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公开(公告)号：CN111722309A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201910216976.5
申请日：2019-03-21
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G02B5/00
Abstract: 本发明公开了一种二维晶体禁带荧光偏振性调制装置的制备方法，该方法包括：提供一高导电材料衬底；在该高导电材料衬底上氧化一绝缘层；在该绝缘层上沉积一二维晶体单层；在该二维晶体单层上蒸镀一透光介质层；在透光介质层上旋涂电子束负胶；对负胶进行电子束曝光并显影，在负胶上得到纳米结构图案；在显影后的负胶上蒸镀一金属层；以及除去剩余负胶得到在透光介质层上的具有周期性单元结构的金属纳米超材料。本发明制备得到的用于调制二维晶体禁带荧光偏振性的装置，利用金属纳米超材料各向异性共振场调控半导体荧光场，实现偏振荧光并达到偏振可调的目的，有效拓宽了二维晶体禁带荧光的线性可调范围和温度适用范围。
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公开(公告)号：CN110133770A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910395690.8
申请日：2019-05-10
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G02B5/00
Abstract: 本发明提供了一种纳米线栅结构、荧光各向异性增强装置及其制备方法。该纳米线栅结构为多个条状结构线栅平行排布形成，且其结构参数为：线栅周期300-800纳米，线栅宽度50-400纳米；所述多个条状结构线栅厚度为40-60纳米，其材料为金属纳米结构超材料。该装置利用超材料表面等离激元共振产生的超强局域场和超小模体积，增强荧光材料的自发辐射率和荧光强度，通过调节纳米线栅结构的线宽调制荧光增强程度，并通过调节纳米线栅结构的周期控制荧光场增强方向，从而解决了现有材料荧光信号弱以及现有技术难以调制荧光增强程度和光场偏振方向的技术问题。
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公开(公告)号：CN109687282A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201910110749.4
申请日：2019-02-11
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本公开提供一种三维超材料表面等离激元激光器，包括：衬底层；介质层，位于所述衬底上；增益区，位于所述介质层上，所述增益区包括：PMMA层，设置有多个纳米孔，形成纳米孔阵列；超材料，包括：位于所述纳米孔中的阵列层，位于所述PMMA层表面的平面层；以及离子液，填充于所述纳米孔、纳米孔对应的空间、以及所述平面层表面；所述三维超材料表面等离激元激光器可以缓解现有技术中系统散射损耗大，共振模与增益介质耦合效率差，激光器局域场热点较少，材料增益能力要求高，激射阈值较高，稳定性、实用性和适用范围等性能有待提升等技术问题。
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公开(公告)号：CN113764262B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202110814504.7
申请日：2021-07-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/027 , G03F7/20
Abstract: 本公开提供一种大尺寸高精度芯片的制备方法，包括：确定最大单次曝光面积，根据曝光图形整体尺寸和最大单次曝光面积将曝光图形划分为多个曝光子图形，并设计参考标记；在衬底上制作每个曝光子图形的参考标记，每一个曝光子图形对应一个曝光写场；得到每个曝光写场的SEM图，并根据参考标记，对所有曝光写场的SEM图进行拼接处理，得到完整SEM图；在完整SEM图上确定参考标记与写场中心的相对位置关系，以使写场中心定位在衬底的指定位置上；根据完成定位的各写场中心，对各曝光写场内的曝光图形进行曝光，相较于现有技术，能够在不依赖高精度位移定位系统的条件下，实现亚10纳米精度以及无尺寸限制的芯片制备。
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公开(公告)号：CN109920895B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN201910185085.8
申请日：2019-03-12
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供一种可控发光位置的二极管器件及其制造方法，结功能层的材料为过渡金属硫族化合物，在结功能层的两端形成有与其欧姆接触的第一电极和第二电极，在结功能层一侧形成有第三电极，且在第一电极和第二电极之间的结功能层以及第三电极上覆盖有离子液体层。这样，由第三电极、结功能层以及离子液体层组成了平行板电容器结构，当在第一电极与第三电极之间施加正电压，第二电极与第三电极之间施加负电压之后，在过渡金属硫化物中形成场效应PN结，通过调节第一电极与第三电极之间的正压大小，以及第二电极与第三电极之间的负压大小，则可以使得PN结的位置移动，从而，实现二极管器件中PN结的可移动性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113835155B
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202111090253.9
申请日：2021-09-16
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本公开提供一种自由空间光与光子芯片光栅耦合方法，包括：将至少一个光栅耦合器设置于超透镜的焦距处；通过所述超透镜将自由空间光经汇聚到所述光栅耦合器的收光口；以及通过所述光栅耦合器将与其收光角度、方向和偏振匹配的光耦合进波导。上述方法能够有效解决现有技术中自由空间光与波导的耦合受能量分散、角度失配、模场失配、光栅耦合器模斑尺寸小等影响，被芯片的耦合器件采集到的自由空间光功率非常低等技术问题。
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公开(公告)号：CN116487982A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310395963.5
申请日：2023-04-13
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本公开提供一种控制激光相干长度的装置及方法，装置包括：激光器、色散部件和发散角控制部件；所述色散部件设置于所述激光器输出激光的光路上，激光光束在输出之前以第一角度入射到所述色散部件后发生色散，使得出射激光光束的各光谱成分按照顺序依次排列，所述第一角度可变，激光光束的色散随着所述第一角度的变化而相应变化；所述发散角控制部件设置于经所述色散部件色散的出射激光光束的光路上，可对该出射激光光束的发散角的大小进行控制，相较于现有技术，本公开可以通过改变光束经过色散部件的色散和/或光束发散角，实现连续调节输出激光相干长度的目的。
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公开(公告)号：CN113835158A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202111090252.4
申请日：2021-09-16
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本公开提供一种自由空间光与光子芯片端面耦合方法，包括：将至少一个端面耦合器设置于超透镜的焦距处；通过所述超透镜将自由空间光汇聚到所述端面耦合器的收光口；通过所述端面耦合器将与其收光角度、方向和波导模场匹配的光耦合进端面耦合器的波导；上述方法能够解决现有技术中自由空间光与波导的端面耦合受能量分散、角度失配、模场失配、光栅或者端面耦合器模斑尺寸小等影响，被芯片的耦合器件采集到的自由空间光功率非常低等技术问题。
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公开(公告)号：CN113764262A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202110814504.7
申请日：2021-07-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/027 , G03F7/20
Abstract: 本公开提供一种大尺寸高精度芯片的制备方法，包括：确定最大单次曝光面积，根据曝光图形整体尺寸和最大单次曝光面积将曝光图形划分为多个曝光子图形，并设计参考标记；在衬底上制作每个曝光子图形的参考标记，每一个曝光子图形对应一个曝光写场；得到每个曝光写场的SEM图，并根据参考标记，对所有曝光写场的SEM图进行拼接处理，得到完整SEM图；在完整SEM图上确定参考标记与写场中心的相对位置关系，以使写场中心定位在衬底的指定位置上；根据完成定位的各写场中心，对各曝光写场内的曝光图形进行曝光，相较于现有技术，能够在不依赖高精度位移定位系统的条件下，实现亚10纳米精度以及无尺寸限制的芯片制备。
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公开(公告)号：CN113358216A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110605794.4
申请日：2021-05-31
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本公开提供一种偏振光检测方法，包括：将入射偏振光处理为TE偏振光和TM偏振光；调控所述TE偏振光和TM偏振光之间的相位差并进行合成获得相位差连续改变的全相位调制偏振光；探测所述全相位调制偏振光作用于谷赝自旋材料时产生的谷霍尔电流，从而获得入射偏振光中TE偏振光分量和TM偏振光分量之间相位差；探测所述TE偏振光和TM偏振光的光强；以及根据所述TE偏振光和TM偏振光的光强，以及所述相位差获得初始入射偏振光的椭偏度。同时本公开还提供一种偏振光检测光子集成芯片及探测器。
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