公开(公告)号：CN102593188B

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201210057047.2

申请日：2008-05-15

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 大藤将人 ,  安部胜美 ,  林享 ,  佐野政史 ,  云见日出也

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1233

Abstract: 本发明涉及反相器。所述反相器包括形成在基板上的多个氧化物半导体薄膜晶体管，其中，所述多个氧化物半导体薄膜晶体管之中的每一个包含选自In、Ga和Zn的至少一种元素，至少两个氧化物半导体薄膜晶体管的沟道层的厚度互不相同，以及所述两个氧化物半导体薄膜晶体管的阈值电压互不相同。

公开(公告)号：CN101667391B

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN200910171390.8

申请日：2009-08-31

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 安部胜美 ,  高桥健治 ,  林享 ,  云见日出也

IPC: G09G3/32 ,  G09F9/33 ,  H04N5/225

CPC classification number: G09G3/325 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2300/0439 ,  G09G2300/0814 ,  G09G2300/0852 ,  G09G2310/0251 ,  G09G2310/0262 ,  G09G2320/0223

Abstract: 本发明公开了一种像素电路、发光显示装置及其驱动方法。一种像素电路至少包括发光元件和薄膜晶体管，薄膜晶体管将根据发光元件的亮度-电流特性控制灰度级的第一电流供应给发光元件，其中，薄膜晶体管具有背栅电极，包括至少驱动时段和写入时段，在驱动时段中，薄膜晶体管将第一电流供应给发光元件，在写入时段中，为了使第一电流在驱动时段期间通过薄膜晶体管，在驱动时段之前，第二电流被写入薄膜晶体管，以及通过改变在驱动时段和写入时段中被施加到背栅电极的电压，使得对薄膜晶体管的栅极电压的电流能力不同。

公开(公告)号：CN102593188A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201210057047.2

申请日：2008-05-15

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 大藤将人 ,  安部胜美 ,  林享 ,  佐野政史 ,  云见日出也

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1233

Abstract: 本发明涉及反相器。所述反相器包括形成在基板上的多个氧化物半导体薄膜晶体管，其中，所述多个氧化物半导体薄膜晶体管之中的每一个包含选自In、Ga和Zn的至少一种元素，至少两个氧化物半导体薄膜晶体管的沟道层的厚度互不相同，以及所述两个氧化物半导体薄膜晶体管的阈值电压互不相同。

公开(公告)号：CN101681927B

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN200880015916.7

申请日：2008-05-15

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 大藤将人 ,  安部胜美 ,  林享 ,  佐野政史 ,  云见日出也

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1233

Abstract: 为了提供可被容易地制造的增强-耗尽(E/D)反相器，在本发明中，提供包含在同一基板上形成的、沟道层包含选自In、Ga和Zn的至少一种元素的氧化物半导体的反相器的制造方法，该反相器是具有多个薄膜晶体管的E/D反相器，该制造方法的特征在于包括以下步骤：形成第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管和第二晶体管的沟道层的厚度互不相同；以及对于第一晶体管和第二晶体管的沟道层中的至少一个执行热处理。

公开(公告)号：CN101960571A

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN200980107330.8

申请日：2009-03-02

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 大藤将人 ,  安部胜美 ,  清水久惠 ,  林享 ,  佐野政史 ,  云见日出也 ,  高井康好 ,  川崎岳彦 ,  金子典夫

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78633

Abstract: 在至少包括半导体的半导体元件的处理方法中，通过用波长比半导体的吸收边波长长的光照射半导体，改变半导体元件的阈值电压。半导体中的隙内状态的面密度为1013cm-2eV-1或更小。带隙可为2eV或更大。半导体可包括从由In、Ga、Zn和Sn构成的组中选择的至少一种。半导体可以是从由非晶In-Ga-Zn-O(IGZO)、非晶In-Zn-O(IZO)和非晶Zn-Sn-O(ZTO)构成的组中选择的一种。光照射可在半导体元件中引起阈值电压偏移，该阈值电压偏移具有与由制造工艺历史、时间相关变化、电应力或热应力导致的阈值电压偏移相反的符号。

公开(公告)号：CN101038729A

公开(公告)日：2007-09-19

申请号：CN200710086340.0

申请日：2007-03-13

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 安部胜美 ,  云见日出也 ,  林享 ,  佐野政史

IPC: G09G3/32 ,  G09G3/30 ,  G09G3/20 ,  H05B33/08 ,  H05B33/14 ,  H05B37/02 ,  G09F9/33

CPC classification number: G09G3/325 ,  G09G2300/0819 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2300/0861 ,  G09G2320/043

Abstract: 提供了利用晶体管的磁滞特性驱动显示元件的像素电路和图像显示装置。该像素电路包括：提供分别从关状态过渡到开状态时和从开状态过渡到关状态时栅极电压值与漏极电流值之间的不同的第一和第二关系的晶体管；被提供有由晶体管控制的电流作为驱动电流的显示元件；及连接到晶体管栅极的电容器元件。第一和第二关系中的一个在用于设置要提供给显示元件的驱动电流的第一期间中使用。而第一和第二关系中的另一个在向显示元件提供驱动电流以进行发光的第二期间中使用。