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公开(公告)号:CN114348952A
公开(公告)日:2022-04-15
申请号:CN202210255118.3
申请日:2022-03-16
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种MEMS压力传感器封装结构,在外壳的内侧壁上贴合有一组相对设置的金属极板,金属极板在通入电压后会形成电场,根据介电分离效应,在该电场的作用下,渗入密封腔体的外界污物向着金属极板运动和聚集,并在重力作用下落入金属极板的底端的污物收集槽内,解决现有技术中封装气密性随传感器工作时间的增长逐渐下降,导致外界污物进入封装腔体后下沉到MEMS压力传感器芯片表面,从而造成传感器性能下降的问题。此外,盖状波纹膜片及其连接方式能有效提高密封胶装配的封装气密性,减小波纹膜片上的预应力和热应力;波纹膜片采用高韧性陶瓷材料,有助于抑制恶劣工作环境对波纹膜片的腐蚀和破坏。
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公开(公告)号:CN108092638A
公开(公告)日:2018-05-29
申请号:CN201711203867.7
申请日:2017-11-27
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种三角形折叠梁质量块谐振系统、检测方法及制作工艺,该谐振系统包括衬底及置于衬底上的谐振测试系统,该谐振测试系统包括上极板、下极板以及基座;基座位于衬底上表面,上极板包括三角形质量块和至少两根股梁,股梁与三角形质量块连接点之间加入节胫,股梁另一端分别扩散横向和纵向型压阻电阻,并与基座相连;下极板位于衬底上表面的中央,三角形折叠梁质量块与下极板之间存在空气间隙,两者之间加驱动电压,压阻电阻串联于外接电路中。此系统利用静电力驱动和压阻检测的方法,当三角形折叠梁质量块的质量发生改变时,通过检测股梁的振动频率的变化,表征三角形折叠梁质量块的质量变化,此方法可以广泛应用于纳机电的痕量检测中。
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公开(公告)号:CN103673864B
公开(公告)日:2016-03-23
申请号:CN201310609962.2
申请日:2013-11-27
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种硅锗异质结纳米线阵列作为敏感元件的应变计,该应变计包括绝缘体上硅圆片,以及覆盖在绝缘体上硅圆片上的氧化层,绝缘体上硅圆片上开有深槽,且深槽的侧壁和底面均设有氧化层,在深槽相对的两个侧壁上分别设有一个生长纳米线的窗口,该窗口上设有锡纳米颗粒催化剂层,锡纳米颗粒催化剂层上生长硅锗异质结纳米线阵列,两个生长纳米线且相对的窗口通过该硅锗异质结纳米线阵列相连接。该应变计采用硅锗异质结纳米线阵列作为敏感元件,提高敏感源灵敏度,同时,还公开该应变计的制备方法,该制备方法简单,且与现有的集成电路工艺具有兼容性。
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