基于LED投影的可见光通信装置

    公开(公告)号:CN104270195A

    公开(公告)日:2015-01-07

    申请号:CN201410515631.7

    申请日:2014-09-30

    Abstract: 一种基于LED投影的可见光通信装置,包括:一光源模块,用于发出LED光,在驱动电路控制下同时实现照明和通信的功能;一光源一级外罩,所述光源模块固定在光源一级外罩后端的内壁,实现LED光线汇聚功能;一光学元件装置,固定在光源一级外罩的前端,用于控制投影图像的清晰度和尺寸;一光源二级外罩,固定在光学元件装置的前端,作为LED投影照明距离及范围调整的部件。本发明具有模块结构相对简单、体积相对较小,应用面广和节约成本的优点。

    氮化镓基LED芯片立式封装的方法

    公开(公告)号:CN102569566B

    公开(公告)日:2014-09-17

    申请号:CN201210060166.3

    申请日:2012-03-09

    Abstract: 一种氮化镓基LED芯片立式封装的方法,具体步骤包括:超声波清洗功率型LED支架,烘干;在功率型LED支架表面的中心涂覆一层光刻胶,光刻胶涂覆的面积和LED芯片面积大小相同;用固晶机将LED芯片固定在光刻胶涂覆的位置,然后放入烘箱烘烤,使LED芯片固定于支架上;用金线将LED芯片的电极与LED支架相连;将LED芯片与LED支架一起浸泡,使打好金线的LED芯片与LED支架分离;将银浆涂覆在功率型LED支架上,然后将LED芯片竖立地固定在LED支架上,以LED芯片侧面接触LED支架;在竖立的LED芯片的表面涂覆荧光粉;在LED芯片上方的上方盖合一透镜;在透镜内填充硅胶,并固化,完成LED芯片立式封装的制备。提高了LED器件的提取效率,同时也大大改善了其远场分布。

    氮化镓基晶体管及其制备方法

    公开(公告)号:CN103996706A

    公开(公告)日:2014-08-20

    申请号:CN201410153247.7

    申请日:2014-04-16

    CPC classification number: H01L29/778 H01L29/66446

    Abstract: 本发明提供了一种氮化镓基晶体管及其制备方法。该氮化镓基晶体管包括:衬底;依次沉积于衬底上的低温成核层、氮化镓高阻层、高迁移率氮化镓层、氮化铝掺入层、铝镓氮势垒层和氮化镓帽层,其中,氮化镓帽层的两侧经刻蚀分别形成至铝镓氮势垒层的台阶;分别形成于氮化镓帽层两侧台阶的漏极和源级;形成于氮化镓帽层上方的栅极,构成氮化镓基晶体管主体;以及形成于氮化镓基晶体管主体的背面以及侧面,并露出漏极、栅极和源级的绝缘封装层。本发明氮化镓基晶体管及其制备方法在器件工艺的制作过程中由原来的三十步工艺,缩减到现在的二十二步工艺左右,同时使得器件体积减少到原来的五分之一。

    高功率因数的LED驱动电路
    27.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103281840A

    公开(公告)日:2013-09-04

    申请号:CN201310229330.3

    申请日:2013-06-09

    Abstract: 一种高功率因数的LED驱动电路,包括:一交流电源;一整流桥,其输入端与交流电源连接,输出端接地;一恒流源,其一端与整流桥的另一输出端连接;至少两个以上的LED组的LED串,其LED组为串联、并联或串并联,该LED串为串联,该LED串的正极与恒流源的另一端连接;一串联的反馈电阻串,其一端与LED串的负极连接,另一端接地;多个n沟道耗尽型半导体器件,每一n沟道耗尽型半导体器件的D端与相对应的两LED组之间连接,S端与LED串的负极连接,G端与反馈电阻串中的相对应的反馈电阻连接。

    侧面粗化的倒装发光二极管及其制作方法

    公开(公告)号:CN102903815A

    公开(公告)日:2013-01-30

    申请号:CN201210380553.5

    申请日:2012-10-09

    Abstract: 一种侧面粗化的倒装发光二极管及其制作方法,其中侧面粗化的倒装发光二极管,包括:一上衬底和依次在上衬底上生长的成核层和电子注入层,该电子注入层的一侧形成一台面;一发光层生长在电子注入层上;一空穴注入层生长在发光层上;一P电极制作在空穴注入层上;一N电极制作在电子注入层的台面上,形成LED芯片;一下衬底;一绝缘层生长在下衬底上;一P线电极制作在绝缘层上面的一侧;一N线电极制作在绝缘层上面的另一侧,形成倒装基板;该LED芯片的P电极与倒装基板的P线电极通过金属焊球连接;该LED芯片的N电极与倒装基板的N线电极通过金属焊球连接。可以大大提高出光效率,使得发光二极管外量子效率提升,特别适合大尺寸功率型晶粒的制作。

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