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公开(公告)号：CN110468367A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201910716325.2
申请日：2019-08-05
Applicant: 中国科学院金属研究所
Abstract: 本发明涉及陶瓷涂层的制备技术，具体为一种基于等离子喷涂和冷喷涂技术的IC装备关键零部件表面防护涂层的制备方法，属于半导体集成电路芯片(晶圆)等离子体刻蚀领域。采用等离子喷涂和冷喷涂高速沉积技术，在等离子体刻蚀腔表面形成均匀分布的防护涂层。该防护涂层具有双层复合结构：底层等离子喷涂沉积的金属/Y2O3涂层作为过渡层，能够减少陶瓷涂层与金属基体之间热膨胀系数的差别并提高涂层与基体的结合强度；最外层为高纯Y2O3陶瓷涂层，采用冷喷涂高速沉积将Y2O3陶瓷粉末高速沉积在金属/Y2O3过渡层上。本发明得到(金属/氧化钇)/氧化钇复合涂层，以期达到更优异的抗等离子体侵蚀性能和防护效果。
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公开(公告)号：CN106609369A
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201510695213.5
申请日：2015-10-23
Applicant: 中国科学院金属研究所
IPC: C23C24/04
CPC classification number: C23C24/04
Abstract: 本发明涉及增材制造(AM)俗称3D打印技术领域，具体为一种冷气动力喷涂实现增材制造的方法。采用冷气动力喷涂工艺结合计算机辅助制造实现3D打印技术，区别于其他传统热3D打印技术，所述技术为非热输入型(非熔化)3D打印技术。该技术基于冷气动力喷涂工艺，能够使颗粒在固态状态下高速撞击，通过颗粒强烈的塑性变形沉积实现3D打印增材制造。同时，结合先进计算机辅助制造技术可以制备具有较高精度的复杂工件，在此过程中粉末不发生氧化、烧损、相变、组织变化等现象。从而，解决了高温易相变，易挥发合金、非晶、准晶以及纳米晶等材料无法应用传统热输入型(熔化型)3D打印技术制备工件的难题。
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公开(公告)号：CN102134714B
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201010101620.6
申请日：2010-01-27
Applicant: 中国科学院金属研究所
IPC: C23C24/04
Abstract: 本发明涉及高温防护涂层制备技术，具体为一种氧化铝强化高温防护涂层，以及采用冷喷涂制备氧化铝强化高温防护涂层(TiAl3复合防护涂层)的方法。将氧化铝粉末、纯钛粉、铝粉按摩尔比(1∶1∶1)～(3∶1∶5)机械混合均匀后，用冷喷涂设备直接喷到基材上，随后经过热处理，制备出主要成分为氧化铝-TiAl3的复合涂层。本发明所获涂层主要成分为氧化铝-TiAl3，其孔隙率低，与基材相容性好，结合力强，具有较好的抗高温氧化和环境脆化性能。本发明制备方法采用冷喷涂法，操作简便，成分容易控制，形成涂层质量好。
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公开(公告)号：CN102134714A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201010101620.6
申请日：2010-01-27
Applicant: 中国科学院金属研究所
IPC: C23C24/04
Abstract: 本发明涉及高温防护涂层制备技术，具体为一种氧化铝强化高温防护涂层，以及采用冷喷涂制备氧化铝强化高温防护涂层(TiAl3复合防护涂层)的方法。将氧化铝粉末、纯钛粉、铝粉按摩尔比(1∶1∶1)～(3∶1∶5)机械混合均匀后，用冷喷涂设备直接喷到基材上，随后经过热处理，制备出主要成分为氧化铝-TiAl3的复合涂层。本发明所获涂层主要成分为氧化铝-TiAl3，其孔隙率低，与基材相容性好，结合力强，具有较好的抗高温氧化和环境脆化性能。本发明制备方法采用冷喷涂法，操作简便，成分容易控制，形成涂层质量好。
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公开(公告)号：CN101575101B
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200810011293.8
申请日：2008-05-07
Applicant: 中国科学院金属研究所
IPC: C01B35/14
Abstract: 本发明涉及氨基硼烷制备技术，具体为一种氨基硼烷规模化制备方法。采用反应原料硼氢化物、氨源在有机溶剂中直接合成氨基硼烷，将硼氢化物、氨源、有机溶剂按摩尔比1∶1～3∶1.5～3的配比一次加入到反应釜内进行反应；产物经加压过滤、真空蒸发、真空干燥，获得重量纯度90％以上、收率80％以上的氨基硼烷。本发明有机溶剂经纯化后，加到反应釜中，与预先加入反应釜的硼氢化钠、碳酸铵混合，搅拌，释放出氢气收集；将反应料浆送入过滤机，在氮气保护下加压过滤，滤渣用溶剂充分洗涤后，收集为碳酸钠；洗液与滤液混合送入减压蒸发塔，获得氨基硼烷。因此，本发明反应条件温和，容易控制，所需设备简单，可根据实际需要规模放大生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1150350C
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN01128227.4
申请日：2001-09-29
Applicant: 中国科学院金属研究所
Abstract: 本发明涉及材料的表面化学处理领域，具体地说是钕铁硼永磁材料的化学镀镍磷方法。本发明是镀液以次亚磷酸钠作为还原剂，硫酸镍作为主盐，附加络合剂、加速剂、稳定剂，采用超声波化学镀和二次化学镀方法，利用超声波震荡的机械能，使镀液在金属表面的催化作用下，经控制化学还原法进行的镍磷沉积过程，包括倒角、除油、除锈、活化、超声化学镀、化学镀以及后处理步骤。本发明采用多重络合剂以及加速剂、稳定剂，提高了镀液稳定性，施镀速度可以调节，可以在钕铁硼永磁材料基体表面镀覆一层均匀致密的、无孔隙的镍磷镀层，从而提高钕铁硼永磁材料的使用寿命，应用领域广。
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公开(公告)号：CN1150349C
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN01128224.X
申请日：2001-09-29
Applicant: 中国科学院金属研究所
Abstract: 本发明涉及材料的表面化学处理领域，具体地说是粉末冶金材料超声化学镀镍磷方法。本发明是镀液以次亚磷酸钠作为还原剂，硫酸镍作为主盐，附加络合剂、加速剂、稳定剂，采用超声波化学镀，利用超声波震荡的机械能，使镀液在金属表面的催化作用下，经控制化学还原法进行的镍磷沉积过程，包括除油、除锈、活化、超声化学镀以及后处理步骤。本发明采用多重络合剂以及加速剂、稳定剂，提高了镀液稳定性，施镀速度可以调节，可以在粉末冶金材料基体表面镀覆一层均匀致密的、无孔隙的镍磷镀层，从而提高粉末冶金材料的使用寿命，应用领域广。
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公开(公告)号：CN120026298A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202510512142.4
申请日：2025-04-23
Applicant: 中国科学院金属研究所
IPC: C23C16/32 , C23C16/02 , C30B29/06 , C30B33/00 , C30B33/12 , C23C16/26 , C23C16/448 , C23C16/52 , H01L21/02
Abstract: 本发明属于防护涂层制备技术领域，具体涉及一种在单晶Si基体上一体化制备C缓冲层和SiC防护涂层的化学气相沉积方法。采用热激发式的化学气相沉积系统，选择HMDSO/n‑Hexane体系作为原料并控制其比例，反应腔体内放置石墨棒为辅助碳源，当工作压强为100Pa~1000Pa和工作温度为1000℃~1250℃时，在单晶Si基体表面上沉积出结构致密的C缓冲层和SiC防护涂层。本发明采用的原料价格低廉且无毒无害，反应副产物无毒无害，采用此法可一体化制备C缓冲层和SiC防护涂层，所制备涂层结构致密且与单晶Si基体结合良好，并可以对单晶Si基体起到优异的耐蚀防护作用。
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公开(公告)号：CN117702078A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202211087781.3
申请日：2022-09-07
Applicant: 中国科学院金属研究所
IPC: C23C16/32 , C23C16/455
Abstract: 本发明属于防护涂层制备技术领域，具体涉及一种采用新型原料体系制备纯碳化硅涂层的化学气相沉积方法。采用热激发式化学气相沉积系统，选择HMDSO/n‑Hexane‑H2‑Ar体系并控制前驱体HMDSO与n‑Hexane的比例，通入反应腔体的气体体系选用HMDSO/n‑Hexane‑H2‑Ar体系，在工作压强600～800Pa和温度为1200～1350℃条件下，在基体表面上沉积出结构致密的碳化硅涂层。本发明采用的原料更便宜，并且在制备碳化硅涂层时不会在腔体内产生粉末，提高沉积效率的同时可活得高质量防护涂层，且尾气无毒无害，具有一定的经济性、实用性、环保性，适用于大多数使用环境。
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公开(公告)号：CN113529065B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202010298701.3
申请日：2020-04-16
Applicant: 中国科学院金属研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于冷喷涂高速沉积增材制造技术制备金属铱涂层的方法及装置，属于抗高温氧化涂层制备技术领域。该方法具体采用冷喷涂高速沉积增材制造技术将烘干后的金属铱粉末沉积到经过表面处理的高温合金基体上，从而获得相成分单一、与基体结合良好的纯金属铱防护涂层。结果表明，冷喷涂高速沉积技术是一种制备纯金属铱涂层的有效方法，较现有金属铱涂层制备工艺相比不仅具有涂层厚度大、致密性高、与基体结合力强、防护效果好等特点，同时还具有涂层基本不存在氧化和涂层的内应力为压应力的主要特点，以及可以实现快速增材制造铱涂层、且涂层局部脱落后可进行现场修复等优点。
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