公开(公告)号：CN101362033A

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：CN200810144922.4

申请日：2008-08-07

Applicant: 东进世美肯株式会社

Inventor： 金圣培 ,  李圣贤 ,  许铉 ,  金柄郁

IPC: B01D21/26

Abstract: 本发明涉及半导体或显示屏制造工艺的试液再循环方法和装置，其能够在工序进行中除去半导体或显示屏制造工艺的试液(特别是在清洗或剥离工序中的清洗液或剥离液)所含有的渣，能够实现连续运转和实时运转，通过调节离心加速度、停留时间等而具有能够容易地实现对工序上难除去的颗粒状微粒进行固液分离至所期望的粒度范围的效果。所述方法的特征在于，其包含如下阶段：由半导体或显示屏工艺设备向外部供给使用过的试液的阶段；对所述试液进行离心分离，分离成i)渣和ii)试液的离心分离阶段；将在离心分离阶段中在离心力的作用下被分离排出的试液收集，再供给到工艺设备中的再循环阶段；和将由离心分离阶段分离出的渣收集的阶段。

公开(公告)号：CN101017333A

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN200610003266.7

申请日：2006-02-06

Applicant: 东进世美肯株式会社

Inventor： 尹锡壹 ,  金圣培 ,  郑宗铉 ,  朴熙珍 ,  辛成健 ,  张锡唱 ,  金玮溶 ,  许舜范 ,  金柄郁

IPC: G03F7/42

Abstract: 本发明公开了一种正型光致抗蚀剂剥离剂组合物，它包括：a)占10－50重量％的有机胺；b)占0－70重量％的二甘醇单烷基醚；c)占20－90重量％的非质子极性溶剂；d)基于所述三种成分的总重量，占0.01－10重量％的非离子表面活性剂。本发明正型光致抗蚀剂剥离剂组合物对经蚀刻处理等工艺而变质的光致抗蚀剂图案膜具有优异的溶解性和剥离性，并与水混合后作为清洗液(rinse)使用时，对铝或铜基板的腐蚀小、蒸发少，不仅对作业环境有利，而且稳定性高，并可用水进行清洗，特别是低温剥离性能优异，因此具有很强的实用性。

公开(公告)号：CN1950754A

公开(公告)日：2007-04-18

申请号：CN200580014563.5

申请日：2005-05-06

Applicant: 东进世美肯株式会社

Inventor： 金柄郁 ,  尹锡壹 ,  金圣培 ,  金玮溶 ,  张锡唱 ,  郑宗铉

IPC: G03F7/32

CPC classification number: G03F7/425 ,  C07D295/027 ,  C07D295/088

Abstract: 本发明涉及一种在制作电路或显示装置图形中使用的光刻胶去除剂组合物，更具体而言，涉及一种含有胺和溶剂的光刻胶去除剂组合物，其中，所述胺为环胺化合物。本发明的光刻胶去除剂组合物可容易并快速地去除光刻胶膜，并可使形成图形的金属电路的腐蚀最小化。

公开(公告)号：CN1924710A

公开(公告)日：2007-03-07

申请号：CN200610128676.4

申请日：2006-09-04

Applicant: 东进世美肯株式会社

Inventor： 尹锡壹 ,  金圣培 ,  郑宗铉 ,  朴熙珍 ,  金柄郁

IPC: G03F7/42

Abstract: 本发明涉及一种用于在制造诸如集成电路(IC)、大规模集成电路(LSI)、超大规模集成电路(VLSI)等的半导体器件的过程中去除光刻胶的光刻胶去除剂组合物，该光刻胶去除剂组合物包括：(a)0.1～10wt％的过氧化氢或过氧化氢衍生物；(b)5～50wt％的有机溶剂；(c)0.5～30wt％的有机胺；(d)5～60wt％的水；(e)0.0001～20wt％的铵盐；(f)0.4～10wt％的防腐剂；和(g)0.5～30wt％的过氧化氢或过氧化氢衍生物的稳定剂。本发明的包括过氧化氢或过氧化氢衍生物的光刻胶去除剂组合物可在短时间内、在高温或低温下有效去除通过硬性烘烤(hardbaking)、干法刻蚀、灰化和/或离子注入硬化并改性的光刻胶膜和通过从光刻胶膜下的金属膜刻蚀出的金属副产品改性的光刻胶膜，并同时将光刻胶膜下的金属布线的腐蚀减到最少。