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公开(公告)号：CN100349267C
公开(公告)日：2007-11-14
申请号：CN200380104102.8
申请日：2003-11-27
Applicant: 东洋橡胶工业株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00
Abstract: 本发明的目的在于提供可以在进行研磨的状态下实现高精度的光学终点检测并且研磨特性(表面均一性、面内均一性等)优良的研磨垫，进而可以获得宽范围的晶片的研磨轮廓的研磨垫。本发明之一的研磨垫，在透光区域的波长400～700nm的全区域中的透光率，在50%以上。本发明之二的研磨垫的透光区域的厚度为0.5～4mm，并且在透光区域的波长600～700nm的全区域中的透光率，在80%以上。本发明之三的研磨垫的透光区域被设于研磨垫的中心部和周端部之间，并且直径方向的长度(D)为圆周方向的长度(L)的3倍以上。
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公开(公告)号：CN102554766A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210004655.7
申请日：2005-12-08
Applicant: 东洋橡胶工业株式会社
IPC: B24B37/22
CPC classification number: B24B37/205 , Y10T428/24339 , Y10T428/24992
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种研磨垫，其在进行研磨的状态下进行高精度的光学终点检测，即使在长时间使用的情况下，也可以防止来自研磨区域与透光区域之间的漏浆。本发明的研磨垫将具有研磨区域及透光区域的研磨层和具有比透光区域小的开口部(B)的缓冲层层叠，使得透光区域与开口部(B)重合，并且在所述透光区域的背面与所述开口部(B)的断面的接触部分，设有将该接触部分覆盖的环状的不透水性弹性构件。
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公开(公告)号：CN101659036A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200910169165.0
申请日：2005-12-08
Applicant: 东洋橡胶工业株式会社
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种研磨垫，其在进行研磨的状态下进行高精度的光学终点检测，即使在长时间使用的情况下，也可以防止来自研磨区域与透光区域之间的漏浆。本发明的研磨垫在研磨区域(8)及透光区域(9)的单面设有防透水层(10)，并且透光区域与防透水层由相同材料一体化形成。
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公开(公告)号：CN100569448C
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200710148749.0
申请日：2002-10-03
Applicant: 东洋橡胶工业株式会社
IPC: B24B37/04 , B24D13/00 , B24D18/00 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种研磨垫，通过该研磨垫可以稳定且高研磨效率地将透镜、反射镜等的光学材料、或硅晶片、硬盘用的玻璃基片、铝基片、以及一般的金属研磨加工等的要求高度表面平坦性的材料平坦化。本发明还提供半导体晶片用研磨垫，其平坦化特性优良，划痕的发生少并且可以低成本制造。还提供无脱夹误差从而不仅不损害晶片也不降低作业效率的研磨垫。还提供平坦性、晶片内均匀性、和研磨速度令人满意、并且研磨速度变化小的研磨垫。还提供可以同时获得平坦性提高和划痕减少的研磨垫。
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公开(公告)号：CN100461346C
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200580012420.0
申请日：2005-02-22
Applicant: 东洋橡胶工业株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00
Abstract: 本发明提供了具有研磨层和垫层的用于研磨半导体晶圆的研磨垫，其特征在于所述研磨层由发泡聚氨酯构成，其弹性挠曲模数为250-350MPa，所述垫层由闭孔多孔状材料构成，其厚度为0.5-1.0mm，应变常数为0.01-0.08μm/(gf/cm2)。本发明提供了使用该研磨垫制造半导体器件的方法。上述研磨垫能使待研磨物品如半导体晶圆具有优异的平面性和均一性而不形成划痕。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101143428A
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200710148747.1
申请日：2002-10-03
Applicant: 东洋橡胶工业株式会社
IPC: B24B37/04 , B24D3/20 , B24D13/00 , B24D18/00 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种研磨垫，通过该研磨垫可以稳定且高研磨效率地将透镜、反射镜等的光学材料、或硅晶片、硬盘用的玻璃基片、铝基片、以及一般的金属研磨加工等的要求高度表面平坦性的材料平坦化。本发明还提供半导体晶片用研磨垫，其平坦化特性优良，划痕的发生少并且可以低成本制造。还提供无脱夹误差从而不仅不损害晶片也不降低作业效率的研磨垫。还提供平坦性、晶片内均匀性、和研磨速度令人满意、并且研磨速度变化小的研磨垫。还提供可以同时获得平坦性提高和划痕减少的研磨垫。
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公开(公告)号：CN101130233A
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200710148750.3
申请日：2002-10-03
Applicant: 东洋橡胶工业株式会社
IPC: B24B37/04 , B24D3/20 , B24D13/00 , B24D18/00 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种研磨垫，通过该研磨垫可以稳定且高研磨效率地将透镜、反射镜等的光学材料、或硅晶片、硬盘用的玻璃基片、铝基片、以及一般的金属研磨加工等的要求高度表面平坦性的材料平坦化。本发明还提供半导体晶片用研磨垫，其平坦化特性优良，划痕的发生少并且可以低成本制造。还提供无脱夹误差从而不仅不损害晶片也不降低作业效率的研磨垫。还提供平坦性、晶片内均匀性、和研磨速度令人满意、并且研磨速度变化小的研磨垫。还提供可以同时获得平坦性提高和划痕减少的研磨垫。
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公开(公告)号：CN1926666A
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200480042307.2
申请日：2004-10-20
Applicant: 东洋橡胶工业株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/04
CPC classification number: B24B37/205 , H01L21/30625
Abstract: 本发明提供一种研磨垫及使用了该研磨垫的半导体器件的制造方法。即使在使用碱性料浆或酸性料浆进行研磨的情况下，也可以在从使用开始直至使用结束的长时间内持续维持高精度的光学终点检测。本发明的研磨垫被用于化学机械抛光中，具有研磨区域及透光区域，所述透光区域的浸渍于pH11的KOH水溶液或pH4的H2O2水溶液中24小时后的测定波长λ下的透光率T1(％)与浸渍前的测定波长λ下的透光率T0(％)的差ΔT(ΔT＝T0－T1)(％)，在测定波长400～700nm的全部范围内在10(％)以内。
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公开(公告)号：CN102554766B
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201210004655.7
申请日：2005-12-08
Applicant: 东洋橡胶工业株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/22
CPC classification number: B24B37/205 , Y10T428/24339 , Y10T428/24992
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种研磨垫，其在进行研磨的状态下进行高精度的光学终点检测，即使在长时间使用的情况下，也可以防止来自研磨区域与透光区域之间的漏浆。本发明的研磨垫将具有研磨区域及透光区域的研磨层和具有比透光区域小的开口部(B)的缓冲层层叠，使得透光区域与开口部(B)重合，并且在所述透光区域的背面与所述开口部(B)的断面的接触部分，设有将该接触部分覆盖的环状的不透水性弹性构件。
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公开(公告)号：CN101530988B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200910135488.8
申请日：2006-05-10
Applicant: 东洋橡胶工业株式会社
IPC: B24B37/24 , B24B37/04 , H01L21/304 , C08G18/10 , C08G101/00
Abstract: 本发明提供一种在研磨对象物的表面难以发生划伤，且平坦化特性优越的研磨垫。本发明的研磨垫，其具有由具有微细气泡的聚氨酯树脂发泡体构成的研磨层，其特征在于，作为所述聚氨酯树脂发泡体的原料成分的高分子量多元醇成分是数均分子量为600～700的疏水性高分子量多元醇，且所述聚氨酯树脂发泡体含有不具有羟基的硅系非离子表面活性剂10～15重量％，所述聚氨酯树脂发泡体的比重是0.7～0.8，阿斯卡D硬度是55～65度。
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