公开(公告)号：CN114761628A

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN202080082070.X

申请日：2020-11-10

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 冲田恭子 ,  本家翼 ,  上田俊策

IPC: C30B29/36 ,  H01L21/304

Abstract: 碳化硅衬底具有第一主面和与第一主面相对的第二主面。碳化硅衬底包含螺旋位错和凹坑，所述凹坑在与第一主面平行的方向上的最大直径为1μm以上且10μm以下。在对第一主面观测螺旋位错和凹坑的情况下，凹坑的数量除以螺旋位错的数量而得到的比率为1％以下。在第一主面中，镁的浓度小于1×1011原子/cm2。

公开(公告)号：CN108026664A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680056320.6

申请日：2016-10-12

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 梶直树 ,  上田俊策 ,  堀勉 ,  原田真

IPC: C30B29/36

Abstract: 本发明涉及一种碳化硅基板，其多数载流子密度为1×1017cm‑3以上，使得在除了自主表面的外周起算的距离为5mm以内的区域之外的区域中，通过μ‑PCD分析得到的少数载流子寿命的标准偏差为0.7ns以下。

公开(公告)号：CN114651091B

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202080078036.5

申请日：2020-11-12

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 冲田恭子 ,  本家翼 ,  上田俊策

IPC: C30B29/36 ,  C30B25/20 ,  H01L21/304

Abstract: 将凹坑的数量除以螺旋位错的数量而得到的比率为1％以下。第一主面的表面粗糙度为0.15nm以下。将第一正方区域中，表示碳化硅的拉曼光谱的峰的波数的平均值作为第一波数；将第二正方区域中，表示碳化硅的拉曼光谱的峰的波数的平均值作为第二波数；将第一正方区域中，碳化硅的拉曼光谱的峰的半峰宽的平均值作为第一半峰宽；并且将第二正方区域中，碳化硅的拉曼光谱的峰的半峰宽的平均值作为第二半峰宽，在此情况下，第一波数与第二波数之差的绝对值为0.2cm‑1以下，并且第一半峰宽与第二半峰宽之差的绝对值为0.25cm‑1以下。

公开(公告)号：CN108495957B

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN201780007967.4

申请日：2017-01-30

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 冲田恭子 ,  樱田隆 ,  高须贺英良 ,  上田俊策 ,  佐佐木将 ,  梶直树 ,  三岛英彦 ,  江口宽航

IPC: G01N23/207 ,  C30B29/36

Abstract: 在检测器6配置于[11‑20]方向、在相对于[‑1‑120]方向在±15°以内的方向上用X射线照射包括主面11的中心O的第一测量区域31、以及使用所述检测器测量源自所述第一测量区域31的衍射X射线的情况下，第一强度分布1的最大强度的比例大于或等于1500。在检测器6配置于[‑1100]方向、在相对于[1‑100]方向在±6°以内的方向上用X射线照射所述第一测量区域31、以及使用所述检测器6测量源自所述第一测量区域31的衍射X射线的情况下，第二强度分布2的最大强度的比例大于或等于1500。在所述第一强度分布1指示最大值时的能量的最大值EH1与最小值EL1之差的绝对值小于或等于0.06keV。

公开(公告)号：CN104350187A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201380030120.X

申请日：2013-06-11

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤原伸介 ,  西口太郎 ,  堀勉 ,  大井直树 ,  上田俊策

IPC: C30B29/36 ,  C30B23/02

CPC classification number: C30B23/02 ,  C30B23/00 ,  C30B23/066 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02664

Abstract: 根据本发明所述的制造碳化硅基板的方法具有以下步骤。升华碳化硅原料(8)的一部分。在升华所述碳化硅原料(8)的一部分之后，将具有主面(1A)的种基板(1)配置在成长容器(8)中。通过在成长容器(10)中升华碳化硅原料(8)的剩余部分，从而在种基板(1)的主面(1A)上成长碳化硅晶体(11)。从而可以提供制造具有少量位错的碳化硅基板的方法，其中，抑制了种基板(1)的主面(1A)中的位错的增加。

公开(公告)号：CN114761628B

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202080082070.X

申请日：2020-11-10

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 冲田恭子 ,  本家翼 ,  上田俊策

IPC: C30B29/36 ,  H01L21/304

Abstract: 碳化硅衬底具有第一主面和与第一主面相对的第二主面。碳化硅衬底包含螺旋位错和凹坑，所述凹坑在与第一主面平行的方向上的最大直径为1μm以上且10μm以下。在对第一主面观测螺旋位错和凹坑的情况下，凹坑的数量除以螺旋位错的数量而得到的比率为1％以下。在第一主面中，镁的浓度小于1×1011原子/cm2。

公开(公告)号：CN108026664B

公开(公告)日：2020-11-13

申请号：CN201680056320.6

申请日：2016-10-12

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 梶直树 ,  上田俊策 ,  堀勉 ,  原田真

IPC: C30B29/36

Abstract: 本发明涉及一种碳化硅基板，其多数载流子密度为1×1017cm‑3以上，使得在除了自主表面的外周起算的距离为5mm以内的区域之外的区域中，通过μ‑PCD分析得到的少数载流子寿命的标准偏差为0.7ns以下。

公开(公告)号：CN108026662A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680053607.3

申请日：2016-07-21

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 上田俊策 ,  冲田恭子 ,  原田真

IPC: C30B29/36

Abstract: 碳化硅基板包含碳面侧主面和硅面侧主面。所述碳化硅基板的直径为100mm以上并且厚度为300μm以上。所述碳面侧主面和所述硅面侧主面相对于{0001}面的偏角为4°以下。所述碳面侧主面中的氮浓度高于所述硅面侧主面中的氮浓度，并且所述碳面侧主面与所述硅面侧主面之间的拉曼峰位移之差为0.2cm‑1以下。

公开(公告)号：CN114651091A

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN202080078036.5

申请日：2020-11-12

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 冲田恭子 ,  本家翼 ,  上田俊策

IPC: C30B29/36 ,  C30B25/20 ,  H01L21/304

Abstract: 将凹坑的数量除以螺旋位错的数量而得到的比率为1％以下。第一主面的表面粗糙度为0.15nm以下。将第一正方区域中，表示碳化硅的拉曼光谱的峰的波数的平均值作为第一波数；将第二正方区域中，表示碳化硅的拉曼光谱的峰的波数的平均值作为第二波数；将第一正方区域中，碳化硅的拉曼光谱的峰的半峰宽的平均值作为第一半峰宽；并且将第二正方区域中，碳化硅的拉曼光谱的峰的半峰宽的平均值作为第二半峰宽，在此情况下，第一波数与第二波数之差的绝对值为0.2cm‑1以下，并且第一半峰宽与第二半峰宽之差的绝对值为0.25cm‑1以下。

公开(公告)号：CN108026662B

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201680053607.3

申请日：2016-07-21

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 上田俊策 ,  冲田恭子 ,  原田真

IPC: C30B29/36

Abstract: 碳化硅基板包含碳面侧主面和硅面侧主面。所述碳化硅基板的直径为100mm以上并且厚度为300μm以上。所述碳面侧主面和所述硅面侧主面相对于{0001}面的偏角为4°以下。所述碳面侧主面中的氮浓度高于所述硅面侧主面中的氮浓度，并且所述碳面侧主面与所述硅面侧主面之间的拉曼峰位移之差为0.2cm‑1以下。