公开(公告)号：CN1244724A

公开(公告)日：2000-02-16

申请号：CN99111393.4

申请日：1999-07-02

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 岩根正晃 ,  中川克己 ,  西田彰志 ,  浮世典孝 ,  岩崎由希子 ,  水谷匡希

IPC: H01L21/208 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L31/1876 ,  C30B19/02 ,  C30B19/12 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02625 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 晶体硅层外延生长在表面具有多孔硅层的衬底上。通过液相外延进行外延生长时,硅材料溶入高温的熔融液中,然后把将进行外延的硅衬底浸入熔融液中。然后,其温度逐渐降低,由此从熔融液沉积的硅在硅衬底上外延生长。在这个外延中,主平面是(111)平面的衬底被用作硅衬底。这提供了一种晶体硅层在多孔硅层上外延生长而不引起任何非正常生长的过程,该过程的晶体硅层完全覆盖多孔硅层。

公开(公告)号：CN1192055A

公开(公告)日：1998-09-02

申请号：CN97129782.7

申请日：1997-12-26

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 中川克己 ,  米原隆夫 ,  西田彰志 ,  坂口清文

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02032 ,  C30B19/12 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02625 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/3063 ,  H01L21/76251 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78654 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/1804 ,  H01L33/0062 ,  H01L2221/68368 ,  Y02E10/544 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  Y10S438/977

Abstract: 为了达到晶体的高性能和半导体构件的低成本,以便低成本地制造具有高效率和柔软形状的太阳电池,利用下述步骤制造半导体构件,(a)在衬底的表面形成多孔层,(b)把多孔层在高温还原气氛下浸入溶解了用于形成待生长的半导体层的元素的溶液,以便在多孔层表面上生长晶体半导体层,(c)把另一衬底连接在其上形成多孔层和半导体层的衬底表面上,(d)在多孔层从另一衬底分离该衬底。

公开(公告)号：CN1179629A

公开(公告)日：1998-04-22

申请号：CN97119638.9

申请日：1997-09-19

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 西田彰志

IPC: H01L31/18

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  Y10S438/955

Abstract: 在一个模具中熔化和固化金属级品位硅以形成一个片状硅层,并在其上形成一个晶体硅层,从而提供一种便宜的太阳能电池,而不需要一个切片步骤。

公开(公告)号：CN1020025C

公开(公告)日：1993-03-03

申请号：CN90104926.3

申请日：1990-06-16

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 西田彰志 ,  米原隆夫

IPC: H01L21/20 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L21/2007 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1852 ,  H01L31/1876 ,  Y02E10/544 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  Y10S117/913 ,  Y10S148/122

Abstract: 一种制备选择晶体生长基片的方法，该方法包括使具有一层包含具有较高成核密度的第一种材料和一层包含具有比第一种材料成核密度低并迭加在第一层上的第二种材料的基片在包含第二种材料层的所需区域集中施加电场，从而清除该区域使包含第一种材料层暴露出来。

公开(公告)号：CN1312781C

公开(公告)日：2007-04-25

申请号：CN200310117927.5

申请日：1997-12-26

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 中川克已 ,  米原隆夫 ,  西田彰志 ,  坂口清文

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/04 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02032 ,  C30B19/12 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02625 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/3063 ,  H01L21/76251 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78654 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/1804 ,  H01L33/0062 ,  H01L2221/68368 ,  Y02E10/544 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  Y10S438/977

Abstract: 为了达到晶体的高性能和半导体构件的低成本，以便低成本地制造具有高效率和柔软形状的太阳电池，利用下述步骤制造半导体构件，(a)在衬底的表面形成多孔层，(b)把多孔层在高温还原气氛下浸入溶解了用于形成待生长的半导体层的元素的溶液，以便在多孔层表面上生长晶体半导体层，(c)把另一衬底连接在其上形成多孔层和半导体层的衬底表面上，(d)在多孔层从另一衬底分离该衬底。

公开(公告)号：CN1305763C

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN03804814.0

申请日：2003-02-21

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 水谷匡希 ,  石原俊一 ,  中川克己 ,  佐藤宏 ,  吉野豪人 ,  西田彰志 ,  浮世典孝 ,  岩根正晃 ,  岩崎由希子

IPC: C01B33/02 ,  H01L31/04

Abstract: 提供了一种多晶硅衬底的制备方法，这种多晶硅具有作为太阳能电池衬底的优异特性。切割通过定向凝固制成的多晶硅铸锭(10)，使多晶硅衬底(13)的主表面(14)的法线与通过定向凝固制成的多晶硅铸锭(10)的晶粒(11)的纵向基本上垂直。

公开(公告)号：CN1157766C

公开(公告)日：2004-07-14

申请号：CN00132918.9

申请日：2000-09-22

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 中川克己 ,  西田彰志

IPC: H01L21/208 ,  H01L31/04 ,  H01L31/18 ,  C30B19/00

CPC classification number: C30B19/06 ,  C30B19/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02625 ,  H01L21/02628

Abstract: 半导体衬底制造方法，包括在适当控制以便消除缺陷的温度在衬底上液相生长第一半导体层的工序，和在更高温度在第一半导体层上液相生长第二半导体层的工序。太阳电池的制造方法包括对液相生长法制造的半导体衬底的第一和第二层的表面进行阳极氧化的工序。液相生长设备包括熔料存储装置，存储熔料温度改变装置，使含氧衬底与熔料接触的装置，熔料温度可抑制衬底表面上生长的半导体层中所含的堆垛层错。

公开(公告)号：CN1151543C

公开(公告)日：2004-05-26

申请号：CN99111393.4

申请日：1999-07-02

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 岩根正晃 ,  中川克己 ,  西田彰志 ,  浮世典孝 ,  岩崎由希子 ,  水谷匡希

IPC: H01L21/208 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L31/1876 ,  C30B19/02 ,  C30B19/12 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02625 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 晶体硅层外延生长在表面具有多孔硅层的衬底上。通过液相外延进行外延生长时，硅材料溶入高温的熔融液中，然后把将进行外延的硅衬底浸入熔融液中。然后，其温度逐渐降低，由此从熔融液沉积的硅在硅衬底上外延生长。在这个处延中，主平面是(111)平面的衬底被用作硅衬底。这提供了一种晶体硅层在多孔硅层上外延生长而不引起任何非正常生长的过程，该过程的晶体硅层完全覆盖多孔硅层。

公开(公告)号：CN1495915A

公开(公告)日：2004-05-12

申请号：CN200310114912.3

申请日：1999-07-02

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 岩根正晃 ,  中川克已 ,  西田彰志 ,  浮世典孝 ,  岩崎由希子 ,  水谷匡希

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/1876 ,  C30B19/02 ,  C30B19/12 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02625 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种光电转换元件，包括从光入射侧提供的抗反射层、硅层和电极，其中硅层都是外延硅层，并且其中硅层包括从光入射侧提供的n+层和p－层。

公开(公告)号：CN1146957C

公开(公告)日：2004-04-21

申请号：CN00122589.8

申请日：2000-06-16

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 岩崎由希子 ,  米原隆夫 ,  西田彰志 ,  坂口清文 ,  浮世典孝

IPC: H01L21/02 ,  H01L31/04 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/304 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/76259 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68368

Abstract: 在通过支撑元件对由基片上的分离层形成的半导体层进行支撑，并通过对支撑元件施加拉力机械破坏分离层，而形成薄膜半导体时，通过真空吸附和/或静电吸附来固定基片，并从除基片边缘之外的区域开始分离薄膜外延层。由此可提供一种能够以较高产量获得具有优异性质薄膜外延层的方法，并且允许重复使用基片，且在制造半导体基材和太阳能电池时不会因为分离力超过基片的粘接力而抬起基片。