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公开(公告)号：CN103848644A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201410020941.1
申请日：2014-01-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开一种银纳米颗粒掺杂P(VDF-TrFE)复合薄膜的制备方法，其步骤如下：将偏聚二氟乙烯二元衍生聚合物P(VDF-TrFE)水浴溶解于丁酮溶剂，静置凝胶后得到P(VDF-TrFE)的丁酮溶液；将硝酸银粉末溶解于有机溶剂，超声振荡后静置得到硝酸银溶液；移取定量体积P(VDF-TrFE)的丁酮溶液与硝酸银溶液混合，超声振荡后静置得到AgNO3与P(VDF-TrFE)复合前驱液；在加热的衬底上将AgNO3与P(VDF-TrFE)复合前驱液旋涂成膜，置于氮气保护的高温烘箱中退火得到Ag掺杂的P(VDF-TrFE)复合薄膜。本发明制备工艺简单，成本较低，所得薄膜中银颗粒直径约15～30nm，且分布均匀，含银复合薄膜较之纯P(VDF-TrFE)薄膜具有矫顽场低、相对介电常数高、剩余极化强度高等优点。
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公开(公告)号：CN101143932A
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200710045150.4
申请日：2007-08-22
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种铁电聚合物分子空间排列可控的薄膜生长方法，该方法是利用朗格缪尔(LB)技术，溶剂采用二甲基亚砜(简称DMSO)，溶质采用聚合物P(VDF－TrFE)，其特征是：在利用朗格缪尔设备提拉过程中采用交替来回旋转一角度提拉的方式，使铁电聚合物P(VDF－TrFE)单分子空间排列可控，通过改变分子层之间的空间排列实现对铁电聚合物结构与性能的调控。
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公开(公告)号：CN1766158A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200510029084.2
申请日：2005-08-25
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种低电阻率金属氧化物镍酸镧薄膜的制备方法，该方法是通过采用磁控溅射的方法沉积镍酸镧薄膜，然后对镍酸镧薄膜进行高压氧热处理得到低电阻率的导电金属氧化物镍酸镧薄膜。该方法的优点是得到的薄膜电阻率极低，有利于器件的铁电性能充分发挥，并可降低器件的工作电压。制备方法简单，生长的薄膜材料性能稳定、重复性好、成本低。薄膜材料的整个生长和后处理温度都低于硅读出电路的最高容忍温度450℃，因此用本发明方法制备的LNO薄膜材料作为铁电微器件的底电极可以和硅读出电路集成。
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公开(公告)号：CN1212268C
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN200310108722.0
申请日：2003-11-20
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: C01B33/14 , C01B33/158
Abstract: 本发明公开了一种二氧化硅气凝胶薄膜材料的制备方法，该方法是通过采用酸/碱两步催化的溶胶-凝胶工艺结合胶粒的有机硅烷化过程，并通过化学添加剂而实现的。本发明方法的最大优点是：配制的前驱体溶液性能稳定，可以存放9个月以上；制备的气凝胶薄膜成本低，有利于商业应用；制备的气凝胶薄膜孔洞率高，可用于集成器件的低介电常数绝缘层以及高效隔热层。
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公开(公告)号：CN1544324A
公开(公告)日：2004-11-10
申请号：CN200310108722.0
申请日：2003-11-20
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: C01B33/14 , C01B33/158
Abstract: 本发明公开了一种二氧化硅气凝胶薄膜材料的制备方法，该方法是通过采用酸/碱两步催化的溶胶－凝胶工艺结合胶粒的有机硅烷化过程，并通过化学添加剂而实现的。本发明方法的最大优点是：配制的前驱体溶液性能稳定，可以存放9个月以上；制备的气凝胶薄膜成本低，有利于商业应用；制备的气凝胶薄膜孔洞率高，可用于集成器件的低介电常数绝缘层以及高效隔热层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107749433A
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201710760252.8
申请日：2017-08-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/109 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种二维范德华异质结构光电探测器及其制备方法。其特征在于，器件结构自下而上依次为衬底、两种二维半导体构成的异质结构及金属源漏电极。首先在衬底上制备一种二维半导体，在此基础上转移另外一种二维半导体至底层半导体表面，两种半导体通过范德华力结合，形成范德华异质结，再运用电子束光刻技术结合剥离技术制备金属电极，最终形成范德华异质结构光电探测器。区别于其他二维材料光电探测器，该结构制备工艺简单，成本低，无须栅压调控，在小偏压下实现探测，功耗极低，且可拓展探测器响应波段、提高灵敏度和实现快速响应。
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公开(公告)号：CN107195681A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710388117.5
申请日：2017-05-27
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L29/78 , H01L29/51 , H01L21/34 , H01L21/445
CPC classification number: H01L29/78 , H01L21/445 , H01L29/516 , H01L29/66969
Abstract: 本发明公开了一种二维半导体负电容场效应管及制备方法。器件结构自下而上依次为衬底、二维半导体、金属源漏电极、具有负电容效应的铁电栅电介质和金属栅电极。首先在衬底上制备过渡金属硫族化合物二维半导体，运用电子束光刻技术结合剥离工艺制备金属源漏电极，在该结构上制备具有负电容效应的铁电薄膜，最后在该薄膜上制备金属栅电极，形成铁电调控的二维半导体负电容场效应器件结构。区别于其它二维半导体负电容场效应器件结构，该金属‑铁电‑半导体结构可实现高性能的负电容场效应器件。电学测试结果表明，此类器件的亚阈值摆幅远小于60mV/dec，突破了玻尔兹曼极限，该类二维半导体负电容场效应器件同时具备极低功耗、高速翻转等特点。
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公开(公告)号：CN103539956B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201310469956.1
申请日：2013-10-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开一种PVDF基有机铁电聚合物纳米线的制备方法。通过运用阳极氧化铝纳米模版，将聚偏氟乙烯基聚合物溶液滴至阳极氧化铝纳米模板上表面，通过退火处理，使其溶剂挥发，后加热至使表面残留有机铁电聚合物其熔融，利用纳米模版的毛细管及熔融态聚偏氟乙烯基铁电聚合物自身重力作用，聚偏氟乙烯基聚合物填充满整个模版，待聚合物冷凝后，聚偏氟乙烯基聚合物纳米线形成，最后运用氢氧化钠溶液腐蚀掉阳极氧化铝纳米模板，得到聚偏氟乙烯基铁电聚合物纳米线。本发明模板法制备PVDF基有机铁电聚合物纳米线，方法及工艺简单，易于控制纳米线径向尺寸，为研究PVDF基有机铁电聚合物纳米线的奇异物理特性和相关器件提供了可能。
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公开(公告)号：CN101752087B
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201010101879.0
申请日：2010-01-27
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开一种PVDF有机聚合物薄膜电容器，其特征在于，器件结构包括：一衬底；一金属底电极，该金属底电极生长在衬底上；一介电绝缘层，该介电绝缘层为孔型，将部分金属底电极包裹起来；一有机聚合物薄膜，该有机聚合物薄膜生长在介电绝缘层开孔处，面积略大于开孔面积；一金属上电极，该金属上电极生长在有机聚合物薄膜上；一包裹电极，该包裹电极生长在金属上电极上，将有机聚合物薄膜与金属上电极包裹起来。本发明的器件结构利用介电层隔离上下电极，并利用上电极作为PVDF薄膜光刻掩膜，最终利用包裹电极将PVDF有机聚合物薄膜侧面保护起来，方便后续传统工艺的实施，使其可与其他器件集成制备，不受传统工艺的限制。
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公开(公告)号：CN102003998A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201010286025.4
申请日：2010-09-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开一种高灵敏非制冷红外探测器。本发明用聚偏二氟乙烯和三氟乙烯的共聚物作为热释电材料，并将其运用郎缪尔-布拉吉特方法生长在制备好金属底电极的聚酯材料衬底上，然后在材料上表面生长金属上电极，形成电容器结构，并在上电极上生长聚3，4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸导电聚合物作为红外吸收层。
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