研磨垫及半导体器件的制造方法

    公开(公告)号:CN100349267C

    公开(公告)日:2007-11-14

    申请号:CN200380104102.8

    申请日:2003-11-27

    Abstract: 本发明的目的在于提供可以在进行研磨的状态下实现高精度的光学终点检测并且研磨特性(表面均一性、面内均一性等)优良的研磨垫,进而可以获得宽范围的晶片的研磨轮廓的研磨垫。本发明之一的研磨垫,在透光区域的波长400~700nm的全区域中的透光率,在50%以上。本发明之二的研磨垫的透光区域的厚度为0.5~4mm,并且在透光区域的波长600~700nm的全区域中的透光率,在80%以上。本发明之三的研磨垫的透光区域被设于研磨垫的中心部和周端部之间,并且直径方向的长度(D)为圆周方向的长度(L)的3倍以上。

    研磨垫及半导体器件的制造方法

    公开(公告)号:CN1717785A

    公开(公告)日:2006-01-04

    申请号:CN200380104102.8

    申请日:2003-11-27

    Abstract: 本发明的目的在于提供可以在进行研磨的状态下实现高精度的光学终点检测并且研磨特性(表面均一性、面内均一性等)优良的研磨垫,进而可以获得宽范围的晶片的研磨轮廓的研磨垫。本发明之一的研磨垫,在透光区域的波长400~700nm的全区域中的透光率,在50%以上。本发明之二的研磨垫的透光区域的厚度为0.5~4mm,并且在透光区域的波长600~700nm的全区域中的透光率,在80%以上。本发明之三的研磨垫的透光区域被设于研磨垫的中心部和周端部之间,并且直径方向的长度(D)为圆周方向的长度(L)的3倍以上。

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