公开(公告)号：CN112090890A

公开(公告)日：2020-12-18

申请号：CN202010752074.6

申请日：2020-07-30

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  真芯(北京)半导体有限责任公司

Inventor： 金在植 ,  张成根 ,  林锺吉 ,  贺晓彬 ,  刘金彪 ,  刘强 ,  李亭亭

IPC: B08B9/08 ,  G03F7/16

Abstract: 本发明公开了一种光刻胶收集杯清理方法及光刻胶收集杯清理设备，光刻胶收集杯清理方法包括预清洗步骤：启动位于光刻胶收集杯内侧的旋转片和位于旋转片下方的清洗液喷嘴，控制清洗液喷嘴向旋转片喷洒清洗液，使清洗液被旋转片溅射在光刻胶收集杯的内侧，以对光刻胶收集杯进行预清洗；以及分区域清洗步骤：控制旋转片变速旋转多次，每次旋转的初始转速不同，每次旋转使清洗液被溅射到光刻胶收集杯上的一个区域，清洗液多次溅射覆盖的区域至少包括光刻胶收集杯的待清洗部位。本实施例通过改变初始转速实现了分区域清洗，通过变速旋转实现了对每个区域进行移动清洗，提高了清洗效果，避免了光刻胶收集杯中残余光刻胶造成后续工艺缺陷。

公开(公告)号：CN112024310A

公开(公告)日：2020-12-04

申请号：CN202010759185.X

申请日：2020-07-31

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  真芯(北京)半导体有限责任公司

Inventor： 张成根 ,  林锺吉 ,  金在植 ,  贺晓彬 ,  刘强 ,  刘金彪 ,  丁明正

IPC: B05C11/10

Abstract: 本申请属于半导体技术领域，具体涉及一种涂胶机的控制方法和涂胶机的控制系统，该涂胶机的控制方法包括选择光刻胶的种类；输入光刻胶的第一需求量；根据第一需求量，计算动力泵的第一喷射时长、喷射压力和第一需求量之间的函数关系。根据发明实施例的涂胶机的控制方法，输入光刻胶的第一需求量，根据第一需求量和动力泵的喷射压力，计算出动力泵喷射第一需求量的光刻胶所需的第一喷射时长，得到第一喷射时长、喷射压力和第一需求量的函数关系，每一个胶瓶所对应的动力泵的函数关系唯一，在对晶圆进行涂胶时，只需要控制动力泵按照第一喷射时长运行即可，无需再次测量流量。

公开(公告)号：CN112015051A

公开(公告)日：2020-12-01

申请号：CN202010702044.4

申请日：2020-07-21

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  真芯(北京)半导体有限责任公司

Inventor： 金在植 ,  张成根 ,  林锺吉 ,  贺晓彬 ,  刘强 ,  刘金彪 ,  丁明正

IPC: G03F7/16 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明公开了一种光刻胶烘烤设备及其自动清洁方法，涉及半导体制造技术领域，该光刻胶烘烤设备包括腔室、供气机构和排气机构，腔室用于放置和加热涂有光刻胶的衬底基板；供气机构包括气泵和供气管路，供气管路连通气泵与腔室，气泵用于向腔室供给气体；排气机构包括与腔室连通的排气管路和安装在排气管路上的喷射真空泵，喷射真空泵用于将气体和污染物颗粒抽取并排出；本发明公开的光刻胶烘烤设备通过供气机构实现了对腔室内污染物颗粒的剥离清理，通过排气机构实现了对污染物颗粒的排出，提高了清洁效率，避免了污染物颗粒对腔室造成污染，避免了污染物颗粒滴落到衬底基板上后可能导致的光刻胶球形缺陷。

公开(公告)号：CN114967346A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202110205894.8

申请日：2021-02-24

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  真芯(北京)半导体有限责任公司

Inventor： 林锺吉 ,  金在植 ,  张成根 ,  金成昱 ,  梁贤石 ,  贺晓彬 ,  刘强 ,  杨涛 ,  李俊峰 ,  王文武

IPC: G03F7/16

Abstract: 本申请属于半导体加工技术领域，具体涉及一种光刻胶涂布方法，光刻胶涂布方法包括：将半导体晶圆放置在装载台上并使半导体晶圆的圆心位于光刻胶喷嘴的正下方；控制装载台带动半导体晶圆旋转，控制光刻胶喷嘴向半导体晶圆的圆心处喷涂光刻胶；控制光刻胶喷嘴的喷涂速率逐渐增加，且当光刻胶喷嘴的喷涂速率达到第一预设值后，控制光刻胶喷嘴的喷涂速率逐渐减小直到半导体晶圆完成喷涂。根据本申请的光刻胶涂布方法，由于半导体晶圆的喷涂初期需要大量的光刻胶，而随着半导体晶圆上被喷涂面积的增加，需要的光刻胶量逐渐减小，本申请通过合理的控制光刻胶喷嘴的喷涂速率，以此减少光刻胶的浪费量。

公开(公告)号：CN112090890B

公开(公告)日：2022-07-19

申请号：CN202010752074.6

申请日：2020-07-30

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  真芯(北京)半导体有限责任公司

Inventor： 金在植 ,  张成根 ,  林锺吉 ,  贺晓彬 ,  刘金彪 ,  刘强 ,  李亭亭

IPC: B08B9/08 ,  G03F7/16

Abstract: 本发明公开了一种光刻胶收集杯清理方法及光刻胶收集杯清理设备，光刻胶收集杯清理方法包括预清洗步骤：启动位于光刻胶收集杯内侧的旋转片和位于旋转片下方的清洗液喷嘴，控制清洗液喷嘴向旋转片喷洒清洗液，使清洗液被旋转片溅射在光刻胶收集杯的内侧，以对光刻胶收集杯进行预清洗；以及分区域清洗步骤：控制旋转片变速旋转多次，每次旋转的初始转速不同，每次旋转使清洗液被溅射到光刻胶收集杯上的一个区域，清洗液多次溅射覆盖的区域至少包括光刻胶收集杯的待清洗部位。本实施例通过改变初始转速实现了分区域清洗，通过变速旋转实现了对每个区域进行移动清洗，提高了清洗效果，避免了光刻胶收集杯中残余光刻胶造成后续工艺缺陷。

公开(公告)号：CN114678286A

公开(公告)日：2022-06-28

申请号：CN202011562875.2

申请日：2020-12-25

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  真芯(北京)半导体有限责任公司

Inventor： 林锺吉 ,  金在植 ,  张成根 ,  丁明正 ,  贺晓彬 ,  刘强 ,  刘金彪 ,  白国斌

IPC: H01L21/66 ,  G06F30/20 ,  G06F119/08

Abstract: 本发明提供的一种晶圆变形的测量方法，涉及半导体技术领域，包括如下步骤：测量晶圆不同区域之间或相同位置不同时段的温度差数据，将该温度差数据与晶圆对应区域的变形值建立相应的标准函数样本；根据所述标准函数样本判断不同晶圆在加热过程中的变形状态。在上述技术方案中，通过上述方式建立温度差数据与变形值相应的标准函数样本以后，就可以确定晶圆的温度与变形之间的函数关系，根据该标准函数样本的对应关系记载，此后仅通过测量晶圆不同区域之间的温度差数据，便可以直接确定晶圆对应区域的变形值，从而判断晶圆晶圆对应区域的变形情况，不必再通过单独的工序对晶圆的变形或翘曲情况进行单独的测量，只需要在加热晶圆时同步完成即可。

公开(公告)号：CN114625156A

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202011434978.0

申请日：2020-12-10

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  真芯(北京)半导体有限责任公司

Inventor： 梁贤石 ,  金成昱 ,  林锺吉 ,  金在植 ,  张成根 ,  贺晓彬 ,  刘强 ,  丁明正 ,  杨涛

IPC: G05D1/10

Abstract: 本申请公开了一种使用无人机的掩模版搬运方法及掩模版搬运系统，该方法包括：建立虚拟的三维直角坐标系，获取无人机的位置坐标和待搬运掩模版的位置坐标；确定无人机移动至待搬运掩模版位置的第一规划路径；控制无人机沿着第一规划路径向待搬运掩模版移动，并实时获取无人机与待搬运掩模版之间的第一相对位置关系数据；当第一相对位置关系数据满足第一预设条件时，控制无人机的机械手抓取待搬运掩模版；抓取到待搬运掩模版后，控制无人机将待搬运掩模版放置到掩模版待放置位置。本公开的方法，采用无人机搬运掩模版，通过路径规划得到最短的无人机搬运路径，无需铺设轨道，占用空间小，大大节省了空间，而且使用方便、快捷灵活，工作效率高。

公开(公告)号：CN114355729A

公开(公告)日：2022-04-15

申请号：CN202011090398.4

申请日：2020-10-13

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  真芯(北京)半导体有限责任公司

Inventor： 金在植 ,  张成根 ,  林锺吉 ,  贺晓彬 ,  李亭亭 ,  刘金彪 ,  杨涛

IPC: G03F7/16

Abstract: 本发明公开了一种光刻胶涂布设备及涂胶显影系统，其中，光刻胶涂布设备包括载台、驱动装置、供胶装置和第一柔性热电模块，其中，载台用于放置待涂布的晶圆；驱动装置与载台连接以带动载台旋转；供胶装置包括用于输送光刻胶的光刻胶管路；第一柔性热电模块用于调节温度，第一柔性热电模块与光刻胶管路连接。本发明提出的光刻胶涂布设备利用第一柔性热电模块对供胶装置的温度进行调节，避免了利用恒温水调温导致的安装不便以及泄露隐患，第一柔性热电模块不仅节省安装空间，而且提高了调温效果。

公开(公告)号：CN113823549A

公开(公告)日：2021-12-21

申请号：CN202010566943.6

申请日：2020-06-19

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  真芯(北京)半导体有限责任公司

Inventor： 金在植 ,  张成根 ,  林锺吉 ,  贺晓彬 ,  丁明正 ,  杨涛 ,  李俊峰 ,  王文武

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明提供的一种半导体结构的制造方法，涉及半导体制造技术领域，包括：提供已完成阱注入的衬底；进行双栅极氧化物沉积；进行氮化硅沉积；在沉积有氮化硅膜的衬底正面、侧面和至少一部分背面形成疏水层。在上述技术方案中，通过在晶圆(即衬底)的背面形成适当的疏水层以后，便可以因晶圆背面的疏水功能有效的降低化学液体对晶圆最外层涂层破损位置的渗透，减少或消除晶圆背面涂层脱落的碎片，使晶圆的正面不受到碎片落入影响，从而提高晶圆的产品良率。

公开(公告)号：CN112017999A

公开(公告)日：2020-12-01

申请号：CN202010762993.1

申请日：2020-07-31

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  真芯(北京)半导体有限责任公司

Inventor： 金在植 ,  张成根 ,  林锺吉 ,  贺晓彬 ,  丁明正 ,  李亭亭 ,  刘金彪

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种晶圆清洗设备及晶圆清洗方法，晶圆清洗设备包括支撑盘、转轴、位置检测器、调整组件、清洗液喷嘴和控制器，支撑盘用于放置和吸附待清洗的晶圆，转轴与支撑盘连接并能够带动支撑盘旋转；位置检测器用于检测和判断晶圆是否偏离设定位置；调整组件用于移动晶圆以调整晶圆的位置；清洗液喷嘴用于向晶圆喷涂清洗液；控制器分别与支撑盘、转轴、位置检测器、调整组件以及清洗液喷嘴信号连接，用于接收位置检测器反馈的信号，以及控制支撑盘、转轴、调整组件以及清洗液喷嘴动作。本发明公开的晶圆清洗设备能够避免晶圆在清洗时因初始位置误差引起的晶边清洗宽窄不对称，进而避免了在后续工艺过程中造成缺陷，提高了产品良率。