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公开(公告)号：CN114345644B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202011091893.7
申请日：2020-10-13
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: B05C11/10
Abstract: 本发明公开了一种光刻胶输送系统，该光刻胶输送系统包括光刻胶供给瓶、缓冲罐和排液胶泵，其中，缓冲罐的顶部设置有进液口和排液口，进液口与光刻胶供给瓶通过进液管路连通，以使光刻胶流入；缓冲罐的底部设置有光刻胶出口，光刻胶出口用于与光刻胶喷嘴连通，以使光刻胶流入光刻胶喷嘴中；排液胶泵与排液口通过排液管路连通，以抽取缓冲罐中的空气。本发明中排液胶泵通过抽取的方式促使光刻胶进入缓冲罐，降低或避免了光刻胶中产生气泡的可能性；而且排液口设置在缓冲罐的顶部，能够将缓冲罐中的空气以及含有气泡的光刻胶抽取出去，不仅避免了浪费大量光刻胶，而且避免了后续光刻胶涂布时由于气泡造成的晶圆缺陷。
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公开(公告)号：CN114433533B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202011218169.6
申请日：2020-11-04
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种光刻胶收集杯清洗设备，该光刻胶收集杯清洗设备包括清洗液喷嘴、旋转装置、清洁组件和控制器，其中，清洗液喷嘴用于喷洒清洗液；旋转装置包括转轴和与转轴连接的旋转盘，旋转盘位于清洗液喷嘴的上方，用于将清洗液溅射到待清洗的光刻胶收集杯的内侧；清洁组件设置在旋转盘内，清洁组件设置成随旋转盘的转动伸出，以清洁光刻胶收集杯；控制器分别与转轴和清洗液喷嘴通信连接。本实施例中清洗液和清洁组件均能够对光刻胶收集杯进行清洗，提高了清洁效果和清洁效率，避免了残余光刻胶因清洗不到位导致的影响后续产品良率。
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公开(公告)号：CN114870628A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202110160738.4
申请日：2021-02-05
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明属于光刻胶涂布技术领域，具体涉及一种过滤装置及具有其的光刻胶涂布系统。所述过滤装置包括：过滤机构所述过滤机构包括过滤件，所述过滤件上设有多个过滤孔；振动机构，所述振动机构与所述过滤机构间歇性接触，所述振动机构用于驱使所述过滤机构振动根据本发明的过滤装置，过滤装置包括过滤机构和振动机构，振动机构与过滤机构连接，当过滤机构内的过滤效率降低时，振动机构驱使过滤机构振动，使夹持在过滤机构上的小气泡脱离原来的位置，从而提高过滤机构的过滤效率。
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公开(公告)号：CN114675493A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202011547731.X
申请日：2020-12-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: G03F7/16
Abstract: 本公开提供一种晶圆晶边清洗装置及方法、光刻胶涂布设备。该晶圆晶边清洗装置包括：旋转卡盘，用于承载晶圆；边缘位置传感器，用于检测所述晶圆的边缘相对于所述旋转卡盘中心的边缘位置坐标；控制单元，用于接收所述边缘位置坐标，并基于所述边缘位置坐标计算所述晶圆的实际尺寸，根据所述晶圆的实际尺寸调整晶边清洗宽度，以根据调整后的晶边清洗宽度进行所述晶圆的晶边光刻胶清洗。本公开中，在清洗晶圆边缘的光刻胶时，通过边缘位置传感器来精确检测晶圆边缘位置坐标，从而能够补正由晶圆尺寸差异引起的晶边清洗宽度差异，避免了生产资源的浪费以及制造成本的增加。
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公开(公告)号：CN114361060A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202011089747.0
申请日：2020-10-13
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种晶圆清洗设备，该晶圆清洗设备包括清洗装置和控制器，清洗装置包括多个可移动的清洗液喷嘴，清洗液喷嘴用于向待清洗的晶圆的晶边喷涂清洗液，各个清洗液喷嘴中的清洗液的成分不同；控制器与清洗装置通信连接，控制器用于根据晶圆上的光刻胶的成分，选择一个或多个清洗液喷嘴向晶圆喷涂清洗液。本实施例提出的晶圆清洗设备通过设置多个清洗液喷嘴喷涂不同成分的清洗液，从而适应多种不同类型的光刻胶，并利用控制器根据光刻胶的成分选择清洗液，并控制对应的清洗液喷嘴移动，进而喷涂清洗液，提高了清洗效果，避免了因清洗液对光刻胶的溶解度低而导致的清洗不完全。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114247677A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202011017830.7
申请日：2020-09-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本申请涉及一种出胶喷嘴的清洗设备及清洗方法。所述出胶喷嘴的清洗设备，包括：清洗槽，在所述清洗槽内形成有多个用于安置出胶喷嘴的容纳腔；喷液部，所述喷液部设置在所述容纳腔的内壁上，用于向安置在所述容纳腔内的出胶喷嘴喷射清洗液；气体发生装置，所述气体发生装置设置在所述容纳腔的底部，所述气体发生装置用于在所述容纳腔的底部生成气体。本申请提出的清洗设备，可以利用喷液部对出胶喷嘴喷射清洗液，出胶喷嘴的端部浸泡在清洗液中，气体发生装置工作时在容纳腔的底部生成大量气泡，一部分气泡进入到出胶喷嘴的内部，并带动出胶喷嘴内部的清洗液翻动，从而对附着在出胶喷嘴内壁上的污染物形成冲击作用，进而清洗掉污染物。
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公开(公告)号：CN114054287A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202010752075.0
申请日：2020-07-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种光刻胶回吸装置、光刻胶涂布设备及光刻胶涂布方法，涉及半导体制造技术领域，其中光刻胶回吸装置包括监测器、通断回吸机构以及控制器，监测器安装在光刻胶涂布设备上，用于监测光刻胶涂布设备中光刻胶喷嘴内的光刻胶液柱；通断回吸机构设置在光刻胶涂布设备的光刻胶管路上，通断回吸机构中的调节组件用于调节光刻胶管路中光刻胶的回吸量，以控制与光刻胶管路连通的光刻胶喷嘴内的光刻胶液柱的位置；控制器分别与监测器和通断回吸机构信号连接，用于接收监测器反馈的信号，以及控制通断回吸机构的开闭。本发明公开的光刻胶回吸装置能够避免光刻胶因距离光刻胶喷嘴的开口过近而发生凝结或滴落。
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公开(公告)号：CN113823550A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202010567098.4
申请日：2020-06-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本公开能够提供一种晶圆边缘上的可旋涂硬掩模去除方法，该可旋涂硬掩模去除方法包括如下步骤。首先通过第一喷头对晶圆进行边缘斜面冲洗，并通过第二喷头对晶圆进行背面冲洗，以去除晶圆边缘第一预设宽度范围内的可旋涂硬掩模。其次对晶圆边缘上剩余的可旋涂硬掩模进行干燥处理。本公开最后利用第三喷头再对晶圆进行边缘斜面冲洗，从而去除晶圆边缘第二预设宽度范围内的可旋涂硬掩模。本公开一些实施例能在可旋涂硬掩模涂布工艺过程中有效地去除晶圆边缘的可旋涂硬掩模，特别适用于去除晶圆边缘的可旋涂硬掩模凸起。本公开避免了晶圆边缘可旋涂硬掩模对半导体器件的污染，所以本公开能够显著提高半导体器件的良率，具有较高的市场价值。
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公开(公告)号：CN111570150B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202010275680.3
申请日：2020-04-09
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: B05B13/04 , B05B15/555 , H01L21/67
Abstract: 本申请公开了一种光刻胶涂布系统及方法，该光刻胶涂布系统包括：控制装置；第一泵，与所述控制装置电连接；喷头装置，包括公共臂和设置在所述公共臂上的多个喷嘴，所述公共臂与所述控制装置相连接，所述喷嘴与所述第一泵相连接；喷嘴清洗筒，用于清洗所述喷嘴；多个光刻胶盛筒，用于盛放光刻胶以供所述喷嘴吸取。本申请的光刻胶涂布系统，在需要更换光刻胶时，控制喷嘴插入喷嘴清洗筒内清洗后再吸取另一种光刻胶，实现了同一喷嘴可以快速更换不同光刻胶进行涂布的技术效果，操作简单，节省了工序，提高了工作效率。
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公开(公告)号：CN111900076A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN202010596864.X
申请日：2020-06-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本公开提供了一种用于晶圆烘烤的温度控制方法，该温度控制方法可以包括如下步骤：烘烤晶圆时，检测晶圆上多个区域的温度值，从而确定烘烤时晶圆各区域温度分布，利用翘曲量与烘烤时晶圆各区域温度分布之间的关系、当前烘烤时晶圆各区域温度分布确定晶圆的翘曲量，使用该翘曲量来控制用于烘烤晶圆的热板上的多个加热单元各自的发热功率，以使晶圆均匀受热。本公开能够在不改变烘烤装置产品结构的基础上使发生翘曲的晶圆各区域在烘烤过程中均匀受热，可以彻底地解决现有真空吸附晶圆方式带来的诸多问题，而且本公开还具有投入成本较低、可靠性高等突出优点，适于大面积地推广和应用。
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