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公开(公告)号：CN115603177A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211160594.3
申请日：2022-09-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所(CN)
Abstract: 本发明涉及硅基光电子学技术领域，提供一种使用单向光注入调制的激光器阵列，包括：阵列排布的多个激光器单元，每个激光器单元包括：波导光栅耦合器、主激光器和从激光器；波导光栅耦合器包括：光栅单元、波导单元和氧化单元；其中，光栅单元包括第一光栅和第二光栅，波导单元的两侧下方分别与第一光栅和第二光栅相连，氧化单元位于波导单元的上表面；主激光器位于第一光栅的下方，从激光器位于第二光栅的斜下方，且从激光器的出光区域在水平方向上的投影与第二光栅在水平方向上的投影不重叠。本发明可以采用简单的工艺和结构实现波导光的单向注入。
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公开(公告)号：CN115561294A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202211064854.7
申请日：2022-09-01
Applicant: 华中科技大学 , 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N27/414 , H01L29/778
Abstract: 本发明提供了一种栅敏场效应晶体管嗅觉传感器及其制备方法，属于智能传感器领域。嗅觉传感器包括高电子迁移率晶体管和气敏薄膜；晶体管的栅极包括控制栅与延长栅，二者之间的气敏薄膜作为气味受体，与气体分子作用后薄膜电阻发生改变引起栅压变化，进而引起源漏电流的改变，实现信号转导与放大。本发明提供的嗅觉传感器具有高灵敏度、高信噪比与低功耗的特点，通过传感器阵列化并结合算法，可实现高可靠智能嗅觉感知。
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公开(公告)号：CN110632291B
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201910922500.3
申请日：2019-09-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N33/531 , G01N21/3581 , G01N33/536 , G01N33/574
Abstract: 一种太赫兹超材料生物传感器及其制备方法和检测方法，该生物传感器包括：衬底；设置在所述衬底上用于响应太赫兹波的超材料结构，其上设有若干检测区；以及识别单元，修饰在所述检测区上，用于识别不同标志物。本发明提供的太赫兹超材料生物传感器，采用的超材料是一种非对称的高Q值结构，对周围环境介质的变化响应灵敏度非常高，癌症标志物与超材料结构表面结合，导致其太赫兹透射光谱的红移，且癌症标志物浓度与峰位移动呈函数相关性。通过该标志物的检测浓度与太赫兹透射光谱对比曲线，可以实现对病人血清中的标志物浓度的检测。
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公开(公告)号：CN104880493A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201410072466.2
申请日：2014-02-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N27/26 , G01N27/327
Abstract: 本发明公开了一种用于检测汞离子(Hg2+)的GaAs基PHEMT生物传感器，其以GaAs基PHEMT为基底，利用GaAs基PHEMT器件源漏电流随着栅极电荷的改变会发生规律性变化的特性，在特定条件下，通过在栅极固定生物敏感元件，当吸附重金属离子Hg2+时，会引起栅极表面电荷分布的变化，从而导致沟道载流子浓度变化。测试源漏电流的变化量来标定溶液中Hg2+的浓度，从而达到定量检测重金属Hg2+的目的。本发明的优点在于器件灵敏度高，响应速度快，可实现随身携带和实时检测，对于食品安全、临床诊断上具有十分重要的意义，可以从根本上预防汞中毒并在汞中毒时快速诊断，减少由于诊断不及时造成的伤害。
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公开(公告)号：CN101373734B
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：CN200710120607.3
申请日：2007-08-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明涉及空气桥制备技术领域，公开了一种纳米尺度镍金空气桥的制备方法，该方法包括：引进二氧化硅牺牲层；用电子束曝光结合电感耦合等离子体刻蚀所述二氧化硅牺牲层，定义出空气桥的桥墩；再次用电子束曝光，在双层电子束曝光胶上定义出空气桥的桥梁；用金属电子束蒸发、金属剥离将金属空气桥结构转移至衬底；用湿法腐蚀去除二氧化硅牺牲层，得到纳米尺度的镍金空气桥。利用本发明，简化了电子束曝光环节的调校，提高了工艺的可重复性，具有电子束曝光环节调校简单，工艺重复性好等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101759140A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200810240932.8
申请日：2008-12-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B82B3/00
Abstract: 本发明涉及纳米电子技术中的半导体微纳加工技术领域，公开了一种制备硅纳米结构的方法，包括：制作进行电子束曝光所需的版图；对需要制作硅纳米结构的基片进行清洗、烘干；将基片热氧化生成二氧化硅掩蔽层；在基片上匀涂电子束曝光胶；按要求剂量用电子束曝光图形；显影和定影；电子束二次曝光；干法刻蚀二氧化硅；干法刻蚀硅，形成硅纳米结构。利用本发明，采用电子束曝光和干法刻蚀技术能够制作出100nm以下形状规则、边缘光滑、排列紧密、最精细处可达30nm的硅纳米结构。
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公开(公告)号：CN101373734A
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200710120607.3
申请日：2007-08-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明涉及空气桥制备技术领域，公开了一种纳米尺度镍金空气桥的制备方法，该方法包括：引进二氧化硅牺牲层；用电子束曝光结合电感耦合等离子体刻蚀所述二氧化硅牺牲层，定义出空气桥的桥墩；再次用电子束曝光，在双层电子束曝光胶上定义出空气桥的桥梁；用金属电子束蒸发、金属剥离将金属空气桥结构转移至衬底；用湿法腐蚀去除二氧化硅牺牲层，得到纳米尺度的镍金空气桥。利用本发明，简化了电子束曝光环节的调校，提高了工艺的可重复性，具有电子束曝光环节调校简单，工艺重复性好等优点。
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公开(公告)号：CN112202049B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202011068518.0
申请日：2020-09-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 北京工业大学
Abstract: 本公开提供一种基于液晶调控的垂直腔面发射激光器，包括：第一半导体层，用于发射激发光，其表面为开设有凹槽的GaAs保护层，所述凹槽处作为所述激发光的中心出光孔，微调控层位于所述GaAs保护层上，所述微调控层对应所述凹槽设置有一容纳空间，所述凹槽和所述容纳空间共同构成一液晶盒，所述液晶盒内填充有液晶材料；本公开还包括一种基于液晶调控的垂直腔面发射激光器的制备方法；本公开可以根据激光器工作状态和需要，动态调控输出的模式，不用高度依赖表面反相结构的精度，可以灵活地调节激光器的输出功率，可精确控制凹槽部分和非凹槽部分对谐振波长的反射率，从而控制不同横模的往返损耗。
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公开(公告)号：CN110632291A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910922500.3
申请日：2019-09-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N33/531 , G01N21/3581 , G01N33/536 , G01N33/574
Abstract: 一种太赫兹超材料生物传感器及其制备方法和检测方法，该生物传感器包括：衬底；设置在所述衬底上用于响应太赫兹波的超材料结构，其上设有若干检测区；以及识别单元，修饰在所述检测区上，用于识别不同标志物。本发明提供的太赫兹超材料生物传感器，采用的超材料是一种非对称的高Q值结构，对周围环境介质的变化响应灵敏度非常高，癌症标志物与超材料结构表面结合，导致其太赫兹透射光谱的红移，且癌症标志物浓度与峰位移动呈函数相关性。通过该标志物的检测浓度与太赫兹透射光谱对比曲线，可以实现对病人血清中的标志物浓度的检测。
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公开(公告)号：CN108281497A
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201810051860.6
申请日：2018-01-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/109 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/109 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L31/035236 , H01L31/03529 , H01L31/1844 , H01L31/1852
Abstract: 一种InSb量子阱红外探测器结构，其包括：一衬底；一复合缓冲层，其生长在衬底上；一InSb下欧姆接触层，其生长在复合缓冲层上；一InSb/InAlSb超晶格量子阱层，其生长在InSb下欧姆接触层上；一AlGaSb电子阻挡层，其生长在InSb/InAlSb超晶格量子阱层上；一InSb上欧姆接触层，其生长在AlGaSb电子阻挡层上。本发明可以降低反偏电压下的暗电流和工作时的噪声电流，提高了探测器的探测率和最高工作温度。
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