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公开(公告)号：CN114843267B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202210643717.2
申请日：2022-06-08
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H01L27/085 , H01L27/092 , H01L29/778
Abstract: 一种增强型N沟道和P沟道GaN器件集成结构，包括衬底，在衬底上依次设铝氮成核层、铝氮镓缓冲层、氮化镓沟道层和铝镓氮势垒层，铝镓氮势垒层和氮化镓沟道层被隔离层分割；隔离层一侧设有P沟道器件，包括第一P型氮化镓层，在第一P型氮化镓层上依次设第一氮化镓隔离层和第一P+型氮化镓层，在第一P+型氮化镓层上设第一源、栅极和第一漏极，第一栅极陷入第一P+型氮化镓层，其间设有栅极介质层；在隔离层的另一侧设有N沟道器件，包括第二源极、第二P型氮化镓层和第二漏极，第二源、漏极分别位于第二P型氮化镓层的两侧，在第二P型氮化镓层上方依次设有第二氮化镓隔离层、第二P+型氮化镓层和第二栅极。
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公开(公告)号：CN117650689A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311616650.4
申请日：2023-11-30
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种非隔离谐振栅极驱动电路，包括PMOS驱动网络、NMOS钳位电路和电感器，PMOS驱动网络和NMOS钳位电路均并联在电感器的两端，其中：PMOS驱动网络的输入信号由函数发生器后接驱动芯片提供，输入信号经过PMOS驱动网络、NMOS钳位电路和电感器处理后从输出端口vgsr1和输出端口vgsr2输出驱动信号，NMOS钳位电路用于控制输出端口vgsr1和输出端口vgsr2的状态发生改变，电感器分别与NMOS钳位电路中栅极电容Cgsr1和栅极电容Cgsr2形成LC谐振，用于将驱动电路的关断过程的能量回收用于驱动电路的开通过程。本发明的器件数量少，节省了成本和空间，有利于小型化、集成化，同时，本发明的控制信号简单，简化了控制信号的复杂性，提高了系统稳定性。
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公开(公告)号：CN116845110A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310914496.2
申请日：2023-07-25
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 一种具有低续流损耗的功率半导体器件及其制造方法。器件包括金属、重掺杂第一导电类型衬底及外延层、第二导电类型体区、第一导电类型增强源区和重掺杂第二导电类型体接触区，第一导电类型半导体区，增强源区之下且贯穿体区的第一导电类型半导体层、介质层一、栅电极、介质层二、金属。方法：在重掺杂衬底上制得第一导电类型外延层；在外延层上形成第二导电类型体区；在体区上形成增强源区；在增强源区下方形成第一导电类型半导体层且贯穿体区；在体区上形成体接触区；在体区中形成第一导电类型半导体区；退火激活杂质；器件上表面生长介质层一、多晶硅、介质层二、栅电极；在增强源区和接触区生成金属，背面淀积金属。
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公开(公告)号：CN116780865A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310685994.4
申请日：2023-06-12
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
Abstract: 本发明提供一种多路输出的隔离式谐振栅极驱动电路，该驱动电路包括PWM发生器、MOS驱动网络、多绕组隔离变压器、钳位电路；其中，MOS驱动网络中作为驱动管的第一PMOS管、第二PMOS管的栅极控制信号分别由第一PWM发生器、第二PWM发生器和后接第一栅极驱动器、第二栅极驱动器提供，MOS驱动网络的输出经过多绕组隔离变压器输出给钳位电路，钳位电路的输出信号作为LLC‑DCX原边开关管和副边同步整流管的栅驱动信号，驱动LLC‑DCX的原边开关管和副边同步整流管。利用隔离式谐振栅极驱动电路中多绕组隔离变压器的励磁电感和LLC‑DCX初级侧功率开关管、次级侧整流管的栅极电容产生谐振，恢复存储在功率开关管和整流管栅极电容的能量，从而降低栅极驱动电路的损耗。
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公开(公告)号：CN110222760B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN201910480120.9
申请日：2019-06-04
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: G06V10/774 , G06V10/82 , G06N3/0464 , G06N3/048 , G06N3/08
Abstract: 本发明公开一种基于winograd算法的快速图像处理方法，包括如下步骤：步骤1，选取数据集，利用Caffe框架训练自定义的神经网络模型，提取训练后的模型的卷积核权重、偏置值；步骤2，提取输入图片像素点，并存放在四维数组中，四个维度分别是输入图片数目、通道数、图片的长和宽；步骤3，构造基于winograd算法的卷积算子，判断卷积核尺寸是否为3×3且通道数是否大于10，如果满足，则使用winograd算子进行卷积操作；步骤4，输出卷积操作后得到的结果，并判断本层是否为最后一层卷积层，如果是，将输出图片经过RELU层的非线性变换后送入全连接层，否则重复步骤3。此种图像处理方法可提高处理器运行神经网络时的计算能效。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115763562A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211474364.4
申请日：2022-11-23
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
Abstract: 一种能降低导通电阻的高迁移率碳化硅N型LDMOS器件，包括N型衬底，N型衬底上设有P型外延，在N型衬底上设有N型阱区、第一P型重掺杂区、第一N型重掺杂区及连接于源极的第二P型重掺杂区，在N型阱区内设有连接于漏极的第二N型重掺杂区，第一P型重掺杂区、第一N型重掺杂区及第二P型重掺杂区相连接，在第二N型重掺杂区、N型阱区、第一P型重掺杂区、第一N型重掺杂区、第二P型重掺杂区及P型外延的表面设有氧化层，在P型外延上设有作为所述器件栅极的多晶硅沟槽栅极且多晶硅沟槽栅极向P型外延内延伸，在P型外延内设有N型埋层，N型埋层的一端接于所述器件的沟道，另一端连接于N型阱区。
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公开(公告)号：CN115117154A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210712859.X
申请日：2022-06-22
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H01L29/10 , H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/417 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种具有高续流能力的鳍式氮化镓器件，包括：金属漏电极，第一高掺杂层，具有鳍式结构的缓冲层，具有第一鳍柱、第二鳍柱、第三鳍柱、第四鳍柱的元胞区和具有第五鳍柱、第六鳍柱的终端区；第一、第四、第五鳍柱的顶表面叠设第二高掺杂层、金属源电极，并通过其外侧的金属栅电极实现器件的正向工作状态，第二、第六鳍柱通过顶表面及外侧的第二金属源电极实现器件的反向工作状态，第三鳍柱的顶表面及外侧设有第三介质层，用于隔离第二鳍柱与第四鳍柱；本发明器件具有高续流能力、高击穿电压、低开关损耗以及高工艺集成度等优势。
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公开(公告)号：CN114361253A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111638905.8
申请日：2021-12-29
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H01L29/732 , H01L29/737 , H01L21/34 , H01L21/02 , H01L21/363 , C23C14/35 , C23C14/04 , C23C14/08 , C23C14/58
Abstract: 本发明涉及一种氧化物半导体双极型晶体管及其制造方法，所述晶体管包括：基底；集电极，位于所述基底上；n型集电区，形成于所述集电极之上；p型基区，形成于所述n型集电区之上；n型发射区，形成于所述p型基区之上；基极，形成于所述p型基区之上靠近边缘位置；发射极，位于所述n型发射区上。本发明还提供了一种半导体双极型晶体管的制备方法，所有材料制备均可通过磁控溅射实现，操作简单，工艺成本较低。在沉积氧化物半导体薄膜时，通过选择合适的磁控溅射工艺过程中氩气与氧气的通气比例，以及退火环境和氛围，成功调整了薄膜中电子或空穴的浓度，使该器件成功实现双极型晶体管的特性。
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公开(公告)号：CN113782588A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202111010568.8
申请日：2021-08-31
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H01L29/06 , H01L29/778
Abstract: 一种栅极高耐压低漏电的氮化镓功率器件，包括：P型硅衬底，在P型硅衬底上方设有氮化铝缓冲层，氮化铝缓冲层上方设有铝镓氮缓冲层，铝镓氮缓冲层上方设有氮化镓缓冲层，氮化镓缓冲层上方设有铝镓氮势垒层和两端的源极及漏极，源极及漏极上方设有金属分别作为源极和漏极连接铝镓氮势垒层两端至外围的输入\输出，源极金属与铝镓氮势垒层左端形成欧姆接触，漏极和铝镓氮势垒层右端形成欧姆接触，铝镓氮势垒层上方叠加有三层不同掺杂浓度的P型氮化镓层，P型氮化镓层上方设有栅极金属连接P型氮化镓层至结构外围的输入\输出，栅极金属和P型氮化镓层形成肖特基接触，P型氮化镓层和栅极在源漏极之间相对距离源极较近，相对距离漏极较远，铝镓氮势垒层上方漏极和P型氮化镓之间设有氮化物钝化层，源极和P型氮化镓之间设有氮化物钝化层。
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公开(公告)号：CN107293585B
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201710530053.8
申请日：2017-06-30
Applicant: 东南大学 , 东南大学-无锡集成电路技术研究所
IPC: H01L29/739 , H01L29/08 , H01L29/06
Abstract: 一种快关断绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管，在P型衬底上设有埋氧，在埋氧上设有N型漂移区，其上设有N型缓冲区和P型体区，在N型缓冲区内设有P型集电极区，其上连接有集电极金属，在P型体区内设有N型发射极区，其右侧设有P型发射区，在发射极区上连接有发射极金属，在N型漂移区的上方设有场氧层，在N型发射区左侧设有纵向沟槽，在其内设有由二氧化硅或其它耐压介质包裹的多晶硅层，其上连接有栅金属，在纵向沟槽的左侧设有P型发射极区块体，其上连接有发射极金属，在场氧层与P型发射区之间设有纵向沟槽，在其内设有由二氧化硅或其它耐压介质包裹的多晶硅层，其上连接有栅金属，在栅金属和发射极金属之间设有氧化层。
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