公开(公告)号：CN106024875B

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201610570715.X

申请日：2016-07-19

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  黄薛佺 ,  张龙 ,  祝靖 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/08 ,  H01L23/50

Abstract: 一种快关断绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管器件，该半导体具备：在P型衬底上设有埋氧，埋层上设有N型漂移区，其上有P型阱区和N型缓冲区，在N型缓冲区内有重掺杂的P型集电极区，在P型阱区内有重掺杂的P型发射极区与N型发射极区，在P型阱区表面设有栅氧化层，其上有多晶硅层，在重掺杂的P型发射极区内设有第一纵向沟槽且其深及埋氧，上述沟槽局部向内侧扩展形成间距相等的第一横向沟槽且其延伸至漂移区，在重掺杂的P型集电极区设有第二纵向沟槽且其深及埋氧，上述沟槽局部向内侧扩展形成间距相等的第二横向沟槽且其延伸至漂移区，上述所有沟槽内有填充物，所述填充物为外部包裹耐压介质的多晶硅且位于漂移区内的填充物为耐压介质。

公开(公告)号：CN105826367A

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201610158757.2

申请日：2016-03-18

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  黄薛佺 ,  黄超 ,  张龙 ,  祝靖 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/7394 ,  H01L29/0615

Abstract: 一种新型大电流绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管，该半导体具备：在P型衬底上设有埋氧，埋氧上设有N型漂移区，其上设有P型体区和N型缓冲区，N型缓冲区内设有P型集电极区，其上连接有集电极金属，在N型漂移区的上方设有场氧层，在P型体区内设有P型发射极区，其周边设有N型发射区，在N型发射区和P型发射区上连接有发射极金属，在场氧层与N型发射极区之间设有栅氧，在栅氧表面设有第一多晶硅层，其表面连接有第一栅金属，在P型体区外侧设有纵向沟槽，在纵向沟槽内设有二氧化硅或其他介质包裹的第二多晶硅层，其上连接有第二栅金属。

公开(公告)号：CN106024875A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610570715.X

申请日：2016-07-19

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  黄薛佺 ,  张龙 ,  祝靖 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/08 ,  H01L23/50

CPC classification number: H01L29/7393 ,  H01L23/50 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/0821

Abstract: 一种快关断绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管器件，该半导体具备：在P型衬底上设有埋氧，埋层上设有N型漂移区，其上有P型阱区和N型缓冲区，在N型缓冲区内有重掺杂的P型集电极区，在P型阱区内有重掺杂的P型发射极区与N型发射极区，在P型阱区表面设有栅氧化层，其上有多晶硅层，在重掺杂的P型发射极区内设有第一纵向沟槽且其深及埋氧，上述沟槽局部向内侧扩展形成间距相等的第一横向沟槽且其延伸至漂移区，在重掺杂的P型集电极区设有第二纵向沟槽且其深及埋氧，上述沟槽局部向内侧扩展形成间距相等的第二横向沟槽且其延伸至漂移区，上述所有沟槽内有填充物，所述填充物为外部包裹耐压介质的多晶硅且位于漂移区内的填充物为耐压介质。