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公开(公告)号：CN113282401A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110825659.0
申请日：2021-07-21
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开一种面向物联网异构物体多形态的可重构服务模型，包括相互连接的服务管理系统、微服务云和n个异构物体；所述服务管理系统接收用户指令，并识别管理接入网络的异构物体，根据用户信息直接调用预设服务，或调用微服务云组合执行新的服务，并根据系统当前运行情况管理微服务策略；所述微服务云，异构物体可直接从微服务云端调取所需微服务，以实现固有服务外的功能；所述n个异构物体，可以将固有服务拆分为若干微服务，从而与其他异构物体的微服务形成新的服务组合，实现异构物体的多形态重构。本发明使异构物体的架构和管理策略更加灵活，利用异构物体的空闲资源，突破资源按需分配，服务个性化定制，实现云服务与实体服务的任意转换。
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公开(公告)号：CN117219518B
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202311466364.4
申请日：2023-11-07
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L21/48 , H01L21/768 , H01L23/473 , H01L23/367 , H01L23/48
Abstract: 本公开涉及微流道基板及其制造方法、晶上封装结构及其制造方法。制造微流道基板的方法包括：形成多个延伸入预制基板的导电通道，及形成至少一个延伸入预制基板的金属翅，其中，导电通道和金属翅均从预制基板的第一侧延伸入预制基板，导电通道的长度大于金属翅的长度；形成从第一侧延伸入预制基板的微流道，得到围绕导电通道的第一翅并使金属翅的至少部分外周面暴露于微流道，其中，微流道的深度小于导电通道的长度；形成位于预制基板的第一侧并电连接于导电通道的第一金属层；从预制基板的背向第一侧的第二侧减薄预制基板，得到基板并使导电通道暴露于第二侧；以及形成位于基板的第二侧并电连接于导电通道的第二金属层。实现高效的散热能力。
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公开(公告)号：CN117080352A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311330498.3
申请日：2023-10-16
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种晶上系统封装结构及其制备方法，包括：第一晶圆基板、第二晶圆基板及芯片。第一晶圆基板包括第一衬底和第一互连层，第一衬底的第二面处设有第一微通道。第二晶圆基板与第一晶圆基板堆叠，第二晶圆基板包括第二衬底和第二互连层，第二衬底的第二面处设有第二微通道，第一微通道和第二微通道互相连通形成微通道散热结构。芯片设置在第一互连层，至少部分芯片设置在微通道散热结构对应的位置。第一晶圆基板和第二晶圆基板具有良好的导热性，可以快速散去芯片产生的热量，第一微通道和第二微通道可以实现对多种预制件的精准散热，进一步提高了散热效果，减小温度不均匀性。
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公开(公告)号：CN116631944B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202310912407.0
申请日：2023-07-25
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L21/768 , H01L21/48
Abstract: 本发明公开了一种高温压阻特性试样及含有TSV的异形硅转接板制备方法，本发明使用的方法在制造异形结构时避免了传统的机械划片或激光划片时对硅晶圆可能造成的破裂，通过上表面深刻蚀与下表面减薄相结合的方法，实现了异形结构的自动释放分离。同时，本发明面向高温应用提出了与硅通孔TSV工艺兼容的耐高温欧姆接触电极结构硅/二硅化钛/钛/氮化钛/钛/铜，可以用于300℃以上的高温压阻特性的测量。此外，本发明提出的含有TSV的异形硅转接板有利于入射光纤与硅光器件的端面耦合器对准，实现电‑光‑感的三维异构集成系统。
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公开(公告)号：CN116338413B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310623750.3
申请日：2023-05-30
Applicant: 之江实验室
IPC: G01R31/26
Abstract: 本申请提供一种晶上系统的测试方法及测试装置，该晶上系统的晶圆基板包括若干个互不相连的晶上网络，该测试方法包括：对任一晶上网络施加第一电平信号，同时对余下的晶上网络施加第二电平信号；第一电平信号大于第二电平信号，第一电平信号与第二电平信号之间的压差大于或等于晶圆基板的电源电压，对余下的晶上网络循环执行上述操作；对任一晶上网络输入激励电信号，检测余下的晶上网络的输出电信号并进行电筛选测试，对不符合标准的晶上网络进行标记；对被标记的晶上网络进行修复，若可被修复，则去除标记；若不可被修复，则保留标记。可实现，通过该测试方法筛选出晶圆基板存在的缺陷，确保晶上系统晶圆基板的可靠运行。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115159444B
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211045028.8
申请日：2022-08-30
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种无引线的三维异构集成结构及制造方法，该结构包括密封键合部分、垂直通孔部分和异构集成部分，所述密封键合部分是使用与硅通孔填充材料兼容的材料制作的微电子传感器密封环、光波导密封环、微流道密封环，使用与硅通孔键合工艺兼容的工艺条件实现微电子传感器、光波导通路、微流道的密封键合；所述垂直通孔部分包括电学垂直通孔、光学垂直通孔、微流体垂直通孔；所述异构集成部分是在硅晶圆基板上制作带有重布线层和微凸点的电学互连结构、光学互连结构、冷却液流通结构，并通过使用所述硅晶圆基板、气密键合结构和带有垂直通孔部分的硅通孔转接板实现将不同功能的芯片实现晶上异构三维集成，同时具有局部冷却散热的功能。
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公开(公告)号：CN114823548B
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202210738281.5
申请日：2022-06-28
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开一种面向光电共封装的LGA封装结构，包括外壳和基板，均呈工字型，所述外壳包括底座和压盖，基板设置在底座上，在工字型的基板的桥接处键合连接有光电三维堆叠芯片，所述压盖设置在基板上方，同时预留出光电三维堆叠芯片垂直方向的空间。本发明的结构将光电三维堆叠芯片与基板连接后，插入LGA封装结构中固定即可，发挥了LGA封装密度大、接口丰富、器件拼装紧凑体积小的特点，避免了引线寄生电感产生的噪声及引脚共面性问题而引起的虚焊和焊接不良的问题，具有可靠性高、集成度高的特点；还可以更换芯片重复使用，节约成本，且解决了光学封装与电学封装难以并存的问题，设计新颖，适用于大规模高密度光电芯片的光电共封装。
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公开(公告)号：CN114843250A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210785368.8
申请日：2022-07-06
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L23/544 , B07C5/344 , G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种晶圆级集成系统的测试结构及测试方法，该测试结构是由晶圆衬底和键合在晶圆上的芯粒，以及在晶圆上从芯粒周围引出的芯粒测试电路和通过晶圆互连引出到晶圆外围的系统测试电路组成；其测试方法是利用一次扎针实现对集成芯粒的测试和集成系统的测试。首先，对同质的芯粒进行相应的晶圆级芯片测试，测试结束标记失效的芯粒后，进入下一种类型的同质芯粒测试，完成所有芯粒测试后，根据通过测试的芯粒构建系统链路，对晶圆级集成系统进行系统级测试。利用本发明可以一次扎针就完成对键合芯粒的测试以及晶上集成系统的测试，利用芯粒测试可以筛除失效的芯粒，系统级测试可以确保系统链路的正确性以及整个晶上系统的可靠运行。
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公开(公告)号：CN114823592A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210758528.X
申请日：2022-06-30
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L23/488 , H01L23/367 , H01L21/60
Abstract: 本发明公开一种晶上系统结构及其制备方法，该结构包括晶圆基板、集成芯粒、系统配置板和系统散热模组。所述晶圆基板和集成芯粒通过晶圆基板上表面的晶圆微凸点阵列和集成芯粒下表面的芯粒微凸点阵列键合相连；所述晶圆基板和系统配置板通过晶圆基板上的铜柱阵列和系统配置板下表面的焊盘键合相连；晶圆基板和系统配置板之间设有塑封层，塑封晶圆基板、集成芯粒和铜柱阵列；所述集成芯粒之间通过晶圆基板的顶部设置的重布线层电连接；所述系统配置板通过所述重布线层以及铜柱阵列与集成芯粒电连接；所述系统散热模组贴合在晶圆基板的下表面。本发明解决了SoW制备良率的忧虑和高密度TSV带来的晶圆可靠性的问题。
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公开(公告)号：CN114551409A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210455316.4
申请日：2022-04-28
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L23/552 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种用于提高多芯粒晶圆集成可靠性的混合键合结构和方法，该结构包括：对待键合晶圆的上表面对应芯粒键合区域的介电层和n个待键合芯粒的下表面的介电层进行光刻刻蚀，分别形成晶圆凹槽和芯粒凹槽；在凹槽中沉积TiN阻挡层以及铜的籽晶层，利用电镀生长铜填满凹槽，再利用CMP平整表面，形成晶圆铜壁和芯粒铜壁；将形成铜壁的待键合芯粒与的待键合晶圆对准贴合后进行混合键合，得到预键合晶圆组；将预键合晶圆组进行退火热处理，实现晶圆与芯粒的稳定键合。本发明可以阻隔集成芯粒之间及芯粒内部的电信号干扰，并且对D2W集成的散热有很大提升，避免芯粒工作时热量的局部堆积，提升了键合结果的可靠性。
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