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公开(公告)号：CN102956774A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210436128.3
申请日：2012-11-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种制作纳米级柱形阵列氮化镓基正装结构发光二级管的方法，包括：在蓝宝石衬底上依次生长的非故意掺杂氮化镓层上依次生长的n型氮化镓层、量子阱层和p型GaN层；在p型GaN层上沉积PS球层；沉积SiO2层；高温下灼烧，在PS球层的位置得到规整的纳米级孔；沉积金属层；腐蚀掉SiO2层和金属层；在p型GaN层向下腐蚀，形成纳米级GaN柱阵列；在纳米级GaN柱阵列之间填充绝缘物，去除纳米级GaN柱阵列之间的部分填充绝缘物，使纳米级GaN柱阵列中的p型GaN层露出，形成纳米级柱LED芯片；在芯片的表面蒸镀透明导电层；在纳米级GaN柱阵列的一侧制作N电极台面，在N电极台面制作N金属电极，在纳米级GaN柱阵列的上面制作P金属电极；划片裂片封装，完成制备。
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公开(公告)号：CN102569606A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210043833.7
申请日：2012-02-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/48
Abstract: 一种晶圆级垂直结构发光二极管封装的方法，包括：步骤1：在绝缘的衬底上通过光刻，电子束蒸发方法制作图形金属电极；步骤2：在绝缘衬底上的金属电极的位置植金球，该金球为间隔设置，将已划裂分选的芯片焊接在植金球的金属电极的位置；步骤3：通过打线工艺，采用金属线将芯片和相邻未植金球的金属电极连接；步骤4：在已制作好的模具上涂上脱模剂，注入按预定比例混合的荧光粉和硅胶；步骤5：将芯片对准模具模孔，压合绝缘衬底同模具，放入烘箱一预定时间；步骤6：分离模具与绝缘衬底，完成晶圆级垂直结构发光二极管的封装。本方法有利于简化封装工艺，降低封装成本，提高封装成品性能。
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公开(公告)号：CN102214753A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201110147591.1
申请日：2011-06-02
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED，包括：一p型金属电极，该p型金属电极包括一金属支撑衬底，以及制作在金属支撑衬底上的金属反射镜；一空穴注入层，该空穴注入层制作在P型金属电极的金属反射镜上；一电子阻挡层，该电子阻挡层制作在空穴注入层上；一发光层，该发光层制作在电子阻挡层上；一电子限制层，该电子限制层制作在发光层上；一电子注入层，该电子注入层制作在电子限制层上；一电流扩展层，该电流扩展层制作在电子限制层上；两个n型金属电极，制作在电流扩展层上，覆盖一部分电流扩展层。
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公开(公告)号：CN102208340A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN201110134149.5
申请日：2011-05-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种自支撑氮化镓衬底的制作方法，其中包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上生长一层薄膜层；步骤3：在薄膜层上生长一层纳米薄膜，得到一基片；步骤4：对基片进行退火，退火后使基片上的纳米薄膜形成纳米颗粒，形成源衬底；步骤5：在源衬底的纳米薄膜上生长出自支撑衬底；步骤6：将源衬底与自支撑衬底通过机械方法实现分离，完成制作。
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公开(公告)号：CN101937951A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN201010251509.5
申请日：2010-08-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种氮化镓基垂直结构发光二极管转移衬底的腐蚀方法，包括：步骤1：选择一外延结构，该外延结构包括蓝宝石衬底和氮化镓LED层；步骤2：在氮化镓LED层上采用电镀或键合的方法制作一转移衬底；步骤3：减薄转移衬底，然后抛光；步骤4：用激光刻划方法在转移衬底的表面上刻划图形，作为光刻对准标记；步骤5：在作好光刻对准标记的转移衬底上采用光刻方法，通过前烘，匀胶，曝光，显影，坚膜，在转移衬底上面的中间形成光刻胶图形，该光刻胶图形的面积小于转移衬底的面积；步骤6：选择腐蚀液腐蚀掉未被光刻胶图形覆盖的转移衬底，使转移衬底四周形成台面；步骤7：剥离光刻胶，清洗吹干，完成转移衬底的腐蚀。
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