公开(公告)号：CN104596641B

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201510029446.1

申请日：2015-01-21

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 白龙 ,  颜伟 ,  杨富华

IPC: G01J1/42

Abstract: 本发明公开了一种太赫兹波探测器，以氮化镓高电子迁移率晶体管为基本结构，包括晶体管部分、源漏接触测试电极及引线部分、太赫兹波耦合天线部分，其中：所述太赫兹波耦合天线部分为耦合特定频率的天线，同时作为接触电极与所述晶体管部分的纳米结构栅极相连接；所述太赫兹波耦合天线部分位于所述晶体管部分的源极和漏极两侧，分别从两瓣天线之间引出源极和漏极的接触电极；所述晶体管部分的纳米结构栅极仅与所述太赫兹波耦合天线双狭缝开口的一侧相连接，所述晶体管部分的源极和漏极相对于太赫兹波耦合天线是非对称的。本发明通过使探测器天线的金属电极对入射太赫兹波的阻抗与晶体管栅极输入阻抗相匹配，实现对太赫兹波的高效、高灵敏度探测。

公开(公告)号：CN104596641A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201510029446.1

申请日：2015-01-21

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 白龙 ,  颜伟 ,  杨富华

IPC: G01J1/42

Abstract: 本发明公开了一种太赫兹波探测器，以氮化镓高电子迁移率晶体管为基本结构，包括晶体管部分、源漏接触测试电极及引线部分、太赫兹波耦合天线部分，其中：所述太赫兹波耦合天线部分为耦合特定频率的天线，同时作为接触电极与所述晶体管部分的纳米结构栅极相连接；所述太赫兹波耦合天线部分位于所述晶体管部分的源极和漏极两侧，分别从两瓣天线之间引出源极和漏极的接触电极；所述晶体管部分的纳米结构栅极仅与所述太赫兹波耦合天线双狭缝开口的一侧相连接，所述晶体管部分的源极和漏极相对于太赫兹波耦合天线是非对称的。本发明通过使探测器天线的金属电极对入射太赫兹波的阻抗与晶体管栅极输入阻抗相匹配，实现对太赫兹波的高效、高灵敏度探测。

公开(公告)号：CN104538450A

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201410838171.1

申请日：2014-12-29

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王进泽 ,  杨香 ,  颜伟 ,  刘胜北 ,  赵继聪 ,  何志 ,  王晓东 ,  杨富华

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/66068

Abstract: 本发明公开了一种具有低特征导通电阻的SiC VDMOSFET结构及其制造方法，所述结构在N+衬底上形成有N-漂移区，在该N-漂移区的上方形成有P型基极区和JFET区，所述JFET区由所述P型基极区环绕；所述P型基极区的内部形成有P+区和N+区；所述JFET区上方形成有栅介质层；在所述栅介质层与所述P型基极区之间，围绕所述JFET区形成有N-导电沟道层。且在JFET区与N-漂移区连接处形成N电流扩散层，其宽度与N-漂移层宽度相同。本发明能够降低沟道电阻和漂移区电阻，从而降低VDMOSFET结构的导通电阻。