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公开(公告)号：CN114883416A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210669192.X
申请日：2022-06-14
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/34 , G05F1/567
Abstract: 本发明提供一种基于IGZO薄膜晶体管的基准电压源的制备方法，包括：获取衬底；在衬底上形成栅电极层；在栅电极层上形成栅极介电层；在栅极介电层上形成IGZO有源层；在IGZO有源层上形成源极、漏极；通过对薄膜晶体管的IGZO有源层进行局部氢等离子体处理，形成耗尽型薄膜晶体管。通过氢等离子体处理工艺实现氢掺杂，提升沟道载流子浓度，使n型增强型IGZO薄膜晶体管转变为n型耗尽型IGZO薄膜晶体管，该工艺简便快捷、兼容性好，易于实现大规模生产。本发明还提供了一种基于IGZO薄膜晶体管的基准电压源，包括电流源子电路与基准电压子电路，对传统CMOS拓扑结构进行了改进，创新地利用增强型、耗尽型两种工作模式的n型IGZO薄膜晶体管实现低线性灵敏度的基准电压源。
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公开(公告)号：CN116632013A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310607008.3
申请日：2023-05-26
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于金属氧化物半导体薄膜晶体管的基准电压源电路结构及其制备方法。制备方案包括：获取衬底；在所述衬底上形成栅电极层；在所述栅电极层上形成栅极介电层；在所述栅极介电层上形成IGZO有源层；在所述栅极介电层上形成ITO有源层；在所述栅极介电层上形成通孔；在所述IGZO/ITO有源层上形成源极、漏极。本发明还提供了一种基于金属氧化物半导体薄膜晶体管的基准电压源结构，包括增强型IGZO薄膜晶体管(M1)、耗尽型ITO薄膜晶体管(M2)。创新地利用增强型IGZO薄膜晶体管、耗尽型ITO薄膜晶体管提供了一种柔性基准电压源电路的方案和思想。
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公开(公告)号：CN116525684A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310595665.0
申请日：2023-05-25
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H01L29/786 , G05F1/56 , H01L21/336 , H01L29/10
Abstract: 本发明提供一种基于IGZO薄膜晶体管的低压差线性稳压器及其制备方法。制备方案包括：获取衬底；在所述衬底上形成栅电极层；在所述栅电极层上形成栅极介电层；在所述栅极介电层上形成IGZO有源层；在所述栅极介电层上形成通孔；在所述IGZO有源层上形成源极、漏极；对部分薄膜晶体管的IGZO有源层进行局部氢等离子体处理，形成耗尽型薄膜晶体管。本发明还提供了一种基于IGZO薄膜晶体管的LDO电路，包括基准电压子电路，误差放大子电路和调整管及反馈网络。对传统CMOS拓扑结构进行了改进，创新地利用增强型、耗尽型两种工作模式的n型IGZO薄膜晶体管实现一种柔性电源管理模块的方案和思想。
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公开(公告)号：CN115458609A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202211239216.4
申请日：2022-10-11
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/24 , H01L29/36 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种高耐压、低导通电阻IGZO薄膜晶体管及其制备方法，通过在器件IGZO低阻漂移区部分进行氢离子掺杂，提高IGZO低阻漂移区内的载流子浓度，降低IGZO沟道导通电阻，显著降低因非栅控漂移区提升器件耐压而牺牲的电流密度，获得了更为优异的导通电阻与击穿电压间的关系，同时相比传统砷离子掺杂、双栅结构等工艺，本发明降低了实验温度、简化了工艺步骤，极大地提升漂移区电流能力。
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公开(公告)号：CN117153693A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311096525.5
申请日：2023-08-29
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H01L21/34 , H01L21/44 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/423 , H01L29/786
Abstract: 本发明公开了一种高耐压、低导通电阻ITO薄膜晶体管及其制备方法，包括以下步骤：S10、获取衬底；S20、在所述衬底上形成栅极；S30、在所述栅极上形成栅氧；S40、在所述栅氧上形成ITO有源层；S50、在所述ITO有源层一侧形成ITO阶梯层；S60、在所述ITO阶梯层上形成漏极；在所述ITO有源层未设置ITO阶梯层的一侧形成源极。本发明通过拉偏漏极和栅极之间的水平距离，显著提高了ITO薄膜晶体管的击穿电压；同时引入ITO阶梯层，利用ITO材料电流能力易受厚度调控的特点，降低非交叠区域ITO沟道导通电阻，获得了更为优异的导通电阻与击穿电压间的关系。
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公开(公告)号：CN114899196A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210669888.2
申请日：2022-06-14
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H01L27/12 , H01L21/77 , H03K19/0185
Abstract: 本发明提供了一种基于IGZO薄膜晶体管的反相器及其制备方法，该方法包括：获取衬底；在衬底上形成栅电极层；在栅电极层上形成栅极介电层；在栅极介电层上形成IGZO有源层；在IGZO有源层上形成源极、漏极；对IGZO有源层进行局部氢等离子体处理。通过氢等离子体处理工艺实现氢掺杂，使反相器上拉网络中的n型增强型IGZO薄膜晶体管转变为n型耗尽型IGZO薄膜晶体管，相比于将栅漏短接的n型增强型IGZO薄膜晶体管作为上拉器件的反相器，本发明提供的反相器具有更高的增益和更大的摆幅；与此同时，该工艺简单快捷，便于操作，反应所用的气体源易获取，满足大规模工业生产的需求量。
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公开(公告)号：CN114361253A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111638905.8
申请日：2021-12-29
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H01L29/732 , H01L29/737 , H01L21/34 , H01L21/02 , H01L21/363 , C23C14/35 , C23C14/04 , C23C14/08 , C23C14/58
Abstract: 本发明涉及一种氧化物半导体双极型晶体管及其制造方法，所述晶体管包括：基底；集电极，位于所述基底上；n型集电区，形成于所述集电极之上；p型基区，形成于所述n型集电区之上；n型发射区，形成于所述p型基区之上；基极，形成于所述p型基区之上靠近边缘位置；发射极，位于所述n型发射区上。本发明还提供了一种半导体双极型晶体管的制备方法，所有材料制备均可通过磁控溅射实现，操作简单，工艺成本较低。在沉积氧化物半导体薄膜时，通过选择合适的磁控溅射工艺过程中氩气与氧气的通气比例，以及退火环境和氛围，成功调整了薄膜中电子或空穴的浓度，使该器件成功实现双极型晶体管的特性。
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公开(公告)号：CN111430465A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010373328.3
申请日：2020-05-06
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本文提出了一种N型垂直槽栅金属氧化物半导体器件栅极引入应力的结构，包括：N型漏极接触，在其上为N型外延层，在N型外延层中设有氧化物埋层，在氧埋层中设有源极多晶硅埋层，在氧埋层上方设有多晶硅栅极，在多晶硅栅极中间设有氮化硅应力层，在栅极两侧设有P型沟道区和N型源极区，在器件上表面有源极区金属接触。其特征在于其特征在于，通过优化工艺流程，无需挖槽，就可以在垂直金属氧化物半导体的栅极处淀积氮化硅应力层来引入应力，可以有效提升垂直沟道器件的性能。在器件击穿电压几乎不变的情况下，有效降低导通电阻。
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公开(公告)号：CN110611431B
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201910939596.4
申请日：2019-09-30
Applicant: 东南大学
IPC: H02M3/335
Abstract: 本发明提出有源钳位反激变换器的原边调节控制系统及控制方法，属于原边调节控制技术领域。包括电感电流采样电路、漏源电压采样电路、辅助绕组电压采样电路、栅驱动器、以控制器为核心的控制电路、微分器。其中，以控制器为核心的控制电路包括电压运算模块，电流运算模块，恒压恒流功能模块。能够在保证系统工作效率的同时，实现有源钳位反激变换器对输出电压和输出电流的原边精确预测和计算，从而实现精确的有源钳位反激拓扑的原边恒压恒流调节。采用此控制系统，减少了光耦及其他隔离元件的使用，提高了系统集成度，可以获得很高的输出电压精度。另外，无论是原边谐振有源钳位反激拓扑，还是副边谐振有源钳位反激拓扑，此控制系统都能适用。
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公开(公告)号：CN110729253B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201910861731.8
申请日：2019-09-11
Applicant: 东南大学
IPC: H01L23/10 , H01L23/367 , H01L29/739
Abstract: 本发明提出了一种可引入双轴应变的IGBT压接式压装结构，包含发射极金属电极板、发射极凸台、银片、下钼片、IGBT芯片、上钼片和集电极金属电极板。所述的下钼片为一侧是平面一侧为球面，其中面向芯片一侧为向外突出的球面，面向发射极电极板一侧为平面；所述的上钼片一侧为平面一侧为球面，其中面向芯片一侧为向内凹陷的球面，面向集电极电极板的一侧为平面。可通过调节上钼片与下钼片球面一侧的曲率，来改变压接在其中间IGBT芯片的曲率，在不损坏IGBT芯片的前提下，可使其获得不同大小的双轴应力，其中所述的IGBT芯片集电极应面向上钼片，而发射极与源极则面向下钼片。本发明可降低器件的导通压降并提升器件的电流能力。
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