制备n-型半导体金刚石的方法及n-型半导体金刚石

    公开(公告)号:CN1708834A

    公开(公告)日:2005-12-14

    申请号:CN200380100646.7

    申请日:2003-12-22

    Abstract: 本发明制备n-型半导体金刚石的方法的特征在于,通过向结合有10ppm或以上N的单晶金刚石中注入Li离子,使得其中含有10ppm的Li离子,来制备结合有Li和N的金刚石,或者,在用Li和N离子掺杂单晶金刚石的过程中,注入离子,使得在后注入Li和N浓度各为10ppm或以上处的离子注入深度将会重叠,来制备结合有Li和N的金刚石,然后在800℃或以上至低于1800℃的温度退火金刚石,以电激活Li和N且恢复金刚石的晶体结构。在本发明中,n-型半导体金刚石在从晶体面至相同的深度结合了各为10ppm或以上的Li和N,其中其薄层电阻为107Ω/□或更低。

    金刚石磁传感器
    25.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110325869B

    公开(公告)日:2022-06-24

    申请号:CN201880012808.8

    申请日:2018-02-21

    Abstract: 一种金刚石磁传感器,所述金刚石磁传感器包括:金刚石,所述金刚石包含至少一个NV—中心;微波发生器,所述微波发生器向所述金刚石发射微波;激发光发生器,所述激发光发生器向所述金刚石的NV—中心发射激发光;以及荧光传感器,所述荧光传感器接收从所述金刚石的NV—中心产生的荧光,所述荧光金刚石磁传感器包括模式测量装置,所述模式测量装置基于由所述荧光传感器感测的荧光强度的变化来测量磁场强度的时间变化模式。

    单晶金刚石及其制造方法
    26.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111133134B

    公开(公告)日:2022-06-14

    申请号:CN201880060767.X

    申请日:2018-09-14

    Abstract: 本发明涉及一种单晶金刚石,所述单晶金刚石包含:在观察表面中观察到的杂质总浓度不同的n种类型的区域,所述观察表面与(110)面平行并且具有不大于5μm的表面粗糙度Ra,所述观察表面是通过对所述单晶金刚石的表面进行研磨而得到的,其中n为2或3。所述n种类型的区域各自具有不小于0.1μm2的面积。在所述观察表面上的第一条线、第二条线和第三条线中的至少一条与所述n种类型的区域之间的边界交叉至少四次。所述第一条线、所述第二条线和所述第三条线是与 方向平行并且具有1mm长度的线段。所述第一条线的中点对应于所述观察表面的重心。所述第二条线的中点对应于在 方向上距所述重心300μm的点。所述第三条线的中点对应于在 方向上距所述重心300μm的点。

    单晶金刚石材料、单晶金刚石芯片和穿孔工具

    公开(公告)号:CN107109691B

    公开(公告)日:2021-05-25

    申请号:CN201680006136.0

    申请日:2016-07-22

    Abstract: 在单晶金刚石材料中,非置换型氮原子的浓度为200ppm以下,置换型氮原子的浓度低于所述非置换型氮原子的浓度,并且所述单晶金刚石材料具有偏角为20°以下的晶体生长主表面。在单晶金刚石芯片中,非置换型氮原子的浓度可以为200ppm以下,置换型氮原子的浓度可以低于所述非置换型氮原子的浓度,并且所述单晶金刚石芯片可以具有偏角为20°以下的主表面。一种穿孔工具,其包含单晶金刚石拉丝模,其中在所述单晶金刚石拉丝模中,非置换型氮原子的浓度为200ppm以下,置换型氮原子的浓度低于所述非置换型氮原子的浓度,并且所述单晶金刚石拉丝模具有由‑5以上且5以下的整数密勒指数表示的低指数面,所述低指数面的垂线相对于拉丝用孔的取向的偏角为20°以下。

    金刚石单晶和单晶金刚石工具

    公开(公告)号:CN106884202A

    公开(公告)日:2017-06-23

    申请号:CN201610991581.9

    申请日:2013-06-27

    Abstract: 本发明涉及金刚石单晶和单晶金刚石工具。根据本发明的金刚石单晶是利用化学气相合成法合成的,且对波长为350nm的光具有25cm‑1以上且80cm‑1以下的吸收系数。根据本发明的单晶金刚石工具包含由金刚石单晶制成的刀尖,其中所述金刚石单晶是利用化学气相合成法合成的,且对波长为350nm的光具有25cm‑1以上且80cm‑1以下的吸收系数。根据本发明的金刚石单晶和单晶金刚石工具具有高硬度和高韧性、在工具的制造中易于加工、具有与包含天然金刚石或高温高压合成Ib型金刚石的工具的耐破裂或耐碎裂性相等或更高的耐破裂或耐碎裂性、且在切削时具有长寿命和高抗断裂性。

    单晶金刚石及其制造方法、包含单晶金刚石的工具和包含单晶金刚石的部件

    公开(公告)号:CN106574393A

    公开(公告)日:2017-04-19

    申请号:CN201580039728.8

    申请日:2015-07-22

    Abstract: 在单晶金刚石(20)的晶体生长主表面(20m)的X射线形貌照片中,晶体缺陷点(20dp)的组聚集而存在,各个晶体缺陷点(20dp)是到达所述晶体生长主表面(20m)的晶体缺陷线(20dq)的前端点,所述晶体缺陷线(20dq)表示其中存在晶体缺陷(20d)的线。此外,在所述单晶金刚石(20)中,平行存在多个晶体缺陷线状聚集区域(20r)。在所述多个晶体缺陷线状聚集区域(20r)中,晶体缺陷点(20dp)的组聚集并在相对于一个任意规定方向成30°以内的角的方向上以线状延伸。由此,提供一种单晶金刚石,所述单晶金刚石适合用于切削工具、抛光工具、光学部件、电子部件、半导体材料等。

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