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公开(公告)号：CN103618001B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310496732.X
申请日：2013-10-22
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 一种N型绝缘栅双极型晶体管，包括：兼做集电区的P型掺杂硅衬底，在P型掺杂硅衬底下方设有集电极金属，在P型掺杂硅衬底上方依次设有N型掺杂硅缓冲层和N型轻掺杂硅外延层，在N型轻掺杂硅外延层内设有和P型柱，在P型掺杂半导体区中设有N型和P型重掺杂半导体区，在P型柱中设有P型重掺杂半导体区，在P型柱和N型轻掺杂硅外延层之间设有介质层，在N型轻掺杂硅外延层上方依次设有栅氧化层和多晶硅栅，且多晶硅栅始于介质层的上方并止于与介质层相邻的N型重掺杂半导体区的上方，在多晶硅栅上方依次设有氧化层和发射极金属，且N型和P型重掺杂半导体区均与发射极金属电连接。
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公开(公告)号：CN102646710B
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201210101012.4
申请日：2012-04-06
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 一种超结纵向双扩散金属氧化物半导体管，包括：兼做漏区的N型重掺杂硅衬底，在N型重掺杂硅衬底的下表面设置有漏极金属，在N型重掺杂硅衬底的上表面设有N型掺杂硅外延层，在N型掺杂硅外延层内设有间断不连续的P型掺杂柱状半导体区，在P型掺杂柱状半导体区上设有第一P型掺杂半导体区，且第一P型掺杂半导体区位于N型掺杂外延层内，在第一P型掺杂半导体区中设有第二P型掺杂半导体接触区和N型掺杂半导体源区，其特征在于，在N型重掺杂半导体源区上连接有源极金属，在第二P型重掺杂半导体接触区上连接有衬底金属，在源极金属与衬底金属的下方设有作为电阻的多晶硅，且多晶硅分别与源极金属与衬底金属连接，在衬底金属上连接有顶层金属。
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公开(公告)号：CN102646709B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201210101011.X
申请日：2012-04-06
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种快速超结纵向双扩散金属氧化物半导体管，包括：兼做漏区的N型掺杂硅衬底、N型掺杂硅外延层、超结结构，所述的N型掺杂硅外延层设在N型掺杂硅衬底上，超结结构设在N型硅掺杂半导体区上，所述的超结结构由间隔排列的P型柱和N型柱组成，在P型柱上有第一P型掺杂半导体区，且第一P型掺杂半导体区位于N型掺杂外延层内，在第一P型掺杂半导体区中设有第二P型重掺杂半导体接触区和N型重掺杂半导体源区，其特征在于，在N型柱表面有源极埋层，源极埋层包括薄氧化层和薄氧化层上的多晶硅，多晶硅栅和源极金属相连。
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公开(公告)号：CN102760756A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201210227688.8
申请日：2012-06-30
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种带浮空场板的超结金属氧化物场效应管终端结构，包括：兼做漏区的N型重掺杂硅衬底、过渡区I及终端区II，在N型重掺杂硅衬底的上表面设有N型掺杂硅外延层，在N型掺杂硅外延层内设有过渡区I及终端区II，在过渡区I及终端区II内超结结构，在过渡区I内设有P型掺杂半导体区，在P型掺杂半导体区的上方设有过渡区多晶硅层，过渡区多晶硅层电连接有第一金属场板，在终端区II的各个N型掺杂硅柱状区域的上方分别设有终端区多晶硅层，各个终端区多晶硅层分别向过渡区I延伸并分别止于相邻的P型掺杂柱状半导体区的上方，在各个终端区多晶硅层上电连接有第二金属场板，第二金属场板向终端区II的外边界延伸并止于下一块终端区多晶硅层的上方。
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公开(公告)号：CN102646710A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201210101012.4
申请日：2012-04-06
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 一种超结纵向双扩散金属氧化物半导体管，包括：兼做漏区的N型重掺杂硅衬底，在N型重掺杂硅衬底的下表面设置有漏极金属，在N型重掺杂硅衬底的上表面设有N型掺杂硅外延层，在N型掺杂硅外延层内设有间断不连续的P型掺杂柱状半导体区，在P型掺杂柱状半导体区上设有第一P型掺杂半导体区，且第一P型掺杂半导体区位于N型掺杂外延层内，在第一P型掺杂半导体区中设有第二P型掺杂半导体接触区和N型掺杂半导体源区，其特征在于，在N型重掺杂半导体源区上连接有源极金属，在第二P型重掺杂半导体接触区上连接有衬底金属，在源极金属与衬底金属的下方设有作为电阻的多晶硅，且多晶硅分别与源极金属与衬底金属连接，在衬底金属上连接有顶层金属。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102646709A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201210101011.X
申请日：2012-04-06
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种快速超结纵向双扩散金属氧化物半导体管，包括：兼做漏区的N型掺杂硅衬底、N型掺杂硅外延层、超结结构，所述的N型掺杂硅外延层设在N型掺杂硅衬底上，超结结构设在N型硅掺杂半导体区上，所述的超结结构由间隔排列的P型柱和N型柱组成，在P型柱上有第一P型掺杂半导体区，且第一P型掺杂半导体区位于N型掺杂外延层内，在第一P型掺杂半导体区中设有第二P型重掺杂半导体接触区和N型重掺杂半导体源区，其特征在于，在N型柱表面有源极埋层，源极埋层包括薄氧化层和薄氧化层上的多晶硅，多晶硅栅和源极金属相连。
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公开(公告)号：CN102760756B
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201210227688.8
申请日：2012-06-30
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种带浮空场板的超结金属氧化物场效应管终端结构，包括：兼做漏区的N型重掺杂硅衬底、过渡区I及终端区II，在N型重掺杂硅衬底的上表面设有N型掺杂硅外延层，在N型掺杂硅外延层内设有过渡区I及终端区II，在过渡区I及终端区II内超结结构，在过渡区I内设有P型掺杂半导体区，在P型掺杂半导体区的上方设有过渡区多晶硅层，过渡区多晶硅层电连接有第一金属场板，在终端区II的各个N型掺杂硅柱状区域的上方分别设有终端区多晶硅层，各个终端区多晶硅层分别向过渡区I延伸并分别止于相邻的P型掺杂柱状半导体区的上方，在各个终端区多晶硅层上电连接有第二金属场板，第二金属场板向终端区II的外边界延伸并止于下一块终端区多晶硅层的上方。
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公开(公告)号：CN103618001A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201310496732.X
申请日：2013-10-22
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/7395 , H01L29/0684 , H01L29/365
Abstract: 一种N型绝缘栅双极型晶体管，包括：兼做集电区的P型掺杂硅衬底，在P型掺杂硅衬底下方设有集电极金属，在P型掺杂硅衬底上方依次设有N型掺杂硅缓冲层和N型轻掺杂硅外延层，在N型轻掺杂硅外延层内设有和P型柱，在P型掺杂半导体区中设有N型和P型重掺杂半导体区，在P型柱中设有P型重掺杂半导体区，在P型柱和N型轻掺杂硅外延层之间设有介质层，在N型轻掺杂硅外延层上方依次设有栅氧化层和多晶硅栅，且多晶硅栅始于介质层的上方并止于与介质层相邻的N型重掺杂半导体区的上方，在多晶硅栅上方依次设有氧化层和发射极金属，且N型和P型重掺杂半导体区均与发射极金属电连接。
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公开(公告)号：CN202616235U
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201220143127.5
申请日：2012-04-06
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种超结纵向双扩散金属氧化物半导体管，包括：兼做漏区的N型重掺杂硅衬底，在N型重掺杂硅衬底的下表面设置有漏极金属，在N型重掺杂硅衬底的上表面设有N型掺杂硅外延层，在N型掺杂硅外延层内设有间断不连续的P型掺杂柱状半导体区，在P型掺杂柱状半导体区上设有第一P型掺杂半导体区，且第一P型掺杂半导体区位于N型掺杂外延层内，在第一P型掺杂半导体区中设有第二P型掺杂半导体接触区和N型掺杂半导体源区，其特征在于，在N型重掺杂半导体源区上连接有源极金属，在第二P型重掺杂半导体接触区上连接有衬底金属，在源极金属与衬底金属的下方设有作为电阻的多晶硅，且多晶硅分别与源极金属与衬底金属连接，在衬底金属上连接有顶层金属。
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公开(公告)号：CN202616237U
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201220146328.0
申请日：2012-04-06
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种快速超结纵向双扩散金属氧化物半导体管，包括：兼做漏区的N型掺杂硅衬底、N型掺杂硅外延层、超结结构，所述的N型掺杂硅外延层设在N型掺杂硅衬底上，超结结构设在N型硅掺杂半导体区上，所述的超结结构由间隔排列的P型柱和N型柱组成，在P型柱上有第一P型掺杂半导体区，且第一P型掺杂半导体区位于N型掺杂外延层内，在第一P型掺杂半导体区中设有第二P型重掺杂半导体接触区和N型重掺杂半导体源区，其特征在于，在N型柱表面有源极埋层，源极埋层包括薄氧化层和薄氧化层上的多晶硅，多晶硅栅和源极金属相连。
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