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公开(公告)号：CN1234174C
公开(公告)日：2005-12-28
申请号：CN02138393.6
申请日：2002-09-30
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7835 , H01L29/404
Abstract: 本发明公开了一种高压P型金属氧化物半导体管，由源、漏、栅、场氧、栅氧和氧化层组成，栅氧设在源、漏和场氧上，在栅氧的下方设有N型外延接触孔，栅位于栅氧与氧化层之间，在栅、源和漏上设有铝引线，在场氧及漏的下方设有P型漂移区，源、P型漂移区和场氧设在P型衬底上，在源上连接有场极板。本发明引入了场极板且场极板与源相连，场极板可获得电源电位即高电压，而场极板上的电压越高，由于场极板的作用而在硅表面形成的耗尽区越大，故其削弱表面峰值电场效果越好，从而提高其击穿电压。
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公开(公告)号：CN1208839C
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：CN03112626.X
申请日：2003-01-08
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种内置保护N型高压金属氧化物半导体管，包括P型衬底，在P型衬底的上方设有源、P型接触孔、场氧化层、漏和多晶栅，在多晶栅的下面设有栅氧化层，在P型接触孔、源、多晶栅、场氧化层和漏的上方设有氧化层，在P型接触孔及源上设有铝引线、在多晶栅和漏上分别设有铝引线，在P型衬底上方设有N型杂质区，并使漏和场氧化层位于该N型杂质区内，在位于多晶栅末端下方的N型杂质区内设有P型保护阱，且该P型保护阱位于场氧化层的下面。本发明引入了P型保护阱，作为P型内置保护阱可以增大多晶栅末端的电场曲率半径、降低由于多晶栅末端电位突变引起的电场聚集，从而分散了此处表面电场，显著提高了器件击穿电压。
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公开(公告)号：CN1487594A
公开(公告)日：2004-04-07
申请号：CN02138393.6
申请日：2002-09-30
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7835 , H01L29/404
Abstract: 本实用新型公开了一种高压P型金属氧化物半导体管，由源、漏、栅、场氧、栅氧和氧化层组成，栅氧设在源、漏和场氧上，在栅氧的下方设有N型外延接触孔，栅位于栅氧与氧化层之间，在栅、源和漏上设有铝引线，在场氧及漏的下方设有P型漂移区，源、P型漂移区和场氧设在P型衬底上，在源上连接有场极板。本发明引入了场极板且场极板与源相连，场极板可获得电源电位即高电压，而场极板上的电压越高，由于场极板的作用而在硅表面形成的耗尽区越大，故其削弱表面峰值电场效果越好，从而提高其击穿电压。
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公开(公告)号：CN1424769A
公开(公告)日：2003-06-18
申请号：CN03112626.X
申请日：2003-01-08
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种内置保护N型高压金属氧化物半导体管，包括P型衬底，在P型衬底的上方设有源、P型接触孔、场氧化层、漏和多晶栅，在多晶栅的下面设有栅氧化层，在P型接触孔、源、多晶栅、场氧化层和漏的上方设有氧化层，在P型接触孔及源上设有铝引线、在多晶栅和漏上分别设有铝引线，在P型衬底上方设有N型杂质区，并使漏和场氧化层位于该N型杂质区内，在位于多晶栅末端下方的N型杂质区内设有P型保护阱，且该P型保护阱位于场氧化层的下面。本发明引入了P型保护阱，作为P型内置保护阱可以增大多晶栅末端的电场曲率半径、降低由于多晶栅末端电位突变引起的电场聚集，从而分散了此处表面电场，显著提高了器件击穿电压。
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公开(公告)号：CN110738014B
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN201910922772.3
申请日：2019-09-27
Applicant: 东南大学
IPC: G06F30/3312
Abstract: 本发明公开了一种时序电路统计分析中的关键工艺波动确定方法，本发明首先定义参考工作条件，并基于多元线性回归求出在参考工作条件下所有单元的各工艺波动参考权重，其中工作条件至少包含电压、温度、输入转换时间和输出电容，权重定义为工艺波动对单元/电路延迟的影响程度；利用随机生成的多组不同工作条件及各条件下的工艺波动权重，构建工艺波动权重与参考权重、工作条件偏差之间的二阶模型；通过单次电路仿真得到各单元的工作条件，通过二阶模型得到对应的工艺波动权重。根据较大权重所对应的工艺波动作为关键参数，可以实现电路的工艺波动参数快速降维。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111968168B
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202010776723.6
申请日：2020-08-05
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种多分支可调节瓶颈卷积模块(MAB)以及端对端的立体匹配网络，用于估计左右图像的视差。通过调节MAB模块中多分支的尺度系数、各分支空洞卷积的扩张率，来调整卷积捕获信息的通道数以及感受野，进而权衡节省计算量、数据访存量的收益与卷积结果的信息量。该MAB模块可作为轻量级的特征提取模块，广泛使用在深度学习网络中。基于MAB模块以及其3D拓展构造轻量级端对端立体匹配神经网络，与之前的立体匹配神经网络相比，模型参数量和操作次数大大降低，但在SceneFlow和KITTI数据集上测试，精度达到SOTA水准。因此，它更容易部署到嵌入式平台、可穿戴设备等资源受限的系统上。
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公开(公告)号：CN114330193A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111570351.2
申请日：2021-12-21
Applicant: 东南大学
IPC: G06F30/367 , G06F30/373 , G06F115/02
Abstract: 本发明公开并保护了一种基于参数选择的宽电压电路延时估计方法，该方法基于低阶张量近似模型，由于该模型存在秩与多项式度两个待定参数，优化该两个参数的选取将会给低阶张量近似近似模型带来速度与精度的明显提升，减少蒙特卡罗仿真次数，实现一种精确有效的时序分析方法，为电路设计提供指导。首先提取出电路的关键路径，应用拉丁超立方对工艺参数空间进行高效采样，并通过SPICE得到相应的关键信息，以此构建初始训练集，根据本发明所给出的参数查找表，找到当前应用环境下优化的参数构建训练低阶张量近似电路延时模型。
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公开(公告)号：CN110738014A
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201910922772.3
申请日：2019-09-27
Applicant: 东南大学
IPC: G06F30/3312
Abstract: 本发明公开了一种时序电路统计分析中的关键工艺波动确定方法，本发明首先定义参考工作条件，并基于多元线性回归求出在参考工作条件下所有单元的各工艺波动参考权重，其中工作条件至少包含电压、温度、输入转换时间和输出电容，权重定义为工艺波动对单元/电路延迟的影响程度；利用随机生成的多组不同工作条件及各条件下的工艺波动权重，构建工艺波动权重与参考权重、工作条件偏差之间的二阶模型；通过单次电路仿真得到各单元的工作条件，通过二阶模型得到对应的工艺波动权重。根据较大权重所对应的工艺波动作为关键参数，可以实现电路的工艺波动参数快速降维。
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公开(公告)号：CN106024910B
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201610363983.4
申请日：2016-05-26
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/861 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/329
Abstract: 一种鳍式快恢复超结功率半导体晶体管及其制备方法，包括N型衬底，在N型衬底上设有N型外延层，在N型外延层的内设有柱状第二P型体区，在N型外延层的顶部设有第一P型体区且区位于两柱状第二P型体区之间，其表面设有N型重掺杂源区和P型重掺杂半导体接触区，在N型重掺杂源区、P型重掺杂半导体接触区和第二P型体区上连接有源极金属，在第一P型体区的两侧分别设有多晶硅栅，柱状第二P型体区止于多晶硅栅的下表面，且柱状第二P型体区低于第一P型体区，在多晶硅栅与第一P型体区、N型外延层及第二P型体区之间设有栅氧化层，在多晶硅栅与源极金属之间设有绝缘层，并且，栅氧化层使第一P型体区与第二P型体区相互分离。
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公开(公告)号：CN106024892A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610363982.X
申请日：2016-05-26
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78 , H01L29/0688 , H01L29/66409
Abstract: 一种高雪崩耐量的空穴电流分流型功率晶体管及其制备方法，包括：兼做漏区的N型掺杂硅衬底上设有N型掺杂硅外延层，N型掺杂硅外延层表面设有沟槽，在沟槽内设有场氧层，在场氧层内设有屏蔽栅和栅极，栅极位于屏蔽栅的两侧且位于场氧层的顶部，在栅极与屏蔽栅之间设有绝缘介质层，同时，在栅极与外延层之间设有栅氧层，外延层的表面设有P型体区，P型体区的表面设有P型源区和N型源区，器件表面覆盖绝缘介质层，源极金属通过绝缘介质层上的通孔与重掺杂N型源区和重掺杂P型源区接触，屏蔽栅还与源极金属接触，在场氧层内设有位于栅极下方的P型多晶硅导电沟道，P型多晶硅导电沟道的一端连于N型掺杂硅外延层，另一端连于屏蔽栅。
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