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公开(公告)号：CN102420200B
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201110362333.5
申请日：2011-11-15
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L23/48 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种具有金属垂直互连结构的转接板及其制作方法，该转接板包括基板、钝化层、金属凸点结构和金属互连线，其中钝化层形成在该基板的下表面，金属凸点结构成在该钝化层的下表面。金属凸点结构包括一个焊盘和一个金属凸点，焊盘埋于钝化层的内部，在焊盘的下表面上形成该金属凸点，金属凸点的一部分埋于钝化层的内部，另一部分露出于钝化层的下表面；金属互连线从基板的上表面延伸到下表面，贯穿整个基板，并穿过钝化层和焊盘，直至金属凸点的内部，以便所述金属凸点通过该金属互连线与基板上方的器件进行电性互连。本发明的工艺简单，成本低，具有非常高的制孔良率，从而解决了金属垂直互连结构填孔成本高和工艺复杂等问题。
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公开(公告)号：CN103367185A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310317189.2
申请日：2013-07-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/60 , H01L21/768
CPC classification number: H01L2224/11
Abstract: 本发明揭示了一种用于微电子封装中的碳纳米管柔性凸点的制作方法。本发明中碳纳米管柔性凸点的制作方法是通过低温转移的方式把生长在其它基底上的碳纳米管束经过致密化处理后移植到半导体基底上制作成柔性微凸点。由于碳纳米管束具有一定的弹性和柔韧性，因此，利用碳纳米管束制作微凸点可以一定程度上缓解互连中热应力引起的失效问题。同时由于碳纳米管具有优秀的电学性能，如超高的电导率和超过109A/cm2的电流密度，因此，利用碳纳米管作为微凸点不但具有良好的电传输性能，而且还可以解决金属凸点的电迁移问题。本发明具有操作简单，兼容半导体工艺。
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公开(公告)号：CN102683265A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201110061489.X
申请日：2011-03-15
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种将碳纳米管束通过转移的方式填充到硅转接板的TSV中的方法。该方法是将碳纳米管束生长在普通硅基底上，然后通过转移的方法将碳纳米管束填充到硅转接板的TSV中。此方法的优势在于碳纳米管束的生长不受温度限制，可以得到任意所需长度的碳纳米管束，不受TSV径和深宽比的限制，通过转移可以使碳纳米管束两端被很好的固定。碳纳米管束填充TSV作为互连不但具有更低的电阻率而且可以避免铜互连电迁移问题。
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公开(公告)号：CN119108339A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202411029068.2
申请日：2024-07-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/768 , H01L23/538
Abstract: 本发明公开了一种硅通孔转接板及其制造方法、2.5D集成模组及其制造方法，该硅通孔转接板的制造方法中载片的Si O2层与硅通孔接触，形成Cu‑SiO2混合键合界面，用来代替临时键合，降低了硅通孔转接板背面工艺的难度。所述方法包括：提供一裸晶圆；在所述裸晶圆的正面上形成深孔；形成第一绝缘层；在所述深孔中填充金属铜，形成硅通孔；提供一载片，所述载片包括SiO2层；将所述载片上的S iO2层和所述硅通孔接触，形成Cu‑Si O2混合键合界面；对所述裸晶圆的背面减薄，以使所述硅通孔底部露出裸晶圆的背面；形成第二绝缘层；形成多层金属互连单元和第一凸点单元；去除载片；形成第二凸点单元。
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公开(公告)号：CN118471963A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410470463.8
申请日：2024-04-18
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L25/065 , H01L25/16 , H10B80/00
Abstract: 本发明涉及一种超薄存储芯片三维堆叠器件及其制备方法，属于半导体封装技术领域，解决了现有存储芯片三维堆叠器件制备工艺复杂、容易污损芯片的问题。方法包括：提供多个具有TSV电连接件的芯片，以及具有TSV电连接件的晶圆；将芯片的正面与晶圆的正面贴合，芯片的TSV电连接件与晶圆的TSV电连接件对应；将芯片的背面减薄，使TSV电连接件底部凸出芯片背面；在晶圆表面和芯片表面沉积介质层；减薄介质层，使TSV电连接件底部露出；将得到的器件作为重构晶圆，重复上述步骤，直至完成目标层数芯片的堆叠。该方法工艺简单，不容易污损芯片。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117174634A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202210584698.0
申请日：2022-05-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/683 , H01L21/50
Abstract: 本发明公开了一种微型芯片的非接触式吸头及制备方法、贴片方法，属于半导体封装技术领域，解决了现有技术中微型芯片无法实现非接触拾取的问题。吸头包括第一分离体、第二分离体和真空吸盘；第一分离体上开设进气通道和喇叭型腔，进气通道与喇叭型腔连接；第二分离体位于喇叭型腔的进气口，第二分离体包括喷流盘和多个凸起，凸起设于喷流盘朝向喇叭型腔进气口的一面。制备方法包括制备第一分离体和第二分离体；进行组装。贴片方法包括非接触式吸头对微型芯片的正面进行拾取；微型芯片的背面置于真空接触吸头上；微型芯片的正面与晶圆接触进行加压贴片。该非接触式吸头及制备方法、贴片方法可用于微型芯片的贴片。
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公开(公告)号：CN109888456A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910147581.4
申请日：2019-02-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供了一种硅基喇叭封装天线系统集成结构及其制备方法。该硅基喇叭封装天线系统集成结构包括第一硅基板结构、第二硅基板结构、键合层和至少一个芯片，第一硅基板结构中第一重布线层设置于第一硅基板的一侧，导电通道贯穿第一硅基板并与第一重布线层连接；第二硅基板结构中的第二重布线层位于第二硅基板靠近第一硅基板的一侧，喇叭口结构具有朝远离第一硅基板一侧开口的喇叭口，喇叭口贯穿第二硅基板，且喇叭口结构还具有位于喇叭口中并覆盖第二硅基板的导电层，导电层与第二重布线层连接；键合层设置于第一硅基板结构与第二硅基板结构之间，并分别与第一重布线层和第二重布线层连接；各芯片与第一重布线层或第二重布线层连接。
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公开(公告)号：CN109671692A
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201811409033.6
申请日：2018-11-23
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Inventor： 戴风伟
IPC: H01L23/48 , H01L23/535 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供了一种TSV结构及TSV露头方法。该TSV结构包括：衬底；TSV导电柱，贯穿于衬底正面和衬底背面设置，且TSV导电柱具有延伸出衬底背面的露头部分；光敏性有机绝缘层，覆盖于衬底背面并包裹露头部分，光敏性有机绝缘层具有远离衬底背面的第一表面，且光敏性有机绝缘层中具有由第一表面向TSV导电柱延伸的通孔。由于上述TSV结构中采用光敏性有机绝缘层替代了现有技术中的SiO2或SiN等绝缘介质，仅需要光刻即可实现TSV露头，从而不需要TSV刻蚀非常均匀，降低了工艺难度，并且不需要CMP工艺，工艺成本低廉。
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公开(公告)号：CN103199086A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201310087268.9
申请日：2013-03-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L23/552 , H01L23/48 , H01L23/473 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种硅基转接板，该硅基转接板包括具有电磁屏蔽功能的微流道结构，且在该微流道结构的侧壁形成有电磁带隙结构。本发明通过调整微流道结构的位置和在微流道结构的侧壁形成电磁带隙结构，使得微流道结构既具有散热的作用，又能起到提高电性能，减少衬底损耗的作用。因此，本发明提供的硅基转接板，由于微流道结构的存在，不但具有互连和散热的功能，同时还具有电磁屏蔽的功能。
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公开(公告)号：CN102276167A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201110106709.6
申请日：2011-04-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种把金属材料插入玻璃以制造玻璃转接板的方法，以及实施该方法的装置。所述方法加热玻璃板的某一微区以使其软化，同时把金属材料插入到该软化的微区中一定深度，由此实现一种无需打孔而直接实现金属填充玻璃基板的方法。本发明的方法工艺简单，能有效解决玻璃转接板制备中打孔困难，填孔工艺复杂等问题，大大降低了工艺成本。通过该方法制作的玻璃转接板可用于微电子封装、MEMS器件封装，生物和医疗等领域。
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