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公开(公告)号：CN107002280B
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201580063761.4
申请日：2015-11-04
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/36 , B24B37/00 , C09K3/14 , C30B33/12 , H01L21/205 , H01L21/304
Abstract: 一种碳化硅基板，其由碳化硅构成，且当用氯气对其主表面进行蚀刻时，在所述主表面中观察到的线性蚀坑组的总长度等于或小于所述基板的直径。
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公开(公告)号：CN106133209A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201580017272.5
申请日：2015-02-09
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/36 , B24B37/10 , C23C16/42 , C30B25/20 , H01L21/205 , H01L21/304
CPC classification number: C30B25/186 , B24B37/042 , C23C16/325 , C30B25/20 , C30B29/36 , H01L21/02378 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02529 , H01L21/02587 , H01L21/0262 , H01L21/02658
Abstract: 碳化硅单晶衬底(1)包括第一主面(1b)和与第一主面(1b)相反的第二主面(1a)。所述第一主面(1b)具有100mm以上的最大直径。所述第一主面(1b)包括第一中心区域(IRb)，所述第一中心区域(IRb)为不包括从外周向内延伸3mm的区域(ORb)的第一主面(1b)。当将所述第一中心区域(IRb)划分为各自具有250μm边长的第一正方形区域时，各个第一正方形区域具有小于0.2nm的算术平均粗糙度(Sa)且具有5原子％以上且小于20原子％的氧浓度。因此，提供有效降低真空吸附失效发生的碳化硅单晶衬底和碳化硅外延衬底以及所述衬底的制造方法。
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公开(公告)号：CN105745364A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201480061900.5
申请日：2014-10-14
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/36 , B24B27/06 , B28D5/04 , C30B33/00 , H01L21/304
CPC classification number: B28D5/045 , B24B27/0633 , C30B23/02 , C30B23/025 , C30B29/36 , C30B33/00 , C30B33/06
Abstract: 提供了一种碳化硅锭(1)，其包括端表面(1a)和与端表面(1a)相反端表面(1b)。在碳化硅锭(1)中，端表面(1a)和端表面(1b)在生长方向上彼此面对，并且所述生长方向上的氮浓度梯度不小于1×1016cm?4且不大于1×1018cm?4。
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公开(公告)号：CN103946431A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201280053966.0
申请日：2012-10-30
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/36 , H01L21/336 , H01L21/66 , H01L29/12 , H01L29/78
CPC classification number: H01L22/10 , H01L21/02378 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02529 , H01L21/049 , H01L22/12 , H01L29/045 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/7802
Abstract: 一种制造碳化硅半导体器件(100)的方法，包括以下步骤。制备具有第一主表面(1)以及第二主表面(2)的碳化硅衬底(80)。在第一主表面(1)上形成电极(112)。碳化硅衬底(80)具有六方晶体结构。第一主表面(1)相对于{0001}面具有±8°或更小的偏离角(OA)。第一主表面(1)具有这种性质：当用具有等于或大于碳化硅的带隙的能量的激发光(LE)照射时，以1×104cm-2或更小的密度在第一主表面(1)中产生在750nm或更大的波长范围内的发光区(3)。由此可以提升碳化硅半导体器件(100)的良率。
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公开(公告)号：CN103578925A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310247103.3
申请日：2013-06-20
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L21/0445 , C30B23/00 , C30B29/36 , C30B33/12 , H01L21/02019 , H01L21/02024 , H01L21/3065 , H01L29/1608
Abstract: 一种制造碳化硅衬底的方法，包括如下步骤：制备由碳化硅制成的晶锭；通过切割所制备的晶锭获得碳化硅衬底；蚀刻碳化硅衬底的硅表面；以及在蚀刻碳化硅衬底之后对碳化硅衬底的蚀刻表面进行抛光。蚀刻碳化硅衬底的硅表面的步骤包括利用氯气从蚀刻区移除形成碳化硅的硅原子的步骤，蚀刻区包括碳化硅衬底的蚀刻主面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102686787A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201180005010.9
申请日：2011-10-12
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/36 , C30B23/06 , H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/47 , H01L29/78 , H01L29/872
CPC classification number: H01L29/7802 , C30B23/00 , C30B29/36 , G01N21/6489 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L29/045 , H01L29/1608 , H01L29/6606 , H01L29/66068 , H01L29/872 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 碳化硅衬底（80）的主表面（M80）在相对于六方晶体的｛0001｝面的偏离方向上以偏离角倾斜。主表面（M80）具有下述特性：在由具有比六方碳化硅的带隙更高的能量的激发光引起的主表面的发射具有超过650nm的波长的光致发光光的区域中，下述区域的数目至多为每1cm21×104，该区域在与偏离方向垂直的方向上具有至多15μm的尺寸并且在平行于偏离方向的方向上具有不大于通过将激发光（LL）在六方碳化硅中的穿透长度除以偏离角的正切获得的值的尺寸。因此，能够减少反向漏电流。
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公开(公告)号：CN114761628B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202080082070.X
申请日：2020-11-10
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/36 , H01L21/304
Abstract: 碳化硅衬底具有第一主面和与第一主面相对的第二主面。碳化硅衬底包含螺旋位错和凹坑，所述凹坑在与第一主面平行的方向上的最大直径为1μm以上且10μm以下。在对第一主面观测螺旋位错和凹坑的情况下，凹坑的数量除以螺旋位错的数量而得到的比率为1％以下。在第一主面中，镁的浓度小于1×1011原子/cm2。
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公开(公告)号：CN113825863B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202080034932.1
申请日：2020-03-19
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/36 , C30B23/06 , C30B33/00 , H01L21/205
Abstract: 碳化硅衬底具有第一主面、第二主面和倒角部。第二主面位于与第一主面相反侧。倒角部与第一主面和第二主面各自连接。所述碳化硅衬底的最大直径为150mm以上。倒角部的表面锰浓度为1×1011原子/cm2以下。
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公开(公告)号：CN111788339B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN201880090463.8
申请日：2018-10-29
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/36
Abstract: 本公开的碳化硅基板为包含第一主表面和位于所述第一主表面的相反侧的第二主表面的碳化硅基板，并且由具有4H多型的碳化硅制成。所述第一主表面的最大直径为140mm以上。所述第一主表面为{0001}面或相对于所述{0001}面以大于0°且小于或等于8°的偏角倾斜的面。在所述第一主表面的平面内，与所述碳化硅基板的拉曼光谱的纵向光学分支的折叠模式相对应的峰的半峰宽的平均值小于2.5cm‑1，并且所述半峰宽的标准偏差为0.06cm‑1以下。
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