可复用区域是有效实例中与上层单元中的第二实例的非重叠区域，实现确定目标集成电路版图。
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公开(公告)号：CN112951302B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202110134691.4
申请日：2021-02-01
Applicant: 北京航空航天大学 , 北京微电子技术研究所
IPC: G11C16/10
Abstract: 本发明提供了一种非易失性存储单元、存储器及设备，包括数据写入模块、第一节点、第二节点、上拉网络、下拉网络和暂存模块；所述数据写入模块分别与所述第一节点和所述第二节点连接，用于分别向所述第一节点和所述第二节点写入第一电平和第二电平；所述上拉网络和所述下拉网络用于保持所述第一节点和所述第二节点的电平；所述暂存模块包括第一磁性存储单元、第二磁性存储单元和加固电路，本发明可以有效避免非易失存储在数据存储和数据备份过程受到SEU干扰，从而提高非易失性存储单元的抗辐射性能及可靠性。
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公开(公告)号：CN111487472B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202010247272.7
申请日：2020-03-31
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种测量单粒子瞬态脉冲宽度的电路结构，包括控制电路、衰减单元、延迟单元、驱动Buffer、计数电路。所述的控制电路用于单粒子瞬态脉冲到来后控制此脉冲传输到由此电路和衰减单元、延迟单元、驱动buffer构成的循环结构中。所述的衰减单元用于减小脉冲宽度，延迟单元用于使循环结构的延时宽度大于脉冲宽度。计数电路利用寄存器和加法器实现对脉冲在循环结构中循环的次数的计数，寄存器的时钟信号由脉冲提供不需额外提供，单粒子瞬态脉冲宽度的测量结果是每次循环衰减的量乘以循环的次数。本发明实现的电路结构，可测范围大，测量精度高。
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公开(公告)号：CN114785323A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210345659.5
申请日：2022-03-31
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H03K3/037 , H03K19/003
Abstract: 本发明公开了一种抗单粒子翻转的掉电数据保持触发器电路，包括：主锁存器电路，用于根据接收到的输入数据信号D和互补时钟信号，输出两路数据信号D_SAVE_1/2；具备掉电贮存功能的从锁存器电路，用于根据接收到的两路数据信号D_SAVE_1/2、互补时钟信号和互补贮存信号，输出两路输出数据信号OUTPUT1/2；输出驱动级缓冲器，用于根据接收到的OUTPUT1或OUTPUT2，生成总输出信号Q；第一反相器，用于输出反相时钟信号CKN；第二反相器，用于输出反相贮存使能信号SAVEN。本发明降低了因单粒子翻转效应造成的电路正常工作和掉电保持状态下存储的数据和状态发生错误的概率，实现掉电数据保持触发器电路在低功耗宇航集成电路中的应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113868043A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111015116.9
申请日：2021-08-31
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种动态可重构芯片的单粒子功能错误测试方法，针对不同功能模块编写对应的测试程序，并按照设计的测试方案进行辐射试验，得到不同测试程序下单粒子功能错误截面联立解得各个独立功能模块的单粒子功能错误截面，为动态可重构芯片的单粒子辐射性能评估提供参考，为动态可重构芯片的抗辐射加固设计提供方向，本发明还公开了一种动态可重构芯片的单粒子功能错误测试系统，包括程控电源模块、上位机控制中心模块和控制区模块，为动态可重构芯片的单粒子功能错误测试方法的实现提供了稳定的测试环境。
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公开(公告)号：CN113791737A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202111079679.4
申请日：2021-09-15
Applicant: 北京航空航天大学 , 北京微电子技术研究所
IPC: G06F3/06
Abstract: 本发明提供一种非易失性存储阵列的软错误检测方法及装置，所述方法包括：获取第一存储单元的存储状态和对应的第二存储单元的存储状态；若判断获知所述第一存储单元的存储状态与对应的第二存储单元的存储状态相同，则终止读取操作；其中，所述第一存储单元与对应的第二存储单元是物理隔离的。所述装置用于执行上述方法。本发明实施例提供的非易失性存储阵列的软错误检测方法及装置，避免读取错误数据，提高了非易失性存储阵列的可靠性。
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公开(公告)号：CN106656156B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201611008894.4
申请日：2016-11-14
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H03K19/0175
Abstract: 本发明涉及一种减小输出信号下降时间的PECL发送器接口电路，第一MOS管、第二MOS管和已有PECL发送器接口电路；第一MOS管的漏极连接已有PECL发送器接口电路的负输出端和第二MOS管的栅极；第一MOS管的源极连接已有PECL发送器接口电路的偏置电压端；第二MOS管的漏极连接已有PECL发送器接口电路的正输出端和第一MOS管的栅极；第二MOS管的源极连接已有PECL发送器接口电路的偏置电压端。本发明利用交叉耦合对管为输出节点等效负载电容提供了一条额外的放电通路，减小了输出信号的下降时间，能够适用于高频率场合，驱动大电容负载。
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公开(公告)号：CN107025331B
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201710119527.X
申请日：2017-03-02
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Inventor： 赵元富 , 郑宏超 , 李哲 , 岳素格 , 王亮 , 李建成 , 陈茂鑫 , 喻贤坤 , 姜柯 , 于春青 , 王汉宁 , 刘琳 , 毕潇 , 杜守刚 , 王煌伟 , 赵旭 , 穆里隆 , 李继华 , 简贵胄 , 初飞 , 祝长民 , 王思聪 , 李月
IPC: G06F30/398
Abstract: 本发明公开了一种存储单元单粒子翻转功能传播率的计算方法及装置。该方法包括：获取仿真输入向量的仿真时间，并统计数字集成电路中预选单一种类的存储单元的数量；统计每个存储单元的单粒子翻转有效生存时间；根据所述单粒子翻转有效生存时间和所述仿真时间，计算每个存储单元的单粒子翻转功能传播率，所述单粒子翻转功能传播率为发生单粒子翻转的存储单元被捕获且传播的概率；利用每个存储单元的单粒子翻转功能传播率和所述数量，计算所述预选单一种类的存储单元的单粒子翻转功能传播率。本发明实现了区分和模拟单粒子翻转效应在不同种类存储单元中的产生、捕获、掩蔽及传导过程，提高集成电路级单粒子翻转效应的仿真准确度的目的。
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公开(公告)号：CN108199698A
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201711332471.2
申请日：2017-12-13
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H03K3/037 , H03K19/003
Abstract: 本发明公开了一种双时钟抗单粒子锁存器电路，其具有两路时钟输入信号，由两路完全相同时钟信号分别控制数据逻辑电路以及具有冗余节点的存储结构，可确保发生在单元内部单粒子瞬态事件时，不会发生单粒子翻转事件。对于发生在单元外部芯片时钟网络上的单粒子瞬态事件时，则可在时钟网络上实现一对滤波器驱动多个双时钟抗单粒子锁存器的时钟树结构，可消除来自于单元外时钟网络上单粒子瞬态脉冲。本发明有效降低单元内、外任意时钟节点以及多个时钟节点上产生单粒子瞬态脉冲的概率，且应用本发明锁存器的集成电路，抗单粒子瞬态加固电路(晶体管数量)的引入数量上要远小于传统加固设计，具有功耗低、速度快、面积小的低开销特点。
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