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公开(公告)号：CN109253804A
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201811176474.6
申请日：2018-10-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01J4/00
Abstract: 本发明公开了一种单片集成长线列金属偏振光栅的InGaAs焦平面探测器，其结构自下至上依次为硅基读出电路、铟柱互连层、InGaAs光敏芯片、SiO2介质层以及金属偏振光栅。所述金属偏振光栅由不同偏振取向的长线列亚波长金属光栅构成。本发明的优点在于：1、单片集成线列偏振光栅，结构紧凑，减小探测器体积；2、线列方式排布，能够有效避免不同偏振角度之间的串音问题，提高实际消光比；3、线列规模较大，可使探测器具有更大视场和更高分辨率；4、优化偏振探测单元设计，降低加工难度，增大光栅区域覆盖比例。
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公开(公告)号：CN102116876B
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201110008561.2
申请日：2011-01-14
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01V8/10
Abstract: 本发明公开了一种基于轨迹编目模型的空间点目标天基探测方法，本发明对经过预处理的图像进行阈值分割和连通域计算，并对每个连通域进行轨迹编目，根据每个轨迹的运动特征和判断概率来识别并跟踪目标。本发明适用于大视场可见光空间点目标天基探测，可以扩大搜索范围，实现尽早探测、尽快预警。可以同时探测多个不同运动方式的目标，并对多个目标进行识别和跟踪。本发明对于探测空间点目标可以实现快速探测识别和稳定跟踪。
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公开(公告)号：CN101672694A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200910197304.0
申请日：2009-10-16
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01J3/02
Abstract: 本发明公开了一种棱镜分光短波红外成像光谱仪的光学系统。它采用离轴透镜来校正大视场像差，同时校正了狭缝弯曲和畸变，避免了采用大口径同心透镜，降低了大口径透镜获取难度和加工要求；采用一个色散棱镜来修正非线性色散，满足了光谱分辨率要求，在棱镜背面镀反射膜，光束直接从棱镜发生反射，取消了利特罗反射镜，简化了结构，减轻了重量；采用两个离轴非球面反射镜作为准直和会聚光学元件，通过调节离轴角和光谱仪的焦距控制了畸变，从而补偿了与波长相关的狭缝弯曲，并减小了残余像差。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109396962B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201811176473.1
申请日：2018-10-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于高长宽比红外焦平面探测器的减薄抛光模具及方法，模具包括：刻有凹槽的夹具基板、电极保护衬片、高度补偿垫片和芯片保护衬片。其使用方法为：将电极保护衬片粘贴于光敏芯片两侧的读出电路凸出部位；将红外焦平面探测器和高度补偿垫片分别固定于夹具基板的中央和凹槽内；将芯片保护衬片固定于高度补偿垫片中央；在该结构下对红外焦平面探测器进行减薄抛光。本发明的优点在于：①解决高长宽比焦平面探测器在机械减薄过程中易碎裂的问题，可实现百微米量级的减薄；②能够精确控制减薄厚度，并保证减薄后探测器表面具有良好的平面度；③显著降低减薄过程中对探测器带来的物理损伤，避免因此所导致的探测器性能的下降。
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公开(公告)号：CN110896120A
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201911093644.9
申请日：2019-11-11
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/105 , H01L31/0304
Abstract: 本发明公开了一种多层InGaAs探测器材料结构和制备方法：所述探测材料结构由下往上依次为InP(001)衬底、n型InP缓冲层、i型晶格匹配的InGaAs吸收层、n型晶格匹配的InGaAs阻挡层和n型InP帽层。其中，所述的n型阻挡层的厚度为40nm～200nm，其掺杂浓度5x1015cm-3～5x1017cm-3，其材料为与InP晶格匹配的InGaAs。制备方法为依次分子束外延生长即可。本发明的InGaAs探测材料增加的n型阻挡层能够有效实现对扩散成结工艺的控制。
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公开(公告)号：CN101975611A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN201010285342.4
申请日：2010-09-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于星载或者机载对地观察双狭缝凸面光栅成像光谱仪，该系统为折射透镜，凸球面反射光栅和凹球面反射镜构成的成像光谱仪，通过在物空间设置双狭缝，使像空间不同位置形成对应狭缝各自的谱面，谱面上可以用多个探测器模块交错排放拓展视场，通过对多个探测器进行空间位置的调整，可改善成像质量与光谱弯曲；也可以在同一探测器上形成双狭缝光谱成像，将探测器读出帧频要求降低一倍，解决高速飞行的航空航天器中仪器帧频过高的问题。主要应用于机载或星载光谱成像系统。
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公开(公告)号：CN208902268U
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201821638611.9
申请日：2018-10-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01J4/00
Abstract: 本专利公开了一种单片集成长线列金属偏振光栅的InGaAs焦平面探测器，其结构自下至上依次为硅基读出电路、铟柱互连层、InGaAs光敏芯片、SiO2介质层以及金属偏振光栅。所述金属偏振光栅由不同偏振取向的长线列亚波长金属光栅构成。本专利的优点在于：1、单片集成线列偏振光栅，结构紧凑，减小探测器体积；2、线列方式排布，能够有效避免不同偏振角度之间的串音问题，提高实际消光比；3、线列规模较大，可使探测器具有更大视场和更高分辨率；4、优化偏振探测单元设计，降低加工难度，增大光栅区域覆盖比例。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN207529952U
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201721683340.4
申请日：2017-12-06
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/105 , H01L31/18
Abstract: 本专利公开了一种高增益紫外至近红外InGaAs探测器芯片，在其磷化铟(InP)衬底之上结构依次为：InP接触层、铟镓砷(InGaAs)吸收层、氧化硅(SiO2)介质层、源极金属电极、石墨烯层、漏极金属电极以及栅极金属电极，如附图所示。本专利的优点在于：一方面石墨烯展现良好的半金属特性，与InGaAs层接触能够形成肖特基光电二极管，实现光探测；另一方面石墨烯无禁带宽度且其光学透过性极好，能够拓宽该新型InGaAs探测器光谱响应至近紫外，同时能够增加InGaAs层的光吸收；此外，石墨烯具有极高的迁移率和极快的载流子传输特性，使得该探测器对光生载流子的注入拥有极高的量子增益特性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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