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发明公开
氮化铝薄膜的制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN118854236A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202310484251.0

申请日：2023-04-28

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 耿宏伟 , 杨帆 , 李庆明 , 白锡春

IPC: C23C14/35 , H01L21/02 , C23C14/06 , C23C14/54

Abstract: 本发明提供一种氮化铝薄膜的制备方法。采用物理气相沉积设备制备氮化铝薄膜，物理气相沉积设备包括工艺腔室，工艺腔室中设置有基座和位于基座上方的靶材，靶材与激励电源电连接，围绕工艺腔室的侧壁外侧设置有边磁体组件；制备方法包括：开启边磁体组件，在工艺腔室内形成磁场；按照预设流量比值向工艺腔室内通入第一气体和第二气体的混合气体；开启激励电源，激发混合气体形成等离子体，以通过磁场调节等离子体中的离子分布，以使在待沉积件表面沉积的氮化铝薄膜中存在自由电子。本发明可以在待沉积件上沉积能够导电的氮化铝薄膜。

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