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公开(公告)号：CN113699495A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202110684599.5
申请日：2021-06-21
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种磁控溅射组件，包括固定盘、旋转驱动机构和设置在固定盘上的磁控管，旋转驱动机构用于驱动固定盘旋转，磁控管包括多个磁极，多个磁极沿多条互相嵌套的螺旋状曲线依次排列，沿任一螺旋状曲线排列的多个磁极的极性与沿相邻的螺旋状曲线排列的多个磁极的极性相反，且沿任一螺旋状曲线排列的多个磁极中位于曲线中心的至少一个磁极的极性与其他磁极的极性相反。本发明提供的技术方案提高了磁控管旋转产生的磁场的场强分布均匀性，进而提高了磁控溅射反应中薄膜沉积速率的均匀性。本发明还提供一种磁控溅射设备和磁控溅射方法。
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公开(公告)号：CN113451188A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110714585.3
申请日：2021-06-25
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor： 耿宏伟
IPC: H01L21/677 , C23C14/22
Abstract: 本申请公开了一种反应腔室、半导体工艺设备及半导体工艺方法，涉及半导体工艺领域。一种反应腔室包括：腔室主体；承载机构，设置在所述腔室主体中，用于承载晶圆；第一传输机构，设置在所述腔室主体中，用于在所述承载机构与所述腔室主体内的第一容纳区域之间传输晶圆；第二传输机构，设置在所述腔室主体中，用于在所述承载机构与所述腔室主体内的第二容纳区域之间传输工艺遮挡件。一种半导体工艺设备包括上述反应腔室。一种半导体工艺方法应用于上述半导体工艺设备。本申请能够解决在进行多种薄膜沉积工艺过程中，由于晶圆多次传入或传出腔室，导致机械手长时间被占而影响产能等问题。
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公开(公告)号：CN113431910A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110732619.1
申请日：2021-06-30
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor： 耿宏伟
IPC: F16K3/02 , F16K3/30 , F16K27/04 , F16K31/122 , F16K37/00
Abstract: 本发明提供一种用于半导体工艺设备的门阀中位调节装置，半导体工艺设备包括工艺腔室和门阀组件，门阀组件包括阀板和中位调节件，中位调节件用于通过转动来调节阀板处于中位状态时出气口的开度，门阀中位调节装置包括套筒和调节杆，套筒套设在调节杆上，调节杆的第一端用于与中位调节件连接并带动中位调节件绕调节杆的轴线转动；套筒能够在调节杆转动时沿调节杆的轴向进行直线运动，且套筒与调节杆沿轴向的相对位置的变化量与调节杆的旋转角度成正比，门阀中位调节装置上具有位置标识图案，用于量化套筒与调节杆之间相对位置的变化量。本发明提供的门阀中位调节装置能够提高调节工艺腔室压力的调节效率及精确性。本发明还提供一种半导体工艺设备。
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公开(公告)号：CN118854236A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202310484251.0
申请日：2023-04-28
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种氮化铝薄膜的制备方法。采用物理气相沉积设备制备氮化铝薄膜，物理气相沉积设备包括工艺腔室，工艺腔室中设置有基座和位于基座上方的靶材，靶材与激励电源电连接，围绕工艺腔室的侧壁外侧设置有边磁体组件；制备方法包括：开启边磁体组件，在工艺腔室内形成磁场；按照预设流量比值向工艺腔室内通入第一气体和第二气体的混合气体；开启激励电源，激发混合气体形成等离子体，以通过磁场调节等离子体中的离子分布，以使在待沉积件表面沉积的氮化铝薄膜中存在自由电子。本发明可以在待沉积件上沉积能够导电的氮化铝薄膜。
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公开(公告)号：CN117832118A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202211201718.8
申请日：2022-09-29
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本申请提供一种工艺腔室，在屏蔽内衬的内侧设置了检测装置，对屏蔽内衬上的沉积膜的厚度进行在线检测。从而在不打开工艺腔的情况下，准确确定沉积膜的厚度。计算装置接收根据沉积膜的厚度生成的检测信号，并根据检测信号确定屏蔽内衬的使用状态。工艺腔室通过检测沉积膜厚度的方式确定屏蔽内衬的使用状态，进而可以及时发现屏蔽内衬的使用寿命耗尽，提高了屏蔽内衬使用寿命确定的准确性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112289708B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202011055119.0
申请日：2020-09-29
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor： 耿宏伟
Abstract: 本发明公开了一种温度调节速率控制装置、方法及半导体设备。该装置包括：温度监测单元，用于实时获取位于工艺腔室内待处理件的温度；控制器，用于根据温度监测单元获取的温度计算待处理件的温度调节速率，若温度调节速率在设定的温度调节速率范围之外，则向充气机构发送第一控制信号和/或向抽气机构发送第二控制信号，直至温度调节速率位于温度调节速率范围内；充气机构，用于根据接收到的第一控制信号向工艺腔室内通入气体，以通过调整气压来控制待处理件的温度调节速率；抽气机构，用于根据接收到的第二控制信号进行抽气，以通过调整气压来控制待处理件的温度调节速率。本发明实现对硅片降温速率的精确控制，且可避免颗粒污染问题。
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公开(公告)号：CN114959609A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210576577.1
申请日：2022-05-25
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体工艺腔室，包括腔体、基座、遮挡盘、转移机构、控制装置和检测组件，转移机构用于将遮挡盘由停车工位转移至基座上方或将其转移至停车工位，检测组件用于检测遮挡盘的表面粗糙度，控制装置用于根据检测组件检测得到的遮挡盘的表面粗糙度小于预设粗糙度阈值时，判断遮挡盘是否需更换。在本发明中，控制装置能够在每次使用遮挡盘后，获取检测组件检测得到的表面粗糙度数值，从而可以在线实时掌握检测组件的实际使用情况，在遮挡盘达到预期使用寿命时及时更换遮挡盘，避免由遮挡盘上掉落的颗粒对产品造成影响，并且，还能够有效避免因计算误差而过早更换遮挡盘，从而降低设备使用成本。本发明还提供一种遮挡盘监测方法。
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公开(公告)号：CN110544646B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN201811020733.6
申请日：2018-09-03
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 一种加热基座、工艺腔室及退火方法，加热基座包括基座主体，基座主体的上表面设有多个凸台，基座主体的上表面设有匀流槽，基座主体内设有气体通道，气体通道的一端与匀流槽连通。保护气体可沿环形的匀流槽扩散到基座主体的整个上表面，从而在基座主体的上表面形成气体保护层，防止有机物进入基片与基座主体之间的缝隙，避免基座主体表面污染。
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公开(公告)号：CN112289708A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202011055119.0
申请日：2020-09-29
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor： 耿宏伟
Abstract: 本发明公开了一种温度调节速率控制装置、方法及半导体设备。该装置包括：温度监测单元，用于实时获取位于工艺腔室内待处理件的温度；控制器，用于根据温度监测单元获取的温度计算待处理件的温度调节速率，若温度调节速率在设定的温度调节速率范围之外，则向充气机构发送第一控制信号和/或向抽气机构发送第二控制信号，直至温度调节速率位于温度调节速率范围内；充气机构，用于根据接收到的第一控制信号向工艺腔室内通入气体，以通过调整气压来控制待处理件的温度调节速率；抽气机构，用于根据接收到的第二控制信号进行抽气，以通过调整气压来控制待处理件的温度调节速率。本发明实现对硅片降温速率的精确控制，且可避免颗粒污染问题。
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公开(公告)号：CN112017934A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201910470037.3
申请日：2019-05-29
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种压力控制方法及系统，用于对传输平台中的腔室进行压力控制，该方法包括以下步骤：S1：对所述腔室进行本底抽气，直至所述腔室的压力达到预设本底压力值；S2：向所述腔室充气，在第一设定时间后停止充气；S3：以预定抽气速度对所述腔室进行抽气，直至所述腔室中的压力达到目标压力值为止。通过本发明，降低了传输平台的压力控制成本。
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