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公开(公告)号：CN109559985A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811406407.9
申请日：2018-11-23
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: H01L21/28 , H01L21/329 , H01L29/417 , H01L29/88
Abstract: 本发明公开了一种具有空气桥的半导体器件及其制作方法，在半导体器件中制作空气桥样式的电极，进而保证具有空气桥的半导体器件显著降低了器件寄生效应引入的损耗，提升了半导体器件的频率和功率特性。本发明提供的技术方案，通过在第二掩膜层的镂空区域处形成第二电极层，进而与第一电极层叠加使得电极结构厚度增加，以及，采用剥离技术去除第掩膜层和第二掩膜层的同时，去除第一电极层在第一掩膜层和第二掩膜层交叠区域的部分，最终形成半导体器件的电极结构；其中，采用双掩膜层剥离技术和加厚电极层的方式制作半导体器件的电极结构，在保证制作的空气沟槽处空气桥稳定的基础上，简化了制作半导体器件的流程。
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公开(公告)号：CN109524305A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201811406408.3
申请日：2018-11-23
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: H01L21/329 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L29/88
CPC classification number: H01L29/66219 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L29/882
Abstract: 本发明公开了一种基于电极自对准的半导体器件及其制作方法，首先在第二掺杂层背离衬底一侧形成一对应收集极区的自对准电极，以自对准电极为掩膜对衬底上的外延结构进行刻蚀，得到收集极区相应的台面，由于自对准电极与第二掺杂层结合强度大不易脱落，通过精确控制自对准电极的尺寸达到缩小收集极区相应台面的尺寸的目的，解决收集极区相应台面尺寸大的问题；由于先在收集极区相应处形成自对准电极，相当于已经完成在收集极区处欧姆电极的制备，避免了后续制程中对钝化膜对应收集极区处的开孔与连接电极的对准时精确需求，只需要设计连接电极与自对准电极对准接触即可完成对准要求，降低后续制作电极结构的工艺难度，提升了制作工艺稳定性。
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公开(公告)号：CN105807305B
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201610325219.8
申请日：2016-05-17
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: G01T1/00
Abstract: 本发明公开了一种双波长脉冲激光辐射剂量率效应模拟系统，该系统包括双波长脉冲激光产生系统、脉冲激光双光路能量衰减与调节系统、测试与控制系统；本发明可同时产生532nm和1064nm的脉冲激光，并引入到双光路衰减和调节系统，两种波长激光在半导体器件中穿透深度不同，并通过物镜或扩束镜进行光斑聚焦或扩束，可对半导体器件灵活进行灵敏层和灵敏位置定位，有效弥补了现有单波长脉冲激光辐射剂量率效应模拟系统的不足，降低了试验成本，提高了试验效率，为有针对性的进行抗辐射加固设计提供了有效手段。
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公开(公告)号：CN108364950A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810142345.9
申请日：2018-02-11
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: H01L27/06 , H01L21/8252
CPC classification number: H01L27/0605 , H01L21/8252 , H01L27/0611
Abstract: 本发明提供了一种外延结构及制作GaAs基单管器件和GaAs基片上集成变频电路的方法，旨在解决现有的工艺比较复杂的问题。一种外延结构，从下至上依次包括衬底、缓冲层半导体、选择性腐蚀层、薄膜支撑层、高阻隔离层、重掺杂n+GaAs层和低掺杂n-GaAs层。正面制作GaAs基单管器件的方法：A1、片上肖特基器件的制作步骤；B1、对片上肖特基器件进行隔离；C1、衬底脱落。GaAs基片上集成变频电路的制作方法：A2、片上肖特基器件制作步骤。B2、去除重掺杂n+GaAs层和低掺杂n-GaAs层。C2、集成无源器件。D2、对片上肖特基器件进行隔离。E2、通过空气桥工艺和电镀工艺制作梁式引线。F2、衬底脱落。本发明工艺简化，节约了成本。
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公开(公告)号：CN108075898A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201711417938.3
申请日：2017-12-25
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
CPC classification number: H04L9/3278 , H04B10/70 , H04L9/3271
Abstract: 本发明公开了一种三重安全机制的量子认证方法，具体是指：量子不可克隆机制、物理不可克隆机制和防窥探保护机制。首先，采用量子光作激励，根据量子态测量塌缩原理，窃听者无法在不改变的情况下得知激励态，遵循“量子不可克隆”机制；其次，采用由数万亿个无序纳米粒子构成的量子钥匙，工艺技术上无法实现克隆，实现“物理不可克隆”；在量子钥匙中加入发光示警或可重构材料，非法复制或篡改会使量子钥匙发光示警或结构重构，使合法使用者知悉，从而及时废弃确保其安保性，形成“防窥探保护”机制。本发明提出的这种三重安全机制的量子认证方法可广泛应用于安全认证、量子加密、银行和金融等对身份认证要求极高的领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107063481A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710324765.4
申请日：2017-05-10
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: G01J11/00
CPC classification number: G01J11/00
Abstract: 本发明针对宽禁带半导体量子点难以在光学显微镜下辨识并测量其荧光的二阶相关性的问题，提出了联合共聚焦显微镜，电动平移载物台，光谱仪及单光子探测器，构建成一套方便、易实施的测量宽禁带半导体量子点荧光的二阶相关性的系统，可以实现二阶相关性的二维平面内扫描测量，能够一次性测量整个衬底上所有量子点各自的荧光二阶相关性结果，有效解决量子点在光学显微镜下难以寻找和定位的问题。
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公开(公告)号：CN106771952A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710024954.X
申请日：2017-01-13
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: G01R31/26
CPC classification number: G01R31/2601 , G01R31/2642
Abstract: 本发明公开了一种宽禁带半导体器件辐射效应激光模拟系统，该系统包括短波长脉冲激光产生与衰减系统、显微成像与能量监测系统、测试与控制系统三个部分。本发明可利用短波长脉冲激光辐照宽禁带半导体器件，在半导体器件中产生电离效应，模拟伽马射线等辐射源作用于半导体器件的辐射电离效应，填补了宽禁带半导体器件的辐射电离效应激光模拟系统的空白，且该系统具有结构紧凑、安全性高等特点，降低了试验成本，提高了试验效率，为有针对性的对宽禁带半导体器件进行抗辐射加固设计提供了有效手段。
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公开(公告)号：CN105891694A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610288215.7
申请日：2016-05-04
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: G01R31/265
Abstract: 本发明涉及一种硅基半导体晶体管的激光模拟辐射剂量率效应试验方法，该方法的步骤为：1）选取同批次同型号的硅基半导体晶体管至少三个，进行开封预处理，作为待测半导体晶体管；2）测试待测半导体晶体管功能正常；3）焊接测试电路板，将待测半导体晶体管接入测试电路；4）将激光光束照射到待测晶体管芯片上；5）调节激光光束能量，测试待测晶体管的响应并由示波器记录；本发明提供了一种可在实验室条件下用于半导体晶体管辐射剂量率效应的激光模拟试验方法，有效缩短了抗辐射加固设计周期，降低了试验成本，为研究硅基半导体器件的辐射剂量率效应提供了一种有力手段，其试验装置和试验方法的推广具有重要价值。
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公开(公告)号：CN105807305A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610325219.8
申请日：2016-05-17
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: G01T1/00
Abstract: 本发明公开了一种双波长脉冲激光辐射剂量率效应模拟系统，该系统包括双波长脉冲激光产生系统、脉冲激光双光路能量衰减与调节系统、测试与控制系统；本发明可同时产生532nm和1064nm的脉冲激光，并引入到双光路衰减和调节系统，两种波长激光在半导体器件中穿透深度不同，并通过物镜或扩束镜进行光斑聚焦或扩束，可对半导体器件灵活进行灵敏层和灵敏位置定位，有效弥补了现有单波长脉冲激光辐射剂量率效应模拟系统的不足，降低了试验成本，提高了试验效率，为有针对性的进行抗辐射加固设计提供了有效手段。
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公开(公告)号：CN105471586A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201510912833.X
申请日：2015-12-11
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
CPC classification number: H04L9/3278 , B05D7/24 , H04L9/0852
Abstract: 本发明公开了一种自支撑物理不可克隆钥匙及其制备方法，其制备方法是：通过在基底上生长脱膜剂，在脱膜剂层上生长由无序微纳米颗粒嵌埋于透明介质形成复合膜；然后，采用溶剂将脱膜剂溶掉，再将溶剂中脱离下来的复合膜取出干燥即得到由无序微纳米颗粒嵌埋于透明介质中构成的自支撑物理不可克隆钥匙；本自支撑物理不可克隆钥匙，具有高稳定性和高可靠性，适合于做自支撑结构；本制备方法成本低、简便易行，具备实用性；获得的自支撑物理不可克隆钥匙体积小，不受基底限制，既可转移到各种基底上使用，也可镶嵌进传统安全认证卡片中或可直接应用于高度集成化的量子认证与量子密钥分配微系统中。
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