公开(公告)号：CN104969129A

公开(公告)日：2015-10-07

申请号：CN201480007310.4

申请日：2014-01-24

Applicant: 东进世美肯株式会社

Inventor： 权五焕 ,  尹锡壹 ,  郑宗铉 ,  金炳郁 ,  赵泰杓 ,  辛成健

IPC: G03F7/42 ,  G03F7/32 ,  H01L21/027 ,  G03F7/09

Abstract: 本发明涉及一种稀释剂组合物及其用途。本发明的稀释剂组合物对各种光阻剂都具有优异的溶解力，且具有最适当的挥发性，因此能够在短时间内于边缘球状物移除工艺或类似工艺中有效地去除不必要附着的光阻剂，并且可应用于半导体基板的预润湿工艺，用少量的光阻剂也能够有效地形成感光膜。

公开(公告)号：CN101025579A

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200710000701.5

申请日：2007-01-10

Applicant: 东进世美肯株式会社

Inventor： 尹锡壹 ,  金圣培 ,  郑宗铉 ,  许舜范 ,  金柄郁

IPC: G03F7/42

Abstract: 本发明涉及一种抗蚀剂剥离剂组合物，尤其涉及一种包含选自具有双氧键的环状化合物、乙二醇类化合物及碳酸类化合物中的化合物的抗蚀剂剥离剂组合物。本发明的抗蚀剂剥离剂组合物可进一步包含内酯类化合物、胺或有机酸、氧化剂或其混合物。本发明的抗蚀剂剥离剂组合物，可用于去除在电路或显示元件金属布线的图形化中所使用的抗蚀剂，其对图形化金属膜上所残留的抗蚀剂具有优秀的剥离效果，并在高温下，其因挥发而引起的成分变化及药液疲劳度极小，且能将对图形化金属膜的腐蚀降到最低。

公开(公告)号：CN1950755A

公开(公告)日：2007-04-18

申请号：CN200580014564.X

申请日：2005-05-06

Applicant: 东进世美肯株式会社

Inventor： 金柄郁 ,  尹锡壹 ,  金圣培 ,  金玮溶 ,  张锡唱 ,  郑宗铉

IPC: G03F7/32

CPC classification number: G03F7/425 ,  G03F7/426

Abstract: 本发明涉及一种在制作电路或显示器件图形中使用的光刻胶去除剂组合物，更具体地说，涉及一种含有胺、溶剂和防腐剂的光刻胶去除剂组合物，所述防腐剂为选自包括三唑化合物、巯基化合物、含有羟基的有机酚化合物及其混合物的组的至少一种化合物。本发明的光刻胶去除剂组合物能够容易快速地去除光刻胶膜，并且能够使图形化的金属电路的腐蚀降低至最小。

公开(公告)号：CN1713077A

公开(公告)日：2005-12-28

申请号：CN200510077285.X

申请日：2005-06-21

Applicant: 东进世美肯株式会社

Inventor： 金柄郁 ,  金圣培 ,  尹锡壹 ,  张锡唱

IPC: G03F7/42

Abstract: 本发明涉及一种组合物，该组合物用于去除电路或显示设备的金属布线构图所用的抗蚀剂。本发明组合物含有一种碳酸亚烃酯、并可任选地含有一种叔胺或一种氧化剂。本发明组合物可以高效去除残留在已构图的金属膜上的抗蚀剂，在高温下由蒸发引起的组成变化和化学疲劳小，并且能将已构图的金属膜的腐蚀降到最低。