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公开(公告)号:CN104880501A
公开(公告)日:2015-09-02
申请号:CN201410072709.2
申请日:2014-02-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N27/414
Abstract: 本发明公开了一种用于检测重金属离子的InP基HEMT多通道传感器,其采用分子束外延系统制备InP基HEMT,一定条件下将特异性生物分子固定于栅极表面通过将InP基HEMT高跨导低噪声的特性与检测技术和微流控技术相结合,研制了能够同时检测多种重金属离子的传感器。本发明的优点在于基于InP基HEMT的多通道传感器,灵敏度极高、响应速率极快且便于携带,对于生活、医疗以及环境监测具有很好的实际应用意义,可以预防重金属离子食物中毒、临床诊断重金属离子中毒等,从而减少因重金属离子中毒而引起的发病和死亡等。
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公开(公告)号:CN101630717B
公开(公告)日:2011-06-01
申请号:CN200810116740.6
申请日:2008-07-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L51/00
Abstract: 一种能实现低频光到高频光转换的有机-无机复合器件结构,由以下部分组成:一N型层;一本征层,该本征层生长在N型层上;一P型层,该P型层生长在本征层上;一有机空穴注入层,该有机空穴注入层生长在P型层上;一有机空穴传输层,该有机空穴传输层生长在有机空穴注入层上;一有机发光层,该有机发光层生长在有机空穴传输层上;一阴极,该阴极生长在有机电子传输层上的一侧;一N型欧姆接触层,该欧姆接触层蒸发在N型层背面的一侧;上述器件能够在外界偏压下将无机红外光探测结构探测到的低频红外光转换成由有机发光二极管发射的可见光。
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公开(公告)号:CN119028813A
公开(公告)日:2024-11-26
申请号:CN202411191385.4
申请日:2024-08-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 本公开提供了一种降低半导体材料背景掺杂的外延生长方法,应用于半导体制造技术领域,该方法包括:将预处理后的衬底托放入生长腔,基于生长腔对衬底托执行高温除气操作;其中,衬底托上装有耐高温薄片;将衬底托上的耐高温薄片替换为衬底;调节生长腔真空度,使生长腔满足目标状态;对源炉进行高温除气操作;对衬底执行第二操作,得到目标衬底;其中,第二操作用于去除衬底表面氧化层;在目标衬底上生长外延层。本公开提供的降低半导体材料背景掺杂的外延生长方法,通过优化源炉的操作条件以及引入新型清洁工艺,有效减少不期望的杂质进入外延层,提高半导体材料的纯度和性能。
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公开(公告)号:CN103165727B
公开(公告)日:2016-03-09
申请号:CN201310084016.0
申请日:2013-03-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/147 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种N型注入的红外至可见波长上转换装置及其制备方法,具体说来是将一个倒置型有机发光二极管(OLED)外延生长在下部的无机红外光探测器单元上。该装置的工作原理是反向偏置的红外探测器单元将输入的红外信号转换为电信号,光生电子依次通过N型间隔层和限光金属层注入到正向偏置的OLED内,驱动OLED器件发射可见光,从而实现红外光到可见光的上转换。本发明提到的N型注入的红外至可见波长上转换成像装置具有转换效率高、转换波长范围广、制备工艺简单、成本低等特点。本发明可用于红外夜视,医学检测,工业探伤等领域。
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公开(公告)号:CN104181450A
公开(公告)日:2014-12-03
申请号:CN201410443019.3
申请日:2014-09-02
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供了一种发光二极管响应特性的测试系统及方法。该测试系统包括:计算机调制模块,用于下发脉冲电压参数,并对接收到的光响应和电响应数据进行分析;脉冲电压产生模块,连接至计算机调制模块,用于依照计算机调制模块下发的脉冲电压参数,产生脉冲电压,并将该脉冲电压加载至待测试的发光二极管;以及数据采集模块,用于采集待测试的发光二极管的光响应和电响应数据,并将该光响应和电响应数据上传至计算机调制模块;其中,待测试的发光二极管,连接至脉冲电压产生模块,其在脉冲电压产生模块产生的脉冲电压的驱动下发光。本实施例能够实现脉冲电压下发光二极管光响应及电响应的同时快速测定。
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公开(公告)号:CN104020369A
公开(公告)日:2014-09-03
申请号:CN201410200421.9
申请日:2014-05-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01R31/00
Abstract: 一种光子上转换器频率响应的测试装置,包括:一计算机控制模块;一光脉冲产生模块,其输入端与计算机控制模块的一输出端连接;一稳压电源,其输入端与计算机控制模块的另一输出端连接;一光子上转换器,其一输入端与稳压电源的输出端连接;一光电探测器,其光响应区接收接收光子上转换器的光输出信号;一采样示波器,其一输入端与光电探测器的输出端连接,另一输入端与光脉冲产生模块的另一输出端连接,其输出端与计算机控制模块的输入端连接。本发明能够实现对此类光子上转换器频率响应特性的检测与分析,为制备响应速度更快的光子上转换器提供检测手段和分析工具,为研制高速红外成像器件奠定基础,本发明还提供一种光子上转换器频率响应的测试方法。
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公开(公告)号:CN101609871A
公开(公告)日:2009-12-23
申请号:CN200810115184.0
申请日:2008-06-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明一种有机电致发光器件,其特征在于,包括:一透明阳极;一空穴注入层,该空穴注入层生长在透明阳极上的中间部位,使透明阳极的侧边形成一台阶;一空穴传输层,该空穴传输层生长在空穴注入层上;一发光层,该发光层生长在空穴传输层上;一电子注入层,该电子注入层生长在发光层上;一金属阴极,该金属阴极生长在电子注入层上。
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