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公开(公告)号：CN114196924A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111533081.8
申请日：2021-12-15
Applicant: 中国科学院光电技术研究所 , 中国科学院高能物理研究所
IPC: C23C14/26 , C23C14/35 , C23C14/46 , C23C16/30 , C23C16/40 , C23C16/455 , C23C14/06 , C23C14/08 , C23C14/10 , C23C14/16 , C23C14/24
Abstract: 本发明涉及一种铜基板表面真空紫外铝反射镜的镀膜方法，所述的铝反射镜，从铜基板到空气依次包括介质间隔层、铝膜、氟化物保护膜层，所述的介质间隔层为氟化物或者氧化物膜层，用来隔绝铝膜和铜基板发生合金反应形成铜铝合金。介质间隔层可以在镀制铝膜前在真空室中镀制，也可以在其他真空室中镀制，然后在大气环境中转移至镀制铝膜和氟化物保护膜的镀膜真空室，以包含介质间隔层的铜基板作为基板镀制铝膜和氟化物保护膜；所述的铝膜采用钨丝导电后加热铝丝蒸发制备，所述的氟化物保护膜层采用蒸发舟或者电子枪蒸发氟化物制备。所述的一种铜基板表面镀制真空紫外铝反射镜的方法，利用介质间隔层的作用，实现了铜基板上铝反射镜的高反射率。
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公开(公告)号：CN112430805A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN202011320038.9
申请日：2020-11-23
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本发明公开了一种原子层沉积镀膜机的真空控制系统，涉及真空镀膜技术领域，该真空控制系统包括通过管道依次连接的A热阱、镀膜真空室、A控制组件、B热阱、B控制组件、分子泵，A热阱和分子泵均连接有前级真空泵；在所述A热阱与镀膜真空室之间设置有A阀门。本发明的真空控制系统和对应的控制方法一方面能够有效地提高原子层沉积镀膜机的本底真空度和镀膜真空度，从而减少残余物理吸附气体分子对原子层沉积薄膜性质的影响，另一方面通过B热阱、A控制组件以及前级真空泵的配合，使分子泵仅用于获得本底真空，从而提高分子泵的使用效率和使用寿命。
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公开(公告)号：CN104445970B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201410621218.9
申请日：2014-11-06
Applicant: 中国科学院光电技术研究所 , 武汉大学
IPC: C03C15/00
Abstract: 本发明公开了一种熔石英光学基底表面氟化物薄膜的快速脱膜方法，属于光学元件制备方法技术领域，该方法利用复分解反应或络合反应，在室温或加热条件下反应，使熔石英光学基底表面氟化物发生化学反应而被彻底清除，热水浴中反应除膜，最快仅需20?30分钟，温水浴中除膜需1.5?2.5小时，室温除膜需3?7小时。脱膜后与未镀膜光学基底相比表面粗糙度无明显变化，亦无可探测物理或化学损伤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104593723A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201510029391.4
申请日：2015-01-21
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种提高热蒸发制备AlF3薄膜的深紫外以及真空紫外波段时效性的方法，在高真空镀膜机中利用电阻加热蒸发方法蒸发AlF3；以AlF3作为低折射率材料，以其他氟化物作为高折射率材料，通过石英晶体振荡方法控制沉积在基板上的高低折射率材料薄膜厚度，制备具有特定性能的光学膜系；在膜系表面沉积特定厚度的MgF2膜层，提高AlF3薄膜深紫外波段的时效性，膜层厚度通过计算机优化获得。本发明可以提高以AlF3为镀膜材料的膜系在深紫外以及真空紫外波段的时效性。
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公开(公告)号：CN104445970A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410621218.9
申请日：2014-11-06
Applicant: 中国科学院光电技术研究所 , 武汉大学
IPC: C03C15/00
Abstract: 本发明公开了一种熔石英光学基底表面氟化物薄膜的快速脱膜方法，属于光学元件制备方法技术领域，该方法利用复分解反应或络合反应，在室温或加热条件下反应，使熔石英光学基底表面氟化物发生化学反应而被彻底清除，热水浴中反应除膜，最快仅需20-30分钟，温水浴中除膜需1.5-2.5小时，室温除膜需3-7小时。脱膜后与未镀膜光学基底相比表面粗糙度无明显变化，亦无可探测物理或化学损伤。
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公开(公告)号：CN102787301B
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201210255436.6
申请日：2012-07-23
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: C23C14/54
Abstract: 一种用于镀膜行星系统中控制圆锥形光学元件膜厚分布的挡板设计方法，真空镀膜过程中，膜料以蒸发或溅射方式在真空环境中传输，在圆锥形光学元件表面上形成厚度非均匀分布的薄膜，分别建立了能真实反映未使用挡板和使用挡板修正时真空镀膜机行星系统中沉积到圆锥形光学元件上的薄膜厚度分布模型；根据未使用挡板时的薄膜厚度分布模型确定真空镀膜过程中薄膜材料的蒸发或溅射特性，再运用存在挡板修正时的薄膜厚度分布模型理论模拟圆锥形光学元件上的薄膜厚度分布，通过计算机优化挡板设计直至真空镀膜机行星系统中挡板修正后圆锥形光学元件上薄膜厚度分布达到设计需求，获得最优的挡板设计。本发明能实现圆锥形光学元件上薄膜厚度分布的精确控制。
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公开(公告)号：CN102817007A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201210321488.9
申请日：2012-09-03
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 一种提高大口径球面光学元件深紫外增透膜透射率均匀性的方法，通过实验或理论方法，获得高真空镀膜机中大口径球面光学元件单层膜厚度均匀性修正挡板形状；利用修正挡板修正增透膜中每一层薄膜厚度均匀性，在球面光学元件上按照膜系设计要求沉积厚度均匀分布的高、低折射率介质层制备增透膜；通过在干燥大气环境中利用紫外光辐照大口径球面光学元件，获得透射率均匀分布的增透膜。本发明可以提高大口径球面光学元件，特别是大口径/曲率半径比球面光学元件表面增透膜及其他膜系透射光谱特征的均匀性。
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公开(公告)号：CN102787301A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201210255436.6
申请日：2012-07-23
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: C23C14/54
Abstract: 一种用于镀膜行星系统中控制圆锥形光学元件膜厚分布的挡板设计方法，真空镀膜过程中，膜料以蒸发或溅射方式在真空环境中传输，在圆锥形光学元件表面上形成厚度非均匀分布的薄膜，分别建立了能真实反映未使用挡板和使用挡板修正时真空镀膜机行星系统中沉积到圆锥形光学元件上的薄膜厚度分布模型；根据未使用挡板时的薄膜厚度分布模型确定真空镀膜过程中薄膜材料的蒸发或溅射特性，再运用存在挡板修正时的薄膜厚度分布模型理论模拟圆锥形光学元件上的薄膜厚度分布，通过计算机优化挡板设计直至真空镀膜机行星系统中挡板修正后圆锥形光学元件上薄膜厚度分布达到设计需求，获得最优的挡板设计。本发明能实现圆锥形光学元件上薄膜厚度分布的精确控制。
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