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公开(公告)号：CN101115779A
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200680004397.5
申请日：2006-02-27
Applicant: 东洋橡胶工业株式会社
IPC: C08G18/00 , C08G18/48 , B24B37/00 , C08J5/14 , C08G18/10 , H01L21/304 , C08G18/32 , C08G101/00
CPC classification number: B24B37/24 , B24D3/28 , C08G18/10 , C08G2101/00 , C08G18/3237 , C08G18/3215
Abstract: 本发明提供一种具有由聚氨酯树脂发泡体形成的研磨层的研磨垫及其制造方法中，所述聚氨酯树脂发泡体是异氰酸酯末端预聚物和增链剂的反应固化物，其中，(1)使用熔点70℃以下的芳香族多胺作为增链剂，(2)使用含有异氰酸酯成分和高分子量多元醇的异氰酸酯末端预聚物和作为增链剂的芳香族二醇的EO/PO加成体，或(3)使用脂肪族/脂环族异氰酸酯末端预聚物和作为增链剂的非卤素类芳香族胺。此外，所述聚氨酯树脂发泡体也可以使用多聚化二异氰酸酯和芳香族二异氰酸酯作为异氰酸酯成分。由此能够得到具有极其均匀的微细气泡，研磨特性(平坦化特性)优异，修整性提高的研磨垫。
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公开(公告)号：CN107004917A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580063543.0
申请日：2015-05-29
Applicant: 东洋橡胶工业株式会社
CPC classification number: G01R31/3648 , G01B7/24 , G01B21/32 , G01R31/392 , G01R31/44 , H01M10/44 , H01M10/48
Abstract: 本发明的密闭型二次电池的劣化诊断方法包括：检测密闭型二次电池的变形，求出第1曲线的步骤，其中所述第1曲线表示自满充电状态的放电容量或直至满充电状态为止的充电容量与所检测的上述密闭型二次电池的变形量的关系；求出第2曲线L3的步骤，其中所述第2曲线L3表示该充放电容量与上述第1曲线的斜率的关系；和在基于在第2曲线L3出现的峰的宽度所计算的充放电容量大于基于与第2曲线L3对应的规定基准状态下的峰的宽度所计算的充放电容量Qws3、Qws4时，判定为由反应分布的扩大所致的劣化模式的步骤。
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公开(公告)号：CN106471385A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201580030206.1
申请日：2015-05-29
Applicant: 东洋橡胶工业株式会社
CPC classification number: G01R31/392 , G01B7/24 , G01R31/3648 , H01M4/587 , H01M10/0525 , H01M10/48 , H01M2220/20 , Y02E60/122
Abstract: 密闭型二次电池的劣化诊断方法包括：检测密闭型二次电池的变形，求出表示从完全充电状态开始的放电容量或到完全充电状态为止的充电容量与所检测的密闭型二次电池的变形量的关系的第1曲线的步骤；求出表示该充放电容量与所述第1曲线的斜率的关系的第2曲线L2的步骤；算出在第2曲线L2中作为极小值出现的阶段变化点P1、P2间的充放电容量Qc的步骤；及基于充放电容量Qc相对于规定的基准状态下的阶段变化点Ps1、Ps2间的充放电容量Qs的比Qc/Qs，算出活性物质的维持率的步骤。
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公开(公告)号：CN106463795A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580025773.8
申请日：2015-06-04
Applicant: 东洋橡胶工业株式会社
CPC classification number: H01M10/48 , G01B7/24 , G01D5/12 , G01D11/24 , G01L1/12 , G01L1/122 , H01M2/10 , H01M10/0525 , H01M10/4285 , H01M2220/20
Abstract: 本发明的目的是提供可高灵敏度地检测因单电池的膨胀引起的变形、不压缩容量且稳定性优异的密闭型二次电池的变形检测传感器。密闭型二次电池的变形检测传感器具有高分子基质层(3)及检测部(4)。对应该高分子基质层(3)的变形而给予外场以变化的磁性填料被分散而包含于高分子基质层(3)。前述检测部(4)检测该外场的变化。高分子基质层(3)被夹在彼此相邻的单电池(2)的间隙内以压缩状态安装。
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公开(公告)号：CN106461368A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580032009.3
申请日：2015-04-13
Applicant: 东洋橡胶工业株式会社
CPC classification number: B60N2/90 , B60N2/002 , B60N2/70 , B60R22/48 , B60R2022/4816 , B60R2022/4858 , G01B7/24 , G01D5/12 , G01D5/145
Abstract: 本发明的目的是获得提高缓冲垫的耐久性，同时不产生异物感的缓冲垫。本发明提供一种检测缓冲垫的变形的系统及其制造方法，所述系统包含：缓冲垫，其包含弹性体中分散有磁性填料且算术平均粗糙度(Ra)为0.5μm～10μm的磁性弹性体，和通过与该磁性弹性体粘接而一体化的软质发泡聚氨酯；以及磁性传感器，其检测由该缓冲垫的变形所引起的磁性变化。
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公开(公告)号：CN106415880A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201580027716.3
申请日：2015-06-10
Applicant: 东洋橡胶工业株式会社
CPC classification number: G01D5/145 , G01B7/24 , H01M2/1077 , H01M10/482 , H01M2220/20
Abstract: 目的在于，提供可在宽的温度范围高灵敏度地检测因单电池的膨胀引起的密闭型二次电池的变形的密闭型二次电池的变形检测传感器、密闭型二次电池、及密闭型二次电池的变形检测方法，在具备高分子基质层和检测部的密闭型二次电池的变形检测传感器中，将高分子基质层设为分散并含有根据该高分子基质层的变形而使外场变化的填料，检测部设为检测外场的变化，高分子基质层的玻璃化转变温度(Tg)设为-30℃以下。
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公开(公告)号：CN101704309B
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN200910178370.3
申请日：2006-07-07
Applicant: 东洋橡胶工业株式会社
IPC: B32B5/20
CPC classification number: B29C44/06 , B32B5/022 , B32B5/20 , B32B5/245 , B32B7/12 , B32B27/065 , B32B27/12 , B32B27/36 , B32B2262/0246 , B32B2266/0278 , B32B2266/06 , B32B2307/724 , B32B2457/00 , B32B2457/14 , B32B2551/00 , B32B2551/08 , C08G18/12 , C08G18/4072 , C08G18/4277 , C08G18/4854 , C08G18/6564 , C08G18/6607 , C08G2101/00 , C08G2101/0008 , C08J9/30 , C08J2375/04 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , H01L2924/01012 , Y10T428/249975 , Y10T428/249978 , Y10T428/249979 , Y10T428/249991 , C08G18/3206
Abstract: 第1发明的目的在于提供极其容易地制造保持面的表面精度高的层叠片的方法。第2发明的目的在于提供极其容易地制造保持面的表面精度高、被研磨材料的吸附性优异的层叠片的方法。第3发明的目的在于提供保持面的表面精度高、被研磨材料的吸附性优异的层叠片及其制造方法。第4发明的目的在于提供被研磨材料的吸附性优异且耐久性优异的层叠片。本发明的层叠片包括基材片和聚氨酯发泡层。
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公开(公告)号：CN101669195B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200880012254.8
申请日：2008-05-09
Applicant: 东洋橡胶工业株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , B24B37/12
CPC classification number: B24B37/205
Abstract: 本发明的目的在于提供制造能够防止漏浆、并且光学检测精度优良的研磨垫的方法。本发明的研磨垫制造方法，包括：在研磨层的研磨背面一侧形成用于注入光透过区域形成材料的沟的工序；通过在所述沟内注入光透过区域形成材料并使其固化而形成光透过区域的工序；和通过对研磨层的研磨表面一侧进行抛光而使所述光透过区域在研磨表面露出的工序。
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公开(公告)号：CN101616773B
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200880005623.0
申请日：2008-02-29
Applicant: 东洋橡胶工业株式会社
IPC: B24B37/00 , C08J9/30 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/24 , B24D3/32 , B24D18/00 , C08J9/30 , C08J2375/04
Abstract: 本发明的目的在于提供具有近似球状的气泡、厚度精度优良的研磨垫的制造方法。本发明涉及一种研磨垫制造方法，包括：通过机械发泡法制备气泡分散的氨基甲酸酯组合物的工序；在输送面材A(9)的同时从一个排出口将气泡分散的氨基甲酸酯组合物(11)连续地排出到该面材A的宽度方向的近似中央部的工序；在该气泡分散的氨基甲酸酯组合物上层压面材B(14)，之后通过厚度调节工具(15)将气泡分散的氨基甲酸酯组合物的厚度调节均匀的工序；不施加另外的负荷而使前一工序中进行了厚度调节的气泡分散的氨基甲酸酯组合物固化，由此形成包含聚氨酯发泡体的研磨片的工序；和切割研磨片的工序。
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公开(公告)号：CN101663132B
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200880012418.7
申请日：2008-05-15
Applicant: 东洋橡胶工业株式会社
IPC: B24B37/00 , H01L21/304
CPC classification number: B24D18/00 , B24B37/205 , Y10T428/24322 , Y10T428/24331 , Y10T428/24364
Abstract: 本发明的目的在于提供制造能够防止从研磨区域与光透过区域的间隙漏浆、并且光学检测精度优良的研磨垫的方法。本发明涉及一种研磨垫制造方法，包括：通过机械发泡法制备气泡分散的氨基甲酸酯组合物的工序；在输送面材的同时或者在使传送带移动的同时，在该面材上或传送带上的预定位置配置光透过区域的工序；将所述气泡分散的氨基甲酸酯组合物连续地排出到未配置所述光透过区域的所述面材上或传送带上的工序；在排出的所述气泡分散的氨基甲酸酯组合物上层压另一面材或传送带的工序；将厚度调节均匀的同时使所述气泡分散的氨基甲酸酯组合物固化，由此形成包含聚氨酯发泡体的研磨区域而制作研磨片的工序；在所述研磨片的单面上涂布包含脂肪族和/或脂环族多异氰酸酯的聚氨酯树脂涂料并使其固化而形成不透水膜的工序；和切割所述研磨片的工序。
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