-
公开(公告)号：CN106653663B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201510742167.X
申请日：2015-11-03
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/673 , H01L21/677
Abstract: 本发明提供一种承载装置及半导体加工设备，其包括托盘和盖板，该托盘包括相互平行的承载面和安装面，其中，承载面用于承载晶片，且在承载面上设置有密封圈，该密封圈的顶端高于承载面，以在晶片的下表面与承载面之间形成密封空间；安装面低于承载面，盖板的下表面与安装面相贴合；在盖板上，且与承载面相对应的位置处设置有通孔，并且在通孔内设置有压爪，压爪的下表面与晶片上表面的边缘区域相贴合。
-
公开(公告)号：CN108461441B
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201710086745.8
申请日：2017-02-17
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor： 王伟
IPC: H01L21/683 , H01L21/687
Abstract: 本发明提供了一种承载装置，用于承载且固定被加工工件，承载装置包括导电层、和叠置于导电层上的绝缘层，绝缘层包括中心体、环形边缘体和凹槽体；在中心体的上表面上设置有凹部，凹部用于放置凹槽体；凹槽体上设置有用于与气源相连的气体凹槽；环形边缘体环绕中心体的侧壁设置；环形边缘体的导热率小于中心体的导热率，和/或，中心体的导热率小于凹槽体的导热率。本发明还提供了一种包括本发明提供的承载装置的工艺腔室。本发明的承载装置和工艺腔室可以提高被加工工件的温度均匀性，从而可以提高工艺均匀性(例如，刻蚀均匀性)。
-
公开(公告)号：CN110289226A
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201810226568.3
申请日：2018-03-19
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种工艺腔室和半导体处理设备。所述工艺腔室包括腔室本体和LED灯源，LED灯源用于朝向腔室本体内的待处理工件发出光线，所述LED灯源包括灯罩和在所述灯罩内设置的至少一个LED芯片，每个所述LED芯片均能够发出预定波长的光线。本发明的工艺腔室，采用至少一个LED芯片作为发光单元，可以使得LED芯片在灯罩内灵活排布，其次，LED芯片的发光效率较高、发热量小、寿命较高，因此维护成本较低。此外，当待处理工件为待处理介质层时，合理选用所需要的预定波长，可以提高对Low-k材料中C-SI，C-H，H-O等键的裂解作用，从而形成SI-O-SI键，可以有效降低介电常数K值，并且可以有效增加Low-k的机械强度。
-
公开(公告)号：CN106971932B
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201610022270.1
申请日：2016-01-13
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor： 王伟
Abstract: 本发明公开了一种反应腔室和半导体设备，腔室的侧壁内覆盖有环形内衬，腔室下方设置有下电极，下电极包括卡盘和与卡盘连接的升降部，卡盘用于承载基片，升降部用于驱动卡盘升降，工艺时，升降部驱动卡盘上升到高位，使得基片被内衬环绕包围；腔室还包括屏蔽部，工艺时，屏蔽部将腔室分为隔离的上腔室和下腔室，卡盘位于上腔室内，升降部位于下腔室内；工艺结束后，升降部驱动卡盘下降到低位，上腔室和下腔室连通。本发明中的反应腔室内工艺时，基片被内衬环绕包围，基片周围的腔室环境对称，从而提高了基片表面工艺条件的一致性，例如等离子体的均匀分布，进而改善刻蚀结果的均匀性。
-
公开(公告)号：CN104347459B
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201310333783.0
申请日：2013-08-02
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor： 王伟
IPC: H01L21/673 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供了一种盖板、承载装置及等离子体加工设备，盖板用于固定置于托盘的各个装片位上的被加工工件，盖板包括盖板本体和固定件，在盖板本体的上表面上设置有第一通孔，第一通孔的数量和位置与装片位的数量和位置一一对应，且每个第一通孔的直径不小于被加工工件的直径，固定件对应每个第一通孔包括采用金属制成的多个压爪，多个压爪与盖板本体连接，且沿第一通孔的周向间隔设置，并且每个压爪的下表面叠置在相应的被加工工件上表面的边缘区域。本发明提供的盖板，其可以在一定程度上增加盖板的强度，从而可以提高盖板的使用寿命，进而可以降低生产成本。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110473814B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN201910826132.2
申请日：2019-09-03
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种内衬结构、反应腔室和半导体加工设备，该内衬结构包括：内衬主体，包括构成阶梯结构的上环部和下环部，且下环部的外径小于上环部的内径；并且，在上环部上设置有用于供被加工工件出入的内衬开口，该内衬开口延伸至上环部的下端；内门，设置在上环部的下方，且内门的内径与上环部的内径相同，并且内门是可升降的，以能够开启或关闭内衬开口。本发明所提供的内衬结构、反应腔室和半导体加工设备的技术方案，不仅可以避免内门与内衬发生刮擦，而且可以保证腔体内壁和内衬内壁的完整性，从而可以提高气流场的均匀性。
-
公开(公告)号：CN115985810A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211519704.0
申请日：2022-11-30
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 本申请实施例提供了一种反应腔室及半导体设备，其中，所述反应腔室包括：反应腔室主体、支架和盖体；所述支架与所述反应腔室主体对接，所述盖体盖设于所述支架的远离所述反应腔室主体的一端；所述支架包括座体部和从所述座体部朝向所述盖体凸出的第一凸起部，所述座体部设有冷却介质通道，所述第一凸起部的朝向所述盖体的端部与所述盖体连接，所述第一凸起部设置有加热器；所述反应腔室主体设置有对接端，所述对接端与所述座体部对接。所述反应腔室能够调控支架的温度，以防止支架的温度过高。
-
公开(公告)号：CN114823272A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210574363.0
申请日：2022-05-25
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本申请公开一种半导体工艺设备，涉及半导体技术领域，半导体工艺设备包括工艺腔室、介质窗、射频腔室和气流引入装置，介质窗设于工艺腔室的上方，射频腔室设置于工艺腔室上方，且介质窗朝向射频腔室的内部，射频腔室设有通气口，在气流引入装置的作用下，外部气体由通气口进入射频腔室内，并在射频腔室内自上而下流向介质窗的控温气流，射频腔室的侧壁开设有散热孔。如此设置，即使介质窗处于高功率射频条件下，采用该半导体工艺设备能够对介质窗快速降温，使介质窗降温至适宜温度范围内。
-
公开(公告)号：CN114050101A
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202210014882.1
申请日：2022-01-07
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本申请公开一种反应腔室及半导体工艺设备，所述反应腔室包括腔体、内门组件和升降机构，其中：所述腔体的内腔设置有内衬，所述内衬设有与所述腔体的侧壁开口相对的传片口；所述升降机构包括连杆和轴套组件，所述连杆穿设于所述腔体的底壁，并与所述内门组件相连，所述连杆用于带动所述内门组件升降移动，以遮挡或者避让所述传片口；所述轴套组件固定设置于所述内腔中，且位于所述传片口的下侧，所述轴套组件邻近所述传片口设置，并套设于所述连杆外侧。上述方案能够解决相关技术中的反应腔室存在的连杆偏斜、维护难度大的问题。
-
公开(公告)号：CN106653673B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201510741733.5
申请日：2015-11-03
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/67 , H01L33/20
Abstract: 本发明提供一种承载装置及半导体加工设备，包括托盘和盖板，在该托盘的上表面设置有第一凸台，且在该第一凸台的上表面设置有第二凸台，该第二凸台的上表面用于承载晶片；在盖板上，且与第二凸台相对应的位置处设置有通孔，第一凸台和第二凸台位于该通孔中，并且在通孔内设置有压爪，该压爪的下表面与晶片上表面的边缘区域相贴合；第二凸台的直径小于晶片的直径，以在晶片底部的边缘区域形成空隙；在第一凸台的上表面设置有密封圈，该密封圈环绕在第二凸台的周围，且顶端高于第二凸台的上表面。本发明提供的承载装置，其不仅可以避免出现晶片碎片的问题，而且还可以提高晶片的温度均匀性和刻蚀均匀性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
54
records
(took 0.039 seconds)
