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公开(公告)号：CN106915723B
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201510998013.7
申请日：2015-12-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供一种基于激光结合各向异性腐蚀的梁‑质量块结构的制备方法，包括以下步骤：1）提供（111）硅片；2）采用激光加工工艺在所述（111）硅片背面形成第一深槽；3）在所述（111）硅片正面形成第二深槽；4）在所述（111）硅片表面、所述第一深槽及所述第二深槽侧面及底部形成第一氧化层；5）在所述（111）硅片正面形成第三深槽；6）在所述第一氧化层表面及所述第三深槽的侧面及底部形成第二氧化层；7）采用反应离子刻蚀工艺及各向异性腐蚀工艺释放梁。采用激光加工工艺结合反应离子刻蚀工艺及各向异性腐蚀工艺形成梁‑质量块结构，可降低整个工艺的成本；梁结构的厚度由从（111）硅片正面进行的深反应离子刻蚀决定，工艺精度高。
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公开(公告)号：CN119995553A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202411961117.6
申请日：2024-12-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种MEMS电容式谐振器结构及其制作方法，该MEMS谐振器由两个Lamé模态矩形谐振子和多根纵向振动细长梁强耦合而成，其中Lamé模态矩形谐振子由2n+1(n为正整数)个正方形Lamé模态谐振子组合。纵向振动细长梁与Lamé模态矩形谐振子的连接点在单个Lamé模态正方形谐振子的中心处，且纵向振动细长梁对称分布，使得整个谐振结构为中心对称结构。谐振结构的锚点可以设置在单个Lamé模态正方形谐振子的中心位置，也可以设置在Lamé模态矩形谐振子的四角，还可设置在纵向振动细长梁的中心节点位置。本发明通过强耦合设计将多个Lamé模态正方形谐振子组合而成的矩形谐振子增大了电极面积，可以显著降低谐振器的等效阻抗，有利于后端接口电路的设计。
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公开(公告)号：CN119660663A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411689990.4
申请日：2024-11-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种应力偏转电极及其制备工艺，所述应力偏转电极制作在衬底上，所述衬底包括依次设置的硅片、绝缘层和结构层；所述应力偏转电极包括电极、支撑电极的预应力梯度梁、底部锚点、锚点和金属电极；所述预应力梯度梁为双层结构，包括预应力膜和导电膜；所述预应力梯度梁通过底部锚点与硅片相连；所述电极通过连接点与导电膜连接，并通过导电膜与金属电极实现电学连接；在结构释放前，所述预应力梯度梁垂直于硅片表面；在结构释放后，所述预应力梯度梁发生偏转并停靠在硅片的停靠点上，通过锚点实现对应力偏转电极尾部的固定。本发明的应力偏转电极实现亚微米到纳米量级的电容间隙，可突破现有工艺的深宽比极限，还可实现多个电极紧密排列。
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公开(公告)号：CN115919270B
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202211370489.2
申请日：2022-11-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: A61B5/02
Abstract: 本发明提供一种基于密集柔性传感阵列的中医脉体软度判定方法，利用传感器阵列获取脉体随指压变化而产生的形变特征变化，以获得脉体软度判定结果；所述传感器阵列于一维阵列上包括的压力传感器个数≥5；本发明方法包括：将脉体的切脉过程根据施加压力由小到大，划分为若干个不同阶段；利用所述传感器阵列采集不同阶段的脉体压力分布曲线；基于所述脉体压力分布曲线，构建脉体的形变特征，并获取于各阶段的形变特征值；根据各所述形变特征值，获取脉体于所述切脉过程的总变化特征值；检测所述总变化特征值是否满足预设的脉体软度判定条件，根据检测结果获取脉体的软度判定结果，有效地提高了脉体软度判定的准确性。
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公开(公告)号：CN111938610A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010662146.8
申请日：2020-07-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: A61B5/02
Abstract: 本发明涉及一种气囊一体化的脉诊仪触觉传感阵列结构，包括气囊、PCB线路软板，所述气囊与导气管连通，所述气囊的人体接触面上开设有测试区域，所述测试区域内嵌入有与所述PCB线路软板相连的传感器阵列；所述传感器阵列包括多个传感器，所述传感器的敏感面与所述气囊的人体接触面近似在一个平面。本发明能够提高测量的精确度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118723911A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202310314056.3
申请日：2023-03-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种晶圆级转移结构及其转移方法，晶圆级转移方法包括：于第一晶圆制备MEMS芯片，MEMS芯片与第一晶圆仅通过连接柱进行连接；将第二晶圆与第一晶圆通过MEMS芯片进行键合；对第一晶圆和第二晶圆的表面施加横向剪切力或温度差，使连接柱的悬空部分变形至断裂，使MEMS芯片从第一晶圆转移到第二晶圆上。本发明通过制备MEMS芯片后转移到晶圆上集成的方法，提高了MEMS芯片在晶圆上可以实现的集成度；同时利用面对面键合的方式转移MEMS芯片，从而避免了引线键合产生的寄生效应；另外通过直接在晶圆上制备MEMS芯片，提高了MEMS集成电路的制备效率；最后，配合温度差和施加应力的方法，降低了工艺复杂度。
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公开(公告)号：CN111722707B
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202010337982.9
申请日：2020-04-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F3/01
Abstract: 本发明涉及传感器技术领域，本发明公开了一种背接触触觉传感器的制作方法及背接触触觉传感器，该传感器的制作方法包括以下步骤：通过将圆片级未释放传感芯片正面的第一导电件和圆片级待键合封装基板正面的第二导电件键合；利用封装基板的力学支撑作用，对上述封装后待释放触觉传感器进行释放，能够实现超薄传感芯片的转移，在上述释放过程后，超薄传感芯片背面能够自发形成连续的硅膜结构，再将上述触觉传感器经过临时键合工艺、基板背面减薄工艺和划片工艺，得到分立的封装后背接触式触觉传感器，从而使得到的传感器能够通过组装工艺设于柔性基板上。本发明提供的触觉传感器具有尺寸小、封装成本低和大面积可扩展的特点。
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公开(公告)号：CN108615704B
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201810261142.1
申请日：2018-03-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/768 , H01L23/528
Abstract: 本发明涉及一种硅通孔互连的制作工艺，包括以下步骤：S1，在硅圆片的盲孔中形成多晶硅填充结构，在多晶硅填充结构的第一表面形成阻挡层结构；S2，减薄该硅圆片，使得该盲孔形成为硅通孔结构；S3，在多晶硅填充结构的与第一表面相对的第二表面形成金属电极结构；S4，在金属电极结构上形成金凸点；S5，加热硅圆片，使得金与多晶硅填充结构在硅通孔结构中形成金硅合金结构。本发明还涉及一种由此形成的硅通孔互连结构。本发明又涉及一种硅通孔互连结构的应用。根据本发明的硅通孔互连的制作工艺、由此形成的硅通孔互连结构及其应用，结合了多晶硅TSV孔径小的优点，降低了硅通孔互连结构的寄生电阻。
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公开(公告)号：CN108168580B
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201711395423.8
申请日：2017-12-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种用于硅基MEMS电容式传感器的防静电结构，该传感器具有固定的第一敏感电极和可动的第二敏感电极，其中，所述防静电结构包括分别连接在所述第一敏感电极与一地电极之间、所述地电极与一输出电极之间、所述输出电极与所述第二敏感电极之间的三个多晶硅结构层，其中，每个多晶硅结构层与其相邻的两个电极构成一对背靠背二极管。本发明能够保证电容式传感器两电极在非工作状态下不被吸合或击穿，同时又不会对传感器的正常工作产生影响。
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公开(公告)号：CN109734046A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201811597857.0
申请日：2018-12-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种真空封装工艺，包括以下步骤：提供硅圆片和玻璃圆片；在硅圆片和玻璃圆片中的一个上制作需要真空封装的结构或器件，在硅圆片和玻璃圆片中的另一个上制作敞开的凹槽，在凹槽内制作用于局域氧化的金属层；硅圆片和玻璃圆片通过阳极键合形成微腔体结构，该微腔体结构具有由凹槽形成的气密腔，金属层位于该气密腔的内部，阳极键合产生的氧气进入气密腔的内部；射频激发气密腔的内部的氧气形成氧等离子体，金属层与氧等离子体发生氧化反应以持续消耗氧气直至氧气无法启辉形成氧等离子体为止。本发明提供的真空封装工艺，利用硅-玻璃阳极键合产生氧气以及金属薄膜在氧等离子体中持续氧化的特性，最终实现真空封装。
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