公开(公告)号：CN116311930A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310250567.3

申请日：2023-03-15

Applicant: 河北省交通规划设计研究院有限公司 ,  东南大学

Inventor： 焦彦利 ,  徐铖铖 ,  李志斌 ,  韩明敏 ,  张龙 ,  卢毅恒 ,  王亚州 ,  张凯丽

IPC: G08G1/01

Abstract: 本申请公开了一种交通流状态数据时间汇集方法及系统。其中方法包括，获取目标路段内每个车道的交通流数据；对所述交通流数据进行数据诊断，排除明显的错误数据；对所述交通流数据中出现的异常情况进行修补；对修补后的所述交通流数据分车道在时间上进行汇集。利用本申请的方案能够实现自动化采集和处理交通运行状态中的交通流参数，并实现车道级交通流状态数据时间汇集，提高数据的精确性。

公开(公告)号：CN112420824B

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN202011448442.4

申请日：2020-12-09

Applicant: 东南大学

Inventor： 祝靖 ,  崔永久 ,  张龙 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及一种消除负阻效应的逆导型横向绝缘栅双极型晶体管，在N型漂移区上设有氧化层沟槽、第二氧化层埋层及第三氧化层埋层，所述氧化层沟槽位于N型缓冲层与阳极N型重掺杂区间，所述第二氧化层埋层及第三氧化层埋层沿所述晶体管横向设置于阳极N型重掺杂区的下方，在氧化层沟槽与第二氧化层埋层之间设有第一P型埋层。并且，所述第一P型埋层始自所述氧化层沟槽的边界且向所述晶体管边界延伸并至少到达与所述氧化层沟槽相邻的第二氧化层埋层的一端，第二氧化层埋层的另一端与晶体管边界之间留有N型漂移区的一部分，在氧化层沟槽内设有与阳极(A)相连接的阳极多晶硅栅且阳极多晶硅栅位于第一P型埋层的侧方位上。

公开(公告)号：CN113314591A

公开(公告)日：2021-08-27

申请号：CN202110577494.X

申请日：2021-05-26

Applicant: 东南大学

Inventor： 张龙 ,  刘新宇 ,  祝靖 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 一种低饱和电流的横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，包括P型衬底，在P型衬底上设有N型漂移区，在N型漂移区内设有P型体区和漏极N型重掺杂区,P型体区内设有源极P型重掺杂区和源极N型重掺杂区，源极P型重掺杂区和源极N型重掺杂区经源极金属引出共同构成器件的源极，漏极N型重掺杂区经漏极金属引出构成器件的漏极，在N型漂移区上方设有场氧，在场氧内设有多晶硅栅极和多晶硅场板，其特征在于，在N型漂移区还设有P‑top埋层，P‑top埋层通过源极金属连接到器件的源极，所述多晶硅场板起始于P‑top埋层上方并延伸至N型漂移区的上方。

公开(公告)号：CN112768517A

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：CN201911065246.6

申请日：2019-11-04

Applicant: 东南大学 ,  无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 张龙 ,  马杰 ,  顾炎 ,  张森 ,  祝靖 ,  龚金丽 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及一种绝缘栅双极型晶体管，包括设于所述漂移区上的阳极第一导电类型区，所述阳极第一导电类型区包括第一区和第二区，所述阳极第二导电类型区包括第三区和第四区，所述第一区的掺杂浓度小于所述第二区，所述第三区的掺杂浓度小于所述第四区，所述第三区设于所述第四区和所述体区之间，所述第一区设于所述第四区下方，所述第二区设于所述第三区下方、且位于所述第一区和所述体区之间。本发明能够在线性电流区域提高注入效率，获得更低的导通压降；并且在饱和电流区域降低饱和电流，获得更大的安全工作区。

公开(公告)号：CN109860301A

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201910055795.9

申请日：2019-01-21

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  李阿江 ,  李少红 ,  张龙 ,  祝靖 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 一种低反向恢复电荷SJ-VDMOS器件，包括N+型衬底，在其下表面设有第一金属漏电极，N+型衬底上方设有N型外延层、P型外延层和P柱，P型外延层内设有纵向沟槽栅，P型外延层表面设有第一P+区域及第一N+区域并且设有第一金属源电极和第一金属栅电极，其特征在于，P型外延层内设有SiO2隔离层以隔离形成低压PMOS区并在其内置有低压PMOS管，低压PMOS管包括N型区域，N型区域一侧设有P+区域及第二金属漏电极，另一侧设有第二P+区域、第二N+区域及第二金属源电极，N型区域表面设有栅氧及横向多晶硅栅，横向多晶硅栅与第二金属漏电极及各第一金属源电极连接，P型外延层表面设有层间隔离介质。本发明通过引入电子沟道续流机制，显著降低反向恢复电荷Qrr。

公开(公告)号：CN106024876B

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201610576522.5

申请日：2016-07-19

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  陈佳俊 ,  张龙 ,  祝靖 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: 一种用于消除回滞现象的逆导型横向绝缘栅双极型晶体管器件，在提高传统结构关断速度的情况下，消除了回滞现象。该半导体具备：在P型衬底上设有埋氧，在埋氧上设有N型漂移区，其两侧设有N型缓冲区阵列和P型体区，在N型缓冲区列阵的各个N型缓冲区内设有重掺杂P型集电极区，在相邻的重掺杂P型集电极区之间设有第一N型重掺杂区，P型体区内设有P型阱区，P型阱区设有重掺杂P型发射极区，重掺杂P型发射极区周边设有重掺杂N型发射区，在N型漂移区内设有氧化层隔离沟槽，所述沟槽与器件边界共同形成一N型漂移区的局部封闭区，各第一N型重掺杂区分别被氧化层隔离沟槽包围且相邻的重掺杂P型集电极区与N型重掺杂区被氧化层隔离沟槽隔离。

公开(公告)号：CN106024875A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610570715.X

申请日：2016-07-19

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  黄薛佺 ,  张龙 ,  祝靖 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/08 ,  H01L23/50

CPC classification number: H01L29/7393 ,  H01L23/50 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/0821

Abstract: 一种快关断绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管器件，该半导体具备：在P型衬底上设有埋氧，埋层上设有N型漂移区，其上有P型阱区和N型缓冲区，在N型缓冲区内有重掺杂的P型集电极区，在P型阱区内有重掺杂的P型发射极区与N型发射极区，在P型阱区表面设有栅氧化层，其上有多晶硅层，在重掺杂的P型发射极区内设有第一纵向沟槽且其深及埋氧，上述沟槽局部向内侧扩展形成间距相等的第一横向沟槽且其延伸至漂移区，在重掺杂的P型集电极区设有第二纵向沟槽且其深及埋氧，上述沟槽局部向内侧扩展形成间距相等的第二横向沟槽且其延伸至漂移区，上述所有沟槽内有填充物，所述填充物为外部包裹耐压介质的多晶硅且位于漂移区内的填充物为耐压介质。

公开(公告)号：CN105590958A

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201510965034.9

申请日：2015-12-21

Applicant: 东南大学

Inventor： 祝靖 ,  黄超 ,  张龙 ,  卜爱国 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7394 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/404 ,  H01L29/66325

Abstract: 一种双沟槽高压屏蔽的横向绝缘栅双极器件及其制备方法，包括：P型衬底，埋氧层，N型外延层，在N型外延层中设有P型体区和N型缓冲层，在P型体区内设有P型发射极和N型发射极，N型发射极上方设有多晶硅栅，多晶硅栅上设有金属连接多晶硅栅至结构外围的输入\输出，在N型缓冲层中设有P型集电极，N型缓冲层上方有多晶硅场板，多晶硅场板上连有栅极金属，P型体区三面包围着N型缓冲层，留有一面的间断，P型集电极连有集电极金属连线，在集电极金属连线之下靠近结构边缘设有沟槽，沟槽内掺有介质，在整个结构外包围有沟槽，沟槽内掺有介质。所述高压互连线屏蔽结构靠近集电极的沟槽下方不与埋氧层接触，留有空隙。

公开(公告)号：CN102760756B

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201210227688.8

申请日：2012-06-30

Applicant: 东南大学

Inventor： 祝靖 ,  张龙 ,  吴逸凡 ,  钱钦松 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/06

Abstract: 一种带浮空场板的超结金属氧化物场效应管终端结构，包括：兼做漏区的N型重掺杂硅衬底、过渡区I及终端区II，在N型重掺杂硅衬底的上表面设有N型掺杂硅外延层，在N型掺杂硅外延层内设有过渡区I及终端区II，在过渡区I及终端区II内超结结构，在过渡区I内设有P型掺杂半导体区，在P型掺杂半导体区的上方设有过渡区多晶硅层，过渡区多晶硅层电连接有第一金属场板，在终端区II的各个N型掺杂硅柱状区域的上方分别设有终端区多晶硅层，各个终端区多晶硅层分别向过渡区I延伸并分别止于相邻的P型掺杂柱状半导体区的上方，在各个终端区多晶硅层上电连接有第二金属场板，第二金属场板向终端区II的外边界延伸并止于下一块终端区多晶硅层的上方。

公开(公告)号：CN102339866A

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN201110311731.4

申请日：2011-10-14

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  祝靖 ,  张龙 ,  钱钦松 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 一种具有超结结构的纵向双扩散金属氧化物场效应晶体管终端结构，包括：兼做漏区的N型重掺杂硅衬底，在N型重掺杂硅衬底的下表面设置有漏极金属，在N型重掺杂硅衬底的上表面设有N型掺杂硅外延层，在N型掺杂硅外延层上设有超结结构，所述的超结结构包括P型掺杂硅柱状区域和N型掺杂硅柱状区域，P型掺杂硅柱状区域和N型掺杂硅柱状区域交替排列，在所述的超结结构上设有二氧化硅层，其特征在于，在P型掺杂硅柱状区域顶部设有一排第一二氧化硅区域，在N型掺杂硅柱状区域顶部设有一排第二二氧化硅区域。