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公开(公告)号：CN118100604A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410154691.4
申请日：2024-02-02
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H02M1/08 , H03K17/687 , H02M1/32 , H02M1/00
Abstract: 本发明公开了一种耗尽型宽禁带功率器件的双栅直驱电路，属于集成电路领域，通过第一栅极控制器件进入开关状态，第二栅极控制系统的待机状态。电路包括隔离型栅极驱动芯片、隔离型变压器、双栅宽禁带功率器件和增强型半导体器件，其中双栅宽禁带功率器件的第二栅极连接增强型半导体器件的源极，双栅宽禁带功率器件的源极连接增强型半导体器件的漏极。双栅宽禁带功率器件包括第一栅极和间隔沟槽型的第二栅极。本发明实现了耗尽型功率器件的正压直驱功能，同时充分发挥了宽禁带半导体材料的高频开关特性与高阻断耐压能力，具有高栅压工作范围，高栅极可靠性，低泄漏电流与高反向续流能力。
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公开(公告)号：CN115117154A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210712859.X
申请日：2022-06-22
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H01L29/10 , H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/417 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种具有高续流能力的鳍式氮化镓器件，包括：金属漏电极，第一高掺杂层，具有鳍式结构的缓冲层，具有第一鳍柱、第二鳍柱、第三鳍柱、第四鳍柱的元胞区和具有第五鳍柱、第六鳍柱的终端区；第一、第四、第五鳍柱的顶表面叠设第二高掺杂层、金属源电极，并通过其外侧的金属栅电极实现器件的正向工作状态，第二、第六鳍柱通过顶表面及外侧的第二金属源电极实现器件的反向工作状态，第三鳍柱的顶表面及外侧设有第三介质层，用于隔离第二鳍柱与第四鳍柱；本发明器件具有高续流能力、高击穿电压、低开关损耗以及高工艺集成度等优势。
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公开(公告)号：CN114740325A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210315142.1
申请日：2022-03-28
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种异质结半导体器件热阻测量电路及其方法，其中电路包括信号发生模块，驱动模块，待测器件，可控负载模块，恒温装置，数据采集模块以及电源模块。提取异质结半导体器件工作热稳定状态下漏电级电流随时间的变化率作为结温的参考，从而进行异质结半导体器件工作热稳定状态下热阻阻值的计算。其中，可以通过调控可控负载模块，使电路在正常工作模式和测量模式两种状态下切换。正常工作模式用于使待测器件处于热稳定的工作状态；测量模式用于提取待测器件漏电级电流变化率以进行热阻的计算。
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公开(公告)号：CN114740325B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202210315142.1
申请日：2022-03-28
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种异质结半导体器件热阻测量电路及其方法，其中电路包括信号发生模块，驱动模块，待测器件，可控负载模块，恒温装置，数据采集模块以及电源模块。提取异质结半导体器件工作热稳定状态下漏电极电流随时间的变化率作为结温的参考，从而进行异质结半导体器件工作热稳定状态下热阻阻值的计算。其中，可以通过调控可控负载模块，使电路在正常工作模式和测量模式两种状态下切换。正常工作模式用于使待测器件处于热稳定的工作状态；测量模式用于提取待测器件漏电极电流变化率以进行热阻的计算。
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公开(公告)号：CN114864687A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210643562.2
申请日：2022-06-08
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/812
Abstract: 本发明提供一种集成自反馈栅控制结构的氮化镓功率半导体器件，包括：衬底，缓冲层，沟道层，势垒层，由第一金属源电极、第一P型氮化镓帽层、第一金属栅电极、第一金属漏电极、第二P型氮化镓帽层、第二金属栅电极构成的栅控制区，由第一金属源电极、第三P型氮化镓帽层、第三金属栅电极、第二金属漏电极、第二P型氮化镓帽层、第二金属源电极构成的有源工作区；本发明通过栅控制区调节器件整体栅漏电大小，集成度高，寄生少，同时可以有效缓解电荷存储效应，提高器件阈值稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115117154B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202210712859.X
申请日：2022-06-22
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H01L29/10 , H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/417 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种具有高续流能力的鳍式氮化镓器件，包括：金属漏电极，第一高掺杂层，具有鳍式结构的缓冲层，具有第一鳍柱、第二鳍柱、第三鳍柱、第四鳍柱的元胞区和具有第五鳍柱、第六鳍柱的终端区；第一、第四、第五鳍柱的顶表面叠设第二高掺杂层、金属源电极，并通过其外侧的金属栅电极实现器件的正向工作状态，第二、第六鳍柱通过顶表面及外侧的第二金属源电极实现器件的反向工作状态，第三鳍柱的顶表面及外侧设有第三介质层，用于隔离第二鳍柱与第四鳍柱；本发明器件具有高续流能力、高击穿电压、低开关损耗以及高工艺集成度等优势。
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公开(公告)号：CN114864687B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202210643562.2
申请日：2022-06-08
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/812
Abstract: 本发明提供一种集成自反馈栅控制结构的氮化镓功率半导体器件，包括：衬底，缓冲层，沟道层，势垒层，由第一金属源电极、第一P型氮化镓帽层、第一金属栅电极、第一金属漏电极、第二P型氮化镓帽层、第二金属栅电极构成的栅控制区，由第一金属源电极、第三P型氮化镓帽层、第三金属栅电极、第二金属漏电极、第二P型氮化镓帽层、第二金属源电极构成的有源工作区；本发明通过栅控制区调节器件整体栅漏电大小，集成度高，寄生少，同时可以有效缓解电荷存储效应，提高器件阈值稳定性。
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公开(公告)号：CN119133229A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411293152.5
申请日：2024-09-14
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L23/373
Abstract: 本发明公开了一种高散热的蓝宝石基异质结半桥器件，包括：衬底，由第一缓冲层、第一沟道层、第一异质结沟道、第一势垒层、第一金属源电极、第一金属漏电极、第一金属栅电极构成的低测区，由第二缓冲层、第二沟道层、第二异质结沟道、第二势垒层、第二金属源电极、第二金属漏电极、第二金属栅电极构成的高测区，由绝缘介质层和导热介质层构成的沟槽区；本发明通过沟槽区将器件体内的热量导出，能够提高器件的散热性能。
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公开(公告)号：CN119584557A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411687037.6
申请日：2024-11-25
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种具有周期性复合型阳极的宽禁带功率二极管，自下而上包括：宽禁带半导体材料衬底层，第三阳极沟槽，宽禁带半导体材料外延层及其上的周期性第一阳极沟槽和第二阳极，第一阳极沟槽和宽禁带半导体材料外延层的上表面依次设有第一介质层和第二介质层，第二阳极沟槽和宽禁带半导体材料外延层的上表面设有第二介质层，第三阳极沟槽上设有第三介质层，宽禁带半导体材料外延层的上表面和宽禁带半导体材料衬底层下表面分别设有金属阳极和金属阴极。本发明得益于周期性复合型阳极结构，具有高电流密度、高击穿电压、低导通电阻和低反向漏电的性能优势。
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公开(公告)号：CN118798104B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202310701433.9
申请日：2023-06-13
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明涉及一种p‑GaN栅高电子迁移率晶体管模型及其建模方法，所述模型包括：基础模型，包括GaN HEMT器件模型，所述GaN HEMT器件模型包括栅至源部分、漏至源部分及位于栅极节点和栅极之间的栅极电阻；子模型，包括位于相互串联的第一子电路、第二子电路及第三子电路，第一子电路包括相互并联的二极管D1和栅源压控电阻R2，第二子电路包括相互并联的电阻R1和电容C1，第三子电路包括相互并联的二极管D2和栅漏压控电阻R3；子模型与栅极电阻串联连接。本发明可有效地解决传统的p‑GaN栅HEMT的器件模型对阈值电压漂移建模不足的问题，预防了阈值电压漂移所导致的潜在的电路功能失效的危险，大大降低了集成电路设计的风险与成本。
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