公开(公告)号：CN113764262B

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN202110814504.7

申请日：2021-07-19

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 刘思远 ,  韩春蕊 ,  王宇 ,  亓岩 ,  曲壮壮 ,  路建明 ,  白路军

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20

Abstract: 本公开提供一种大尺寸高精度芯片的制备方法，包括：确定最大单次曝光面积，根据曝光图形整体尺寸和最大单次曝光面积将曝光图形划分为多个曝光子图形，并设计参考标记；在衬底上制作每个曝光子图形的参考标记，每一个曝光子图形对应一个曝光写场；得到每个曝光写场的SEM图，并根据参考标记，对所有曝光写场的SEM图进行拼接处理，得到完整SEM图；在完整SEM图上确定参考标记与写场中心的相对位置关系，以使写场中心定位在衬底的指定位置上；根据完成定位的各写场中心，对各曝光写场内的曝光图形进行曝光，相较于现有技术，能够在不依赖高精度位移定位系统的条件下，实现亚10纳米精度以及无尺寸限制的芯片制备。

公开(公告)号：CN113764262A

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN202110814504.7

申请日：2021-07-19

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 刘思远 ,  韩春蕊 ,  王宇 ,  亓岩 ,  曲壮壮 ,  路建明 ,  白路军

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20

Abstract: 本公开提供一种大尺寸高精度芯片的制备方法，包括：确定最大单次曝光面积，根据曝光图形整体尺寸和最大单次曝光面积将曝光图形划分为多个曝光子图形，并设计参考标记；在衬底上制作每个曝光子图形的参考标记，每一个曝光子图形对应一个曝光写场；得到每个曝光写场的SEM图，并根据参考标记，对所有曝光写场的SEM图进行拼接处理，得到完整SEM图；在完整SEM图上确定参考标记与写场中心的相对位置关系，以使写场中心定位在衬底的指定位置上；根据完成定位的各写场中心，对各曝光写场内的曝光图形进行曝光，相较于现有技术，能够在不依赖高精度位移定位系统的条件下，实现亚10纳米精度以及无尺寸限制的芯片制备。