公开(公告)号：CN1163948A

公开(公告)日：1997-11-05

申请号：CN96119282.8

申请日：1996-10-17

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 一濑博文 ,  泽山一平 ,  长谷部明男 ,  村上勉 ,  久松雅哉 ,  新仓谕 ,  上野雪绘

IPC: C25F3/12 ,  H01L21/465 ,  H01L31/042 ,  H01L31/18

CPC classification number: C25F3/14 ,  C25F3/12 ,  H01L31/186 ,  H01L31/1884 ,  H01L31/208 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 刻蚀物体的方法和刻蚀装置，该方法包括：将物体浸入电解液作负电极；设置具有相应图形的相对电极，与物体维持预定间隔；物体和相对电极之间加直流或脉冲电流，将物体上要刻蚀的区域刻蚀成相对应的图形。该刻蚀装置包括：固定基片的基片固定部件；装电解液的电解槽；移动基片固定部件的移动装置；和固定相对电极的相对电极固定部件，使所说相对电极位于固定于基片固定部件上的基片的对面。

公开(公告)号：CN1131824A

公开(公告)日：1996-09-25

申请号：CN95120983.3

申请日：1995-11-03

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 一ノ濑博文 ,  长谷部明男 ,  村上勉 ,  新仓谕 ,  上野雪绘

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/036 ,  H01L31/075 ,  H01L31/042 ,  H01L31/10 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/076 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/022475 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/075 ,  Y02E10/548

Abstract: 一种有高释出电压的光电元件，它能抑制载流子从上电极注入处于发生层的最上层处的p-半导体中。按本发明的光电元件、其中，用“n”表示的n-型半导体层。用“i”表示的i-型半导体层和用“p”表示的p-型层依次叠置于衬底上，构成包含nip结的结构，发生层包括至少一个所设置的这种结构上电极放在位于发生层最上表面上的p-型层上构成光电元件，其特征是位于发生层的最上表面上的p-型层由与i-层连接的含晶第一p-层和与上电极连接的非晶的第二p-层构成。