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公开(公告)号：CN107121544A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710411537.0
申请日：2017-06-02
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N33/561
CPC classification number: G01N33/561
Abstract: 一种诊断急性心梗的生物传感器及其制造方法，该生物传感器包括高电子迁移率晶体管、器件隔离层和可特异性识别急性心梗标志物心肌肌钙蛋白的生物分子层，其中所述高电子迁移率晶体管的栅极上固定有所述生物分子层。本发明将超灵敏的高电子迁移晶体管与免疫分析技术相结合，在血清中快速检测超微量的急性心梗生物标志物，检测下限达到1飞克每毫升，比临床常用的化学发光免疫测定法高出1000倍；响应时间小于10秒，比临床常用光学检测方法快100倍以上。本发明可以实现干法和湿法同步测试，在器件检测的灵敏度、响应速度以及便携性上具有非常明显的优势，可以实现实时检测且操作简单。
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公开(公告)号：CN104880558A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201410073112.X
申请日：2014-02-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N33/574 , G01N33/532
CPC classification number: G01N33/574 , G01N33/532
Abstract: 本发明公开了一种InP基HEMT肿瘤标志物传感器及其和制作方法，其包括InP基HEMT换能器、生物分子载体和生物敏感膜，换能器包括源极、漏极和栅极，生物分子载体形成于所述换能器的栅极，生物敏感膜附着于所述生物分子载体，该生物敏感膜能特异性识别肿瘤标志物，受到肿瘤标志物本身电荷的影响，使得所述栅极表面电荷分布发生变化，进而影响所述换能器沟道中二维电子气浓度，使得换能器的源漏电流发生变化。本发明可以将肿瘤标志物的检测极限提升到一个新的高度，为恶性肿瘤的预防医治提供先机。
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公开(公告)号：CN104880557A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201410072619.3
申请日：2014-02-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N33/574 , G01N27/414
CPC classification number: G01N27/4145 , G01N27/4146 , G01N33/574
Abstract: 本发明公开了一种用于检测肿瘤标志物的GaAs基HEMT生物传感器及其制作方法。该传感器包括GaAs基HEMT(10)，源、漏极电极(20)分别与所述GaAs基HEMT(10)的源极区域和漏极区域欧姆接触，栅极电极(40)形成于所述GaAs基HEMT(10)的栅极区域，生物敏感膜(50)形成于所述栅极电极(40)上，其能特异性识别肿瘤标志物，受到肿瘤标志物本身电荷的影响，使得所述栅极电极(40)表面电荷分布发生变化，进而影响所述GaAs基HEMT(10)沟道中二维电子气浓度，使得源漏电流发生变化。本发明在器件检测的灵敏度、响应速度以及便携性上具有非常明显的优势，可以实现实时检测且操作简单。
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公开(公告)号：CN102054862B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN200910236705.2
申请日：2009-10-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335 , H01L21/20
Abstract: 本发明公开了一种锑化物高电子迁移率晶体管，包括：一衬底；一复合缓冲层，该复合缓冲层生长在衬底上；一锑化物下势垒层，该锑化物下势垒层生长在复合缓冲层上；一沟道层，该沟道层生长在锑化物下势垒层上；一锑化物隔离层，该锑化物隔离层生长在沟道层上；一掺杂层，该掺杂层生长在锑化物隔离层上；一上势垒层，该上势垒层生长在掺杂层上；一帽层，该帽层生长在上势垒层上。本发明同时公开了一种制造锑化物高电子迁移率晶体管的方法。利用本发明，通过采用复合缓冲层，使得晶体管结构材料的质量获得很大的提高，可获得更好的沟道电子输运特性，提高器件的输出特性，充分发挥该种器件的高频、高速、低功耗特性，有效提高了器件的稳定性和可靠性。
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公开(公告)号：CN102324436A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201110283050.1
申请日：2011-09-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 一种大失配硅基衬底锑化物高电子迁移率晶体管，包括：一衬底；一复合缓冲层，生长在衬底上；一插入层，生长在复合缓冲层上；一AlSb隔离层，生长在插入层上；一子沟道层，生长在AlSb隔离层上；一锑化物下势垒层，生长在子沟道层上；一InAs沟道层，生长在锑化物下势垒层上；一锑化物隔离层，生长在InAs沟道层上；一掺杂层，生长在锑化物隔离层上，该掺杂层是Si平面掺杂的InAs，或者是Te的δ掺杂；一上势垒层，生长在掺杂层上，该上势垒层是由AlSb层和InAlAs层组成的复合势垒层；一InAs帽层，生长在上势垒层上，该InAs帽层是非有意掺杂的InAs，或者是n型掺杂的InAs。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102157640A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110064300.2
申请日：2011-03-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法，包括：采用金属有机化学气相沉积的方法，在半导体衬底上依次生长低温GaN缓冲层、不掺杂GaN层、N-GaN层、多量子阱层和P-GaN层，形成GaN外延片；将GaN外延片放入蒸发台，在P-GaN层的表面蒸镀CsCl或氯化物；蒸镀结束后，向蒸发台腔室中充入水汽，控制相对湿度使P-GaN层表面的CsCl或氯化物吸收水分逐渐长大形成CsCl或氯化物的纳米岛；将CsCl或氯化物纳米岛作为刻蚀掩膜，对GaN外延片进行刻蚀，形成表面粗化的GaN外延片；再将GaN外延片的一侧进行刻蚀，形成台面；在GaN外延片的上表面蒸镀一层ITO薄膜；在GaN外延片的上表面制作P电极，在台面上制作N电极，完成器件制备。
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公开(公告)号：CN102054862A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200910236705.2
申请日：2009-10-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335 , H01L21/20
Abstract: 本发明公开了一种锑化物高电子迁移率晶体管，包括：一衬底；一复合缓冲层，该复合缓冲层生长在衬底上；一锑化物下势垒层，该锑化物下势垒层生长在复合缓冲层上；一沟道层，该沟道层生长在锑化物下势垒层上；一锑化物隔离层，该锑化物隔离层生长在沟道层上；一掺杂层，该掺杂层生长在锑化物隔离层上；一上势垒层，该上势垒层生长在掺杂层上；一帽层，该帽层生长在上势垒层上。本发明同时公开了一种制造锑化物高电子迁移率晶体管的方法。利用本发明，通过采用复合缓冲层，使得晶体管结构材料的质量获得很大的提高，可获得更好的沟道电子输运特性，提高器件的输出特性，充分发挥该种器件的高频、高速、低功耗特性，有效提高了器件的稳定性和可靠性。
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公开(公告)号：CN101424878A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200710176601.8
申请日：2007-10-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G03F7/20 , H01J37/317 , H01J37/04
Abstract: 一种一次电子束曝光形成高宽窄比T形栅的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：制作进行电子束曝光所需的T形栅的版图；步骤2：对制作T形栅的基片进行清洗，烘干；步骤3：在基片上涂三层电子束曝光胶、烘干；步骤4：电子束曝光，将所需的T形栅的版图转移到基片上；步骤5：显影和定影，在三层电子束曝光胶上形成制作T形栅的沟槽；步骤6：电子束蒸发栅极金属；步骤7：金属剥离，在沟槽内形成T形栅的结构。
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公开(公告)号：CN110632291A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910922500.3
申请日：2019-09-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N33/531 , G01N21/3581 , G01N33/536 , G01N33/574
Abstract: 一种太赫兹超材料生物传感器及其制备方法和检测方法，该生物传感器包括：衬底；设置在所述衬底上用于响应太赫兹波的超材料结构，其上设有若干检测区；以及识别单元，修饰在所述检测区上，用于识别不同标志物。本发明提供的太赫兹超材料生物传感器，采用的超材料是一种非对称的高Q值结构，对周围环境介质的变化响应灵敏度非常高，癌症标志物与超材料结构表面结合，导致其太赫兹透射光谱的红移，且癌症标志物浓度与峰位移动呈函数相关性。通过该标志物的检测浓度与太赫兹透射光谱对比曲线，可以实现对病人血清中的标志物浓度的检测。
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公开(公告)号：CN108281497A
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201810051860.6
申请日：2018-01-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/109 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/109 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L31/035236 , H01L31/03529 , H01L31/1844 , H01L31/1852
Abstract: 一种InSb量子阱红外探测器结构，其包括：一衬底；一复合缓冲层，其生长在衬底上；一InSb下欧姆接触层，其生长在复合缓冲层上；一InSb/InAlSb超晶格量子阱层，其生长在InSb下欧姆接触层上；一AlGaSb电子阻挡层，其生长在InSb/InAlSb超晶格量子阱层上；一InSb上欧姆接触层，其生长在AlGaSb电子阻挡层上。本发明可以降低反偏电压下的暗电流和工作时的噪声电流，提高了探测器的探测率和最高工作温度。
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